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半導體材料深度報告:借力國產替代東風,國內半導體材料加速進階

作者:每日研投 來源: 頭條號 102512/25

【報告摘要】半導體產業(yè)鏈一般分為設計、制造和應用三個環(huán)節(jié)。按照應用環(huán)節(jié)半導體材料可以分為制造材料與封測材料。2021年半導體材料全球整體市場空間約643億美元。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2015-2021年全球半導體材料行業(yè)市場規(guī)模整體呈不斷上漲態(tài)

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【報告摘要】

半導體產業(yè)鏈一般分為設計、制造和應用三個環(huán)節(jié)。

按照應用環(huán)節(jié)半導體材料可以分為制造材料與封測材料。

2021年半導體材料全球整體市場空間約643億美元。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2015-2021年全球半導體材料行業(yè)市場規(guī)模整體呈不斷上漲態(tài)勢,2015年市場規(guī)模為432.9億美元,2021年增長到643億美元,CAGR為6.8%2020與2021年由于5G和新能源的快速發(fā)展,大幅提升了半導體產業(yè)的市場需求,半導體材料市場規(guī)??焖偕仙?,2021年達到643億美元,同比增長15.86%。

根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會發(fā)布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2021年中國集成電路產業(yè)銷售額為10458.3億元,同比增長18.2%。

ICinsights在2020年的《Mcclean》報告指出,在過去的50年中,DRAM、閃存、微處理器和圖形處理器增長趨勢仍依照摩爾定律,即每隔18-24個月,芯片上集成的晶體管數(shù)目就會增加一倍,隨著制程和集成度的提升,工藝難度和加工步驟數(shù)相應增加,對上游材料的需求和性能要求也相應提高。

2022022年中國國內新建數(shù)量分別為5座和3座,2024年中國國內的12英寸寸晶圓廠市場份額上升至20%,相較于2015年增長12%,產能達到150萬片/月。

根據(jù)KnometaResearch數(shù)據(jù),2021年全球的晶圓產能達到了2143萬片/月(按8寸晶圓當量),其中中國國內月產能為350萬片,僅占全球產能的16%根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2021年,中國臺灣地區(qū)仍擁有全球半導體材料最大的市場。

根據(jù)中國海關總署數(shù)據(jù),2021年中國進口的芯片總量為6354.8億個,同比增長了16.9%;進口金額突破到了近4326億美元,同比增長23.6%,均創(chuàng)下歷史新高。

進一步限制中國集成電路產業(yè)發(fā)展,短期來看對整個產業(yè)鏈存在較大影響,但長期來看中國集成電路產業(yè)必將走上獨立自主創(chuàng)新之路,管制新規(guī)將進一步催化設備及材料端國產化趨勢,預計相關國產材料及設備能夠得到更多的驗證資源和機會,縮短國產替代周期。

硅基半導體材料是目前產量最大、應用最廣的半導體材料,多晶硅是單質硅的一種形態(tài)。

半導體硅片的生產流程復雜,涉及工序較多硅片制造過程中需要經(jīng)過多次清洗,在銷售給客戶之前還需要經(jīng)過檢驗和包裝。

拉單晶是半導體硅片生產工序中最為核心的技術,常用方法有直拉法(Czochralsk,CZ法)和區(qū)熔法(Float-Zone,F(xiàn)Z法)兩種CZ法氧含量高,更容易生產出大尺寸單晶硅棒,工藝也已成熟,成本較低,因此目前半導體行業(yè)主要采用CZ法拉制單晶硅棒。

單晶硅棒磨成相同直徑,然后根據(jù)客戶要求的電阻率,用內徑鋸或線鋸將晶棒切成約1mm厚的薄片,形成晶圓。

在研磨機上用磨料將切片拋光到所需的厚度,同時提高表面平整度。

重摻硅片的摻雜元素摻入量大,電阻率低,一般用于功率器件等領域產品;輕摻硅片摻雜濃度低,一般用于集成電路領域,技術難度和產品質量要求更高。

研磨片可用于制造分立器件;輕摻拋光片可用于制造大規(guī)模集成電路或作為外延片的襯底材料,重摻拋光片一般用作外延片的襯底材料。

退火片在氫氣或氬氣環(huán)境下對拋光片進行高溫熱處理,以去除晶圓表面附近的氧氣,可以提高表面晶體的完整性。

結隔離硅片是根據(jù)客戶的設計,利用曝光、離子注入和熱擴散技術在晶圓表面預形成IC嵌入層,然后再在上面生長一層外延層。

拋光片直接用于制作半導體器件,廣泛應用于存儲芯片與功率器件等,也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料;外延片是由拋光片經(jīng)過外延生長而形成,常在CMOS電路中使用,如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等,也應用于應用于二極管、IGBT等功率器件的制造;SOI硅片是由拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成,具備耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高等特點,主要應用于智能手機、WiFi等無線通信設備的射頻前端芯片,也應用于功率器件、傳感器、硅光子器件等芯片產品,價格是一般硅片的4-5倍。

