（報(bào)告出品方：中國(guó)平安）

現(xiàn)狀：設(shè)計(jì)端下行且分化明顯，制造、材料表現(xiàn)堅(jiān)挺

全球半導(dǎo)體行業(yè)處于下探周期，當(dāng)月增速已進(jìn)入下降區(qū)間

半導(dǎo)體行業(yè)具有典型的周期性特點(diǎn)，會(huì)經(jīng)歷需求爆發(fā)（新應(yīng)用刺激居多）、漲價(jià)、擴(kuò)產(chǎn)、產(chǎn)能釋放、需求萎縮、產(chǎn)能過(guò)剩和 價(jià)格下跌的往復(fù)波動(dòng)。行業(yè)在經(jīng)歷了2021-2022H1的較快增長(zhǎng)之后，地緣政治、經(jīng)濟(jì)及下游主要應(yīng)用疲弱以及供應(yīng)鏈等問(wèn)題疊 加的效應(yīng)加速顯現(xiàn)，行業(yè)月度增速進(jìn)入快速下行通道。從月度數(shù)據(jù)看，7、8月份已經(jīng)進(jìn)入同比下降區(qū)間，尤其是8月份當(dāng)月銷 售收入下降4.02%。

分地區(qū)：中國(guó)依然是半導(dǎo)體最大市場(chǎng)，但下滑更為劇烈

中國(guó)作為全球電子信息制造和消費(fèi)大國(guó)，集成電路和分立器件的自身需求和外銷量都十分巨大。2022年以來(lái)，國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)下行 壓力加大，外需不振，半導(dǎo)體整體下降也十分明顯。 從SIA數(shù)據(jù)來(lái)看，前8個(gè)月中國(guó)大陸半導(dǎo)體銷售收入接近1280億美元，全球市場(chǎng)份額超過(guò)32%。8月當(dāng)月，中國(guó)大陸銷售收入約 150億美元，同比降幅在主要地區(qū)中最大。國(guó)家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)顯示，2022年1-8月，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)量累計(jì)為2181億塊，同比下降 10%（上年同期增速為48.2%）。

分產(chǎn)品：除存儲(chǔ)和微處理器之外，其他賽道仍維持較快增長(zhǎng)

消費(fèi)電子疲軟繼續(xù)蔓延，存儲(chǔ)、CPU等產(chǎn)品需求延續(xù)弱勢(shì)，存儲(chǔ)（DRAM、NAND）需求均出現(xiàn)大幅下降，CPU等微處理產(chǎn) 品也進(jìn)入負(fù)增長(zhǎng)通道。 工業(yè)、汽車等賽道供給依然偏緊，傳感器、模擬電路和分立器件維持較快增長(zhǎng)。

設(shè)計(jì)：鎂光、英特爾單財(cái)季收入大幅回落，英偉達(dá)增幅也在放緩

存儲(chǔ)正在加速探底。鎂光2022年第4財(cái)季（截至9月1日）疲態(tài)顯現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)收入66.43億美元，在連續(xù)9個(gè)月季度增長(zhǎng)之后，出現(xiàn) 大幅回落；公司還下調(diào)了2023年的資本支出預(yù)期。 微處理器面臨較大壓力。英特爾在2020年前兩個(gè)季度收入實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)之后，此后再無(wú)起色，截止到7月2日的單財(cái)季收入大 幅下降21.69%，降幅明顯放大；曾經(jīng)火熱的GPU賽道，龍頭英偉達(dá)同樣進(jìn)入下行周期，截止到7月31日的單財(cái)季收入增幅出現(xiàn) 大幅放緩，僅為3.03%（前一個(gè)財(cái)季為46.41%）。

設(shè)計(jì)：模擬、功率等賽道供需依然偏緊，主要公司表現(xiàn)仍舊亮眼

模擬和功率賽道依然表現(xiàn)出非常強(qiáng)的需求韌性。2022年以來(lái)，英飛凌、 ADI等行業(yè)龍頭的收入延續(xù)快速增長(zhǎng)勢(shì)頭。 市場(chǎng)還處在補(bǔ)庫(kù)存的階段，公司存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)在上升，但是整個(gè)市場(chǎng) 供需偏緊的格局并沒(méi)有改變。這兩個(gè)領(lǐng)域的景氣度在延續(xù)。