正片用于半導體產品的制造,假片用來暖機、填充空缺、測試生產設備的工藝狀態(tài)或某一工藝的質量狀況據(jù)觀研網(wǎng)數(shù)據(jù),65nm制程的晶圓代工廠每10片正片需要加6片假片,28nm及以下制程每10片正片則需要加15-20片假片。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2016-2018年,全球半導體硅片市場總體處于上升增速明顯,2018-2020年小幅回落,2021年重拾升勢,全球市場規(guī)模126億美元。

歷史上半導體行業(yè)的年均增速高于電子系統(tǒng)整體市場,主要驅動力是電子系統(tǒng)中使用的半導體的含量不斷增加。

在半導體含量推動作用下,硅片出貨面積呈上升趨勢,根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù),2021年全球硅片出貨面積141.65億平方英寸,創(chuàng)歷史新高。

半導體硅片通??梢园凑粘叽纭⒐に噧煞N方式進行分類。

因此,制程的不斷縮小推動硅片向大尺寸發(fā)展。

根據(jù)ICinsight預測,2021-2024年,全球芯片制造產能中10nm以下制程占比迅速上升。

Omdia預計2021至2025年,8英寸和12英寸半導體硅片需求量將增加,6英寸及以下尺寸硅片需求保持平穩(wěn)。

分立器件由于價格偏低,生產廠商對于投資大尺寸產線動力不足,目前仍以6英寸及以下硅片為主若硅片尺寸增大帶來的成本節(jié)約可以彌補投資大尺寸晶圓制造產線的成本,廠商便有向大尺寸遷移的動力。

掩膜版的作用是將設計者的電路圖形通過曝光的方式轉移到晶圓上,從而實現(xiàn)批量化生產以晶圓制造為例,其制造過程需要經(jīng)過多次曝光工藝,利用掩膜版的曝光掩蔽作用,在半導體晶圓表面形成柵極、源漏極、摻雜窗口、電極接觸孔等。

掩膜版的主要原材料包括掩膜基板、光學膜、化學試劑以及包裝盒等輔助材料,掩膜版主要應用于平板顯示、半導體、觸控和電路板的制造過程。

分地區(qū)來看,隨著國內半導體產業(yè)占全球比重的逐步提升,國內半導體掩膜版市場規(guī)模也逐步擴大;根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2019年國內半導體掩膜版市場規(guī)模1.44億美元,預計2021年將達到1.95億美元(CAGR:16.32%)。

半導體技術節(jié)點由130nm、100nm、90nm、65nm等逐步發(fā)展到28nm、14nm、7nm、5nm等;半導體掩膜版也從激光直寫光刻、濕法制程、光學檢測等逐步發(fā)展為電子束光刻、干法制程、電子顯微檢測。

根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),從光掩膜版需求量來看,IC用光掩膜玻璃基板需求從2015年的2.9萬平方米增長到2020年的5.6萬平方米,F(xiàn)PD光掩膜玻璃基板需求從2015年的4.1萬平方米增長到2020年的5.3萬平方米,IC用光掩膜版首次超越FPD(平板顯示)光掩膜版需求量。

整體來看,不同制程半導體掩膜版占比中,130nm以上制程占比54%,是目前主流制程;28-90nm制程占比33%,22nm以下制程占比13%,長期來看,隨著先進制程不斷發(fā)展,半導體掩膜版在先進制程占比會不斷提升。

其中,LG-IT和SKE的掩膜版產品主要布局在平板顯示掩膜版領域,均擁有G11掩膜版生產線;Toppan和臺灣光罩掩膜版產品主要布局在半導體掩膜版領域;福尼克斯、DNP、HOYA的掩膜版產品同時布局在平板顯示掩膜版領域和半導體掩膜版領域,均擁有G11掩膜版生產線;清溢光電和路維光電的掩膜版產品種類多樣,應用領域廣泛,包括平板顯示掩膜版、半導體掩膜版、觸控掩膜版和電路板掩膜版等,其中路維光電擁有G11掩膜版生產線。

PKL于2005年被福尼克斯(Photronics)收購,成為其子公司。

LG-IT主要為汽車,移動,物聯(lián)網(wǎng),顯示器,半導體,LED等行業(yè)開發(fā)關鍵材料和組件,其產品包括攝像頭模組、掩膜版和膠帶基材等。

SKE的主要產品為平板顯示用掩膜版,擁有G10和G11掩膜版生產線。

HOYA是一家專業(yè)生產光學玻璃的制造商,主要應用于信息技術和醫(yī)療保健領域,產品涵蓋眼鏡、醫(yī)用內窺鏡、眼內透鏡、光學透鏡以及電子器件(包括半導體掩膜版及其基板、平板顯示用掩膜版以及硬盤用玻璃磁盤)。

Toppan是一家多元化的大型集團公司,其業(yè)務分為以下八個模塊:內容創(chuàng)作、安防解決方案、營銷傳播、紙質包裝、阻隔薄膜、裝飾材料、顯示元器件(彩色濾光片、金屬掩膜版等)以及半導體解決方案(包括半導體用掩膜版、半導體封裝等)。

DNP的業(yè)務領域主要分為四部分:一是信息溝通(印刷出版業(yè)務、營銷、信息安全等),二是包裝材料(食品包裝、裝飾材料、鋰電池包裝等),三是電子產品(彩色濾光片、半導體用掩膜版、光學膜等),四是飲料業(yè)務。

清溢光電主要從事掩膜版的研發(fā)、設計、生產和銷售業(yè)務,產品主要應用于平板顯示、半導體芯片、觸控、電路板等行業(yè)。

根據(jù)Omdia數(shù)據(jù),2020年全球各大掩膜版廠商平板顯示掩膜版的銷售金額前五名分別為福尼克斯、SKE、HOYA、LG-IT和清溢光電,前五名掩膜版廠商的合計銷售額占全球平板顯示用掩膜版銷售額的比例約為88%。

由于用于芯片制造的掩膜版涉及各家晶圓制造廠的技術機密,因此晶圓制造廠先進制程(45nm以下)所用的掩膜版大部分由晶圓廠自己的專業(yè)工廠生產,但對于45nm以上等比較成熟的制程所用的標準化程度更高的掩膜版,晶圓廠出于成本的考慮,更傾向于向獨立第三方掩膜版廠商進行采購。

近幾年面板廠商積極投資與擴產高世代產線,面板尺寸的增大帶動掩膜版朝大尺寸化方向發(fā)展,同時帶動大尺寸掩膜版的需求增長55英寸及以上顯示產品的需求增加引領全球平板顯示產業(yè)向8+代線和10+代線邁進,8.5代線可高效切割32寸、48寸、55寸電視,8.6代線可高效切割50寸、58寸電視,10.5代線可高效切割65寸、75寸電視。

舉例來說,8.5代線切割65寸電視的效率為64%,但是可以采用66寸+32寸電視套切,實現(xiàn)94%的切割效率;8.6代線切割90寸電視的效率為74%,但是可以采用90寸+23.3寸電視套切,實現(xiàn)91%的切割效率;10.5代線切割65寸、75寸電視都可以達到90%以上的切割效率。

超高清視頻產業(yè)發(fā)展前景廣闊,帶動掩膜版朝著高精細化的方向發(fā)展8K電視終端銷量占電視總銷量的比例超過5%,同時超高清視頻用戶數(shù)達到2億”隨著平板顯示解析度不斷提高,TFT半導體主動層材料已逐步采用LTPS/Oxide技術,并朝著LTPO(低溫多晶氧化物)等新技術演變。

以掩膜版最小圖形尺寸為例,180nm制程節(jié)點半導體產品所對應的掩膜版最小圖形尺寸約為750nm,65nm制程節(jié)點產品對應約260nm,28nm制程節(jié)點產品對應約120nm。

在基板材料上,石英基板與蘇打基板相比,具有高透過率、高平坦度、低膨脹系數(shù)等優(yōu)點,通常應用于對產品圖形精度要求較高的行業(yè),因此基板材料逐漸由蘇打基板轉為石英基板。

電子特氣是純度和質量穩(wěn)定性最高要求最高的特種氣體,純度一般在6N以上電子特氣廣泛應用于集成電路制造領域和半導體照明領域,其中集成電路制造中主要用于硅片制造、氧化、離子注入、CVD、刻蝕等環(huán)節(jié),半導體照明中主要用于外延片制造和刻蝕環(huán)節(jié)。

根據(jù)億渡數(shù)據(jù),應用于集成電路的電子特氣占比約為43%,是電子特氣占比最高的應用,此外,用于顯示面板占比21%,LED占比13%,光伏6%。

市場競爭方面,全球電子特氣市場市場規(guī)模占比最高的是德國林德、法國液化空氣、美國空氣化工和日本大陽日酸四家公司,2020年分別占比20.2%、15.5%、6.6%、5.5%,共47.7%。

目前國產特種氣體產品主要集中于在中低端產品市場,在集成電路制造應用更廣的高端特氣市場,國產廠商存在產品品類不齊全,品種純度不高等問題,因此國產電子特氣主要集中于清洗和部分蝕刻、光刻低精度環(huán)節(jié),對摻雜、沉積以及其他刻蝕、光刻的高精度環(huán)節(jié),主要依賴海外進口。

特種氣體屬于危險化學品,對于產品的包裝和運輸有很高要求,一旦發(fā)生泄漏會引起嚴重的后果,因此進口特種氣體存在多種不便而國產特種氣體不存在進出口管制問題,運輸和售后也更為便利。