中游代工：毛利率走高，臺(tái)積電、聯(lián)電等企業(yè)收入增長(zhǎng)較快

臺(tái)積電在2022年前三季度表現(xiàn)亮眼，3季度當(dāng)季收入同比增長(zhǎng)47.86%，毛利率也從上年同期的51.33%上升至60.43%。良率提升、 新技術(shù)量產(chǎn)順利等是公司毛利率提升的最主要原因。其中，公司5nm工藝快速增長(zhǎng)，成功彌補(bǔ)了7nm制程增長(zhǎng)的放緩；從公司 終端產(chǎn)品收入結(jié)構(gòu)看，智能手機(jī)占比在回落，但高性能計(jì)算、IoT和汽車等增長(zhǎng)快速，相關(guān)產(chǎn)品在收入中的占比在擴(kuò)大。聯(lián)電最近表現(xiàn)也在向好，2季度業(yè)務(wù)收入增速達(dá)到41.5%，較上年同期上升26.80個(gè)百分點(diǎn)；毛利率從上年同期的31.2%上升至 46.5%，較上年同期提升了15.3個(gè)百分點(diǎn)。

上游設(shè)備：壓力開(kāi)始凸顯，收入增速下降且?guī)齑嬖鏊偕蠐P(yáng)

半導(dǎo)體上游設(shè)備也受到行業(yè)景氣的影響，2022年以來(lái)也面臨著較大壓力。其中：阿斯麥2022年1季度火災(zāi)影響尚存，產(chǎn)品交付 受到影響，疊加上相對(duì)較弱的需求，上半年財(cái)年收入增速也僅為7%（上年同期為45.4%），全年看會(huì)有所改善，預(yù)計(jì)收入將 增長(zhǎng)10%；應(yīng)用材料收入增速在上年8月份之后開(kāi)始下滑，截至到7月的第三財(cái)季單財(cái)季增速降至個(gè)位數(shù)；泛林研究同樣面臨 著收入增長(zhǎng)的壓力，截止到3月和6月的單財(cái)季收入增速相較上年大幅放緩，相反存貨增速大幅上揚(yáng)。

上游硅片：出貨面積仍保持增長(zhǎng)，龍頭企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況良好

硅片是半導(dǎo)體行業(yè)最主要的材料，雖然應(yīng)用端出現(xiàn)分化，但是在生產(chǎn)端目前產(chǎn)能 利用率目前仍保持在較高水平。所以我們看到，全球的硅片出貨量增速雖然出現(xiàn) 回落，但仍保持增長(zhǎng)。 龍頭企業(yè)的經(jīng)營(yíng)狀況良好。日本勝高2022年前兩個(gè)季度的收入增速均保持在30% 左右，德國(guó)世創(chuàng)收入增速也維持在較高水平，中國(guó)臺(tái)灣的環(huán)球晶圓增速也回到 15%左右的較高位置。

上游|碳化硅襯底：供需處在兩旺狀態(tài)，汽車應(yīng)用超預(yù)期

SiC在新能源汽車、新能源和軌交牽引等領(lǐng)域的應(yīng)用快速增加，上游襯底市場(chǎng)呈現(xiàn)出供需兩旺的狀態(tài)。 供給端，襯底龍頭Wolfspeed正計(jì)劃比預(yù)期提前釋放莫霍克谷產(chǎn)能，并繼續(xù)擴(kuò)大在Durham工廠的襯底材料產(chǎn)能；除了Wolfspeed 之外，安森美、II-VI等也在計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)能。國(guó)內(nèi)來(lái)看，山東天岳、露笑科技均在大舉投資SiC襯底材料。 需求端看，汽車領(lǐng)域需求十分旺盛，應(yīng)用速度超出預(yù)期。以Wolfspeed為例，截至8月份的2022第四財(cái)季，公司已經(jīng)獲得了26億美 元的項(xiàng)目定點(diǎn)。其中，大約有70%-75%是汽車行業(yè)應(yīng)用，包括汽車OEM、汽車Tier 1等客戶。

資本支出規(guī)模：部分廠商在收縮，增速呈現(xiàn)高位回落

相比于2017-2018年由中國(guó)投資帶來(lái)資本支出快速增長(zhǎng)不同，這一次的增長(zhǎng)主要來(lái)自于代工廠產(chǎn)能投資。2020年疫情刺激了線上經(jīng)濟(jì)需 求，整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)包括集成電路產(chǎn)能都開(kāi)始吃緊，主要代工廠基于這一輪強(qiáng)勁的需求啟動(dòng)了較為激進(jìn)的投資計(jì)劃，行業(yè)資本支出 快速上升。2022年下半年，由于半導(dǎo