從2009年開始,國家不斷出臺新的政策法規(guī),來支持工業(yè)氣體行業(yè)的發(fā)展,重點支持特種氣體,尤其是應用于集成電路的電子級特種氣體的相關研發(fā)和產業(yè)化。

光刻膠為利用光化學反應進行微細加工圖形轉移的媒體,由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等主要成分組成的對光敏感的感光材料,被廣泛應用于光電信息產業(yè)的微細圖形線路的加工制作,是微細加工技術的關鍵性材料。

在光刻膠工藝過程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來,該涂層材料為正性光刻膠。

其中溶劑主要起溶解作用,占比50%-90%;光引發(fā)劑是核心部分,在特定光輻射能下回產生化學反應,占比1%-6%;成膜樹脂起粘合作用,占比10%-40%;添加劑分為單體和助劑,主要對光化學反應和整體性能起調節(jié)作用,占比小于1%。

光刻膠根據(jù)對應波長,主要品類分為紫外光譜(300-450nm)、g-line(436nm)、i-line(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)和EUV(13.5nm)。

從下游出貨情況看,2021年Logic、DRAM、NVM出貨量分別為5951561853千升,預計到2025年將分別增加至6771613002千升。

在集成電路制造業(yè)精細加工從微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級水平的過程中,光刻膠起著舉足輕重的作用,全球光刻膠供應市場高度集中,核心技術一直掌握在日、美等國際大公司手中。

JSR和東京應化先后于2000和2001年推出了ArF光刻膠產品;2002年,東芝開發(fā)出22nm的低分子EUV光刻膠。

截止2021年,美日韓企業(yè)占據(jù)了88%的光刻膠市場份額,其中東京應化27%、陶氏17%、合成橡膠13%、住友化學12%、韓國東進11%、富士膠片8%國內知名光刻膠企業(yè)包括南大光電、晶瑞電材、彤程新材、上海新陽等。

根據(jù)ResearchinChina數(shù)據(jù),全球光刻膠市場三大組成部分是半導體光刻膠、平板顯示光刻膠和PCB光刻膠,市場份額分別為23.3%、25.9%和23.6%。

2022-2025年是國內晶圓廠產線投產期,外部壓力增大,國產光刻膠進入認證窗口據(jù)SEMI統(tǒng)計,預計至2024年底,中國國內將建立31座大型晶圓廠,主要集中于成熟制程,隨著晶圓廠產線投產,光刻膠驗證進入導入期。

在光刻膠使用過程中,光刻膠配套材料是光刻膠使用過程中不可或缺的一部分根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),全球半導體光刻膠配套材料市場規(guī)模穩(wěn)步增長,2016年為19.1億美元,2021年達到了32.3億美元,CAGR為11.1%。

濕電子化學品按照大類一般可劃分為通用化學品(通常為超凈高純試劑)和功能性化學品。

SEMI將半導體用濕電子化學品按金屬雜質、控制粒徑、顆粒個數(shù)和應用范圍等指標制定國際5個等級分類標準。

超凈高純試劑按照性質劃分可分為:酸類、堿類、有機溶劑類和其它類,主要包括雙氧水、氫氟酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸、氫氧化銨等。

根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),全球濕電子化學品市場規(guī)模2011年為25.3億美元,2020年為56.8億美元,2011-2020年CAGR值9.4%預計到2025年全球濕電子化學品需求量將達到697.2萬噸,半導體需求量313萬噸,顯示面板需求量244萬噸,光伏等其他需求量140.2萬噸,總需求量將增加50%以上。

中國濕電子化學品市場規(guī)模2011年為27.8億元,2021年為137.8億元,CAGR值17.3%,高于全球平均增速,預計2022年將達到163.9億元,2028年將達到301.7億元預計到2025年中國濕電子化學品需求量將達到369.6萬噸,半導體需求量106.9萬噸,顯示面板需求量149.5萬噸,光伏需求量113.1萬噸,總需求量超過70%。

濕電子化學品在全球半導體市場規(guī)模占比6.7%,約20億美元,國內市場規(guī)模約6億美元近年中美貿易持續(xù)摩擦,會對電子材料的供應格局產生一定影響,刺激濕電子化學品的國產替代需求,推動國產替代進程。

主要企業(yè)包括德國巴斯夫、美國亞什蘭化學、Arch化學,日本關東化學、三菱化學、京都化工、住友化學,中國臺灣新林科技,韓國東友精細化工等。

國內濕電子化學品主要供應光伏市場、低代線平板顯示市場和6寸及以下半導體市場,GG8代線平板顯示和8寸及以上半導體市占率僅為10%。

半導體制造分為前道工藝和后道工藝,其中前道工藝指在晶圓上形成器件的工藝過程,也稱晶圓制造,后道工藝指將晶圓上的器件分離,封裝的工藝過程。

目的是去除多余的材料,或者是為了建立極其平坦的基底,以便添加下一層電路特征。

根據(jù)SEMI2018年數(shù)據(jù),CMP拋光材料在集成電路制造材料成本中占比7%,其中CMP拋光墊、CMP拋光液、CMP清洗液分別占比33%、49%、5%,合計占CMP拋光材料成本的85%以上。

根據(jù)國際半導體協(xié)會SEMI數(shù)據(jù),2021年全球晶圓制造材料市場同比增長15.5%,達到404億美元,晶圓封裝材料市場規(guī)模同比增長16.5%,達到239億美元。

根據(jù)Cabot微電子數(shù)據(jù),14納米以下邏輯芯片工藝要求的關鍵CMP工藝將達到20步以上,使用的拋光液將從90納米的約5種拋光液增加到20余種,種類和用量迅速增長;7納米及以下邏輯芯片工藝中CMP拋光步驟甚至可能達到30步,使用的拋光液種類接近30種。

存儲芯片由2DNAND向3DNAND技術變革,也會使CMP拋光步驟數(shù)近乎翻倍隨著系統(tǒng)級封裝等新的封裝方式的發(fā)展,技術實現(xiàn)方法上出現(xiàn)了倒裝、凸塊、晶圓級封裝、2.5D封裝和3D封裝等先進封裝技術。

TSV正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術,被認為是第四代封裝技術。

硬度即定期保持形狀精度的能力,采用硬質拋光墊可以獲得較好的工件平面度,使用軟質拋光墊可以加工變質層和表面粗糙度都很小的拋光平面可壓縮性越大,貼合越緊密,去除率越高。

過去,國內拋光所用CMP拋光墊,幾乎全部依賴進口。

日本、美國在拋光墊領域技術積累全球領先,中國排名第5其中日本有效專利占比41%,美國占比33%,處于領先地位公司截止2021年底已獲得授權的專利686項,其中拋光墊制造及工藝相關發(fā)明及創(chuàng)新有效專利約54項,與國際領先企業(yè)仍有一定差距。

在拋光過程中,拋光液中的氧化劑等成分與硅片表面材料產生化學反應并在表面形成化學反應薄膜,后由拋光液中的磨粒在壓力和摩擦的作用下將其去除,從而實現(xiàn)拋光。

二氧化硅磨粒優(yōu)點是活性強、易于清洗、分散性及選擇性好,多用于硅及層間氧化硅介電層的拋光,缺點是硬度大,容易對硅片表面造成損傷,且拋光效率低;氧化鋁磨粒優(yōu)點是拋光效率高,缺點是硬度大、選擇性低、易出現(xiàn)團聚,因此拋光液中常需加入各類穩(wěn)定劑和分散劑,導致成本上升;氧化鈰磨粒優(yōu)點是硬度低,拋光效率高,平坦度高,清潔無污染,缺點是團聚嚴重,需加入各類穩(wěn)定劑和分散劑,且鈰屬于稀有金屬,成本偏高。

酸性拋光優(yōu)點是拋光效率高、可溶性強,多用于對銅、鎢、鋁、鈦等金屬材料進行拋光,缺點是腐蝕性強導致選擇性低,易降低拋光設備的壽命及可靠性,所以需要在拋光液中添加抗蝕劑(BTA)提高選擇性,但BTA對拋光液的穩(wěn)定性會造成一定影響;堿性拋光液優(yōu)點是腐蝕性低、選擇性高,多用于拋光硅、氧化物及光阻材料等非金屬材料的拋光,缺點是拋光效率較低,原因是不容易找到在弱堿性中氧化勢高的氧化劑。

核心客戶認證體系壁壘方面,由于拋光墊和拋光液對芯片良率影響較大,但成本占比較相對較低,在穩(wěn)定而成熟的FAB廠中,為確保芯片良率,一般很少替換原有穩(wěn)定的供應商目前在半導體產業(yè)鏈安全可控的大環(huán)境下,國內廠商速度加快,驗證周期縮短到半年左右。

物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition)技術是制備電子薄膜材料的主要技術之一,是利用物理方法在基板表面沉積薄膜的方式,根據(jù)沉積方式的不同,PVD分為濺射法和蒸鍍法,被沉積的材料稱為靶材。

被轟擊的固體是PVD沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。

被蒸發(fā)的物質是用真空蒸發(fā)鍍膜法沉積薄膜材料的原材料,稱之為蒸鍍材料。

按下游應用可分為半導體靶材、平面顯示靶材、太陽能靶材和其他類;按形狀不同可分為長靶、方靶和圓靶;按照化學成分不同,可分為金屬靶材、化合物靶材和合金靶材。

首先是金屬提純,原材料鋁、銅、鉭、鈦等金屬以金屬提純方式形成高純金屬,作為靶材制造的原材料;第二環(huán)節(jié)是靶材制造,將高純金屬通過加工形成濺射靶材,制造好的靶材包括靶坯和背板兩部分,靶坯是濺射靶材的主體,背板起固定靶坯的作用。

根據(jù)華經(jīng)產業(yè)研究院數(shù)據(jù),截至2021年,四大領域靶材市場占比約94%,其中平板顯示、記錄媒體和太陽能電池占比較高,分別為34%、29%和21%,半導體占比約10%。

2021年為16.95億美元,同比增長超過20%,其中晶圓制造用靶材10.5億美元,封裝用靶材6.45億美元一方面系消費電子、5G、新能源等半導體下游應用快速發(fā)展,另一方面由于國內政策推動了半導體產業(yè)進一步向國內轉移。

在晶圓制造過程中,靶材主要用于晶圓導電層、阻擋層的沉積以及金屬柵極的濺鍍,在封裝過程中主要用于貼片焊線過程中的鍍膜。

在晶圓制造過程中,在110nm以上的技術節(jié)點,常以鋁和鈦作為一組導電層和阻擋層來使用,進入110nm以下的技術節(jié)點后,出于對更高導電性能的要求,用銅替換鋁作為導電層,用鉭替換鈦作為阻擋層。

由于濺射鍍膜工藝起源于國外,國外靶材公司相較于國內擁有更長時間的成長歷史和技術積淀,在靶材市場處于主導地位,根據(jù)華經(jīng)產業(yè)研究院數(shù)據(jù),截至2021年,美日頭部靶材企業(yè)占據(jù)了全球市場的80%,其中JX日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯分別占比30%、20%、20%和10%。

近年來,國家不斷出臺新的政策法規(guī),來推動靶材行業(yè)國產化的發(fā)展,特別是集成電路產業(yè)的靶材國產化。

公司主要產品包含6/8/12英寸硅片、肖特基二極管、MOSFET和射頻芯片受益于晶圓制造產能的持續(xù)緊張以及下游光伏汽車的高景氣度,公司營收和凈利潤均保持高速增長。

2022年一季度公司延續(xù)增長態(tài)勢,整體毛利率提升至50.26%。

截至2021年,公司半導體硅片營收占比為57.4%受益于半導體市場景氣,2021年半導體硅片和半導體功率器件產品銷售勢頭強勁,營收同比增長分別為49.85%和100.34%,同時化合物半導體射頻芯片也迅速增量,2021年銷售收入達0.44億元。

公司硅片產品品類全面,尺寸包括300mm、200mm、150mm、125mm和100mm,類別涵蓋半導體拋光片、外延片、SOI硅片借助內生外延發(fā)展,公司已成長為國內半導體硅片龍頭企業(yè)。

歸母凈利潤方面,公司在2020年實現(xiàn)扭虧為盈,2021年保持快速增長,2021年公司歸母凈利潤為1,46億元,同比增長67.8%,預計2022年歸母凈利潤為2.17億元,同比增長48.6%。

凈利潤波動較大,在2020年實現(xiàn)扭虧為盈,2021年凈利率為6%。

2016-2021年公司各項費率持續(xù)降低,銷售費率從7%降至3%,管理費率從34%降至9%,研發(fā)費率從8%降至5%,財務費率波動不大,從1%上升2%。

公司主要生產半導體芯片、平板顯示、觸控及電路板用的掩膜版,客戶包括中芯國際、長電科技、士蘭微、因特爾、京東方等,在Omdia發(fā)布的2020年平板顯示用掩膜版企業(yè)銷售排行中,清溢光電位列全球第五,全國第一。

22-23年隨著新工廠產能釋放實現(xiàn)盈利,公司利潤會快速回升。

此后公司積極探索戰(zhàn)略轉型,通過內生發(fā)展和外延并購先后進軍半導體封裝材料、半導體前驅體、特種氣體及集成電路等領域,成為新興產業(yè)下的平臺型公司。

2016年公司開啟電子材料的并購,收入體量從8.94億元增長到2021年37.82億元,5年CAGR值高達33.4%。

預計2022年營業(yè)收入44.17億元,同比增長16.67%主要系光刻膠業(yè)務實現(xiàn)自產疊加產品漲價,以及國內客戶的開拓,使得凈利潤增速上升。

從2016年銷售毛利率23.2%上升到2020年的35.5%。

其中,前驅體&SOD占22%,光刻膠及配套試劑占32%,電子特氣占10%,球形硅微粉占6%,LDS設備占2.8%按地區(qū)劃分,2021年公司國內收入17.4億元,國外收入20.4億元,分別占比46%和54%。

公司是國產特種氣體龍頭企業(yè),實現(xiàn)了對國內IC制造企業(yè)80%以上的覆蓋率,產品競爭力強,打破海外壟斷,是唯一通過ASML驗證的國產氣體公司,擁有TI、INTEL、鎂光等海外客戶。

2021年公司電子特氣收入7.97億元,收入占比59.8%;此外設備工程收入2.69億元,收入占比20.2%;工業(yè)氣體收入2.66億元,收入占比20%。

2018年以來,公司通過陸續(xù)收購大股東中國昊華旗下12家科研院所,成為中化集團旗下重要的新材料平臺型企業(yè),主營業(yè)務為航空航天材料、高端氟材料、電子化學品,產品服務于多個國家軍、民品核心產業(yè)。

公司2012-2021年間毛利率基本維持在25%-35%左右,2021年公司綜合毛利率是27.53%;凈利率與毛利率步調基本保持一致,2021年凈利率是12.16%。

2021年公司細分業(yè)務中,化工材料和氟材料構成了主要營收來源。

在光刻膠領域,公司于2020年研發(fā)的ArF光刻膠產品是國內通過產品驗證的第一只國產ArF光刻膠,標志著國產光刻膠產品的產業(yè)化取得關鍵性的突破。

2021年,公司實現(xiàn)營業(yè)收入9.84億元,同比增長65.46%歸母凈利潤方面從2016年的0.08億元增長至2021年1.36億元,CAGR值高達76.2%。

從公司收入占比來看,從2012年到2016年,公司收入主要來自MO源產品。

公司預計未來形成年產25噸193nm光刻膠產品的生產規(guī)模,并建成先進光刻膠分析測試中心和高分辨率光刻膠研發(fā)中心,為公司新的高端光刻膠產品的研發(fā)和產業(yè)化提供支持。

近年來公司戰(zhàn)略布局光刻膠與可降解材料,KrF光刻膠與面板光刻膠已形成一定規(guī)模,公司目前已建立了由電子材料、輪胎用特種材料和全生物降解材料三大業(yè)務支撐的全面布局。

2021年公司橡膠助劑方面實現(xiàn)營收21.67億元,占總營收比例93.9%,是公司主要的營業(yè)收入隨著電子材料業(yè)務和可降解塑料業(yè)務展開,有望成為公司新的盈利增長點。

公司主要從事超凈高純試劑、光刻膠配套試劑等濕電子化學品的研發(fā)、生產和銷售,產品廣泛應用于平板顯示、半導體及LED、光伏太陽能等多個電子領域,為清洗、光刻、顯影、蝕刻、去膜、摻雜等多步制造工藝過程提供關鍵材料,公司目前是國內規(guī)模最大、品種最齊全、配套性最強的濕電子化學品專業(yè)服務提供商之一。

隨著上游原材料價格逐步恢復正常,疊加公司G5級產品產能的高技術壁壘,公司的毛利率和凈利率有望快速回升。

2021年公司在半導體領域實現(xiàn)營收2.84億元,占比47.6%,平板顯示領域實現(xiàn)營收2.86億元,占比47.9%。

主要產品包括集成電路CMP用拋光墊及清洗液、柔性OLED用聚酰亞胺(PI)漿料、彩色聚合碳粉等。

半導體材料方面,公司的CMP拋光墊打破了國外壟斷,是國內唯一一家全面掌握拋光墊全流程核心研發(fā)和制造技術的CMP拋光墊供應商,深度滲透國內晶圓廠供應鏈,已進入國內四大頭部晶圓廠打印復印通用耗材方面,公司是中國產能規(guī)模最大的彩色化學碳粉制造商,中國最大的成品彩色再生硒鼓制造商,以及中國最大的永固紫顏料制造商。

18-19年,由于硒鼓終端市場競爭加劇,市場價格下降,公司營收受挫2020年公司泛半導體材料領域迎來收獲期,營收增長2021年公司迎來泛半導體材料收獲期,營收23.56億元,凈利潤2.14億元。

CMP作為晶圓制造的關鍵工藝,其相關耗材如CMP拋光墊市場隨半導體需求增長而擴容隨著制程縮小和封裝技術的更新迭代,CMP應用范圍拓寬,次數(shù)也大幅增加半導體耗材領域有客戶、技術、專利三大壁壘,公司已階段性實現(xiàn)突破。

伴隨國內主要面板廠柔性OLED產線建設基本完成,公司YPI產品已同步導入,YPI業(yè)務即將進入快速成長期。

2012-2019年,公司兼并收購,快速實現(xiàn)全產業(yè)鏈布局,上游具備彩色碳粉、打印芯片等自主可控生產能力,下游涉及硒鼓、墨盒面對國內競爭加劇的硒鼓市場,公司建設多條智能化產線實現(xiàn)降本增效,市場繼續(xù)向龍頭集中。

其中CMP拋光液位居國內龍頭,成功打破了國外廠商對集成電路領域化學機械拋光液的壟斷,實現(xiàn)了進口替代,使我國具備在該領域的自助供應能力。

歸母凈利潤方面,2016年歸母凈利潤為0.37億元,2021年為1.25億元,預計2022年為2.25億元,CAGR為35.0%。

從公司毛利率及凈利率數(shù)值來看,公司毛利率長期維持在50%左右;凈利率存在一定波動,波動主要源自于非經(jīng)常性損益及各項費用的波動,如研發(fā)費用及股權激勵費用等。

公司化學機械拋光液包括硅/多晶硅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液、金屬柵極拋光液、介電材料(二氧化硅、氮化硅)拋光液、鎢拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、三維集成(TSV、混合鍵合等)拋光液、硅襯底拋光液和應用于第三代寬帶半導體的拋光液等系列產品此外,公司在山東安特加碼拋光液原材料硅溶膠產品順利通過測試;研發(fā)端加強了氧化鈰顆粒的制備和拋光性能的自主可控能力,進一步提高了公司在CMP拋光液領域核心競爭力。

公司拓展?jié)耠娮踊瘜W品產品線布局,目前擁有光刻膠剝離液、刻蝕液、刻蝕后清洗液、拋光后清洗液品類,產品廣泛應用于14nm以上節(jié)點邏輯電路及3DNAND、DRAM等存儲器件。

公司自2005年成立以來一直從事高純?yōu)R射靶材的研發(fā)生產和銷售,通過多年技術積累,已經(jīng)成為中芯國際、臺積電、京東方、SunPower等國內外知名廠商的靶材供應商,是國內高純?yōu)R射靶材的龍頭企業(yè)公司業(yè)務遍布全球,產品遠銷海外,2021年,公司產品在國內和海外營收占比分別為43.4%和56.6%。

半導體靶材方面,隨著泛半導體產業(yè)向國內轉移,預計靶材需求將進一步提升,智研咨詢預測2022年中國半導體靶材的市場規(guī)模將達到75.1億元,同比增長19%;平面顯示靶材方面,智研咨詢預測2025年預計達到320億元,2018-2025年年我國平板顯示面板用靶材市場CAGR為18.1%,平板顯示面板靶材市場提升。

根據(jù)SEMI預計,2021年原始設備制造商的半導體制造設備全球銷售總額將達到1030億美元的新高,比2020年的710億美元的歷史記錄增長44.7%半導體零部件作為設備主要組成部分,市場空間提升。

公司主營業(yè)務分布于“電磁光醫(yī)”四大領域,具體業(yè)務高端金屬靶材、先進稀土材料、紅外光學材料、生物醫(yī)用材料等,其中靶材和稀土材料為主要業(yè)績來源,目前已實現(xiàn)銅系列靶材、鈷靶材等垂直一體化,有下游穩(wěn)定客戶供應,是半導體材料靶材領域國產替代龍頭。

此外,紅外光學、光纖材料收入2.35億元,貴金屬加工收入4.53億元,醫(yī)療器械材料收入0.52億元。

鉑族業(yè)務產品收入高但毛利率低,21年毛利收入為1.65億元,毛利率1.42%;薄膜材料主要為集成電路靶材,21年毛利收入為1.86億元,毛利率21.38%;公司稀土業(yè)務21年收入2.14億元,占比最高,毛利率7.91%。

主要產品為微電子化學品,按照組成成分和應用工藝不同可分為超凈高純試劑、光刻膠及配套材料和鋰電池材料。

公司2021年營業(yè)收入為18.32億元,同比增長79.21%;歸母凈利潤2.01億元,同比增長161.20%;扣非凈利潤1.15億元,同比增長159.59%。

2021年公司光刻膠及配套材料和超凈高純試劑業(yè)務營業(yè)收入分別為2.74億元和3.31億元,同比增長53.04%和58.71%,營收占比15%和18%;鋰電池材料收入為5.83億元,同比增長超過150%,占比達到32%;基礎化工材料增速最快,營業(yè)收入達到5.53億元,同比增長166.35%,占比30%。

公司的前身路維電子成立于1997年,成立之初主要從事菲林的生產,產品主要用于PCB行業(yè)隨著國內G10.G11高世代顯示面板產線的建設與擴張,公司2018年開始建設國內首條G11高世代掩膜版產線,于2019年成功下線國內首張G11TFT掩膜版。

17-21年公司營收分別為1.07、1.42.18、4.04.94億元,營收CAGR為46.6%,實現(xiàn)快速增長,主要得益于:全球平板顯示行業(yè)產能加速向國內轉移、國內半導體設計和代工產業(yè)興起,國內平板顯示及半導體領域的主流廠商市場份額迅速增加、產業(yè)鏈國產化步伐加快,對掩膜版等核心材料的市場需求提升,公司抓住機遇,產銷規(guī)模迅速擴大;公司技術實力不斷增強,突破了G1G8.6掩膜版諸多技術與工藝難點,并不斷提升產品精度;公司產品線日益豐富和完善。

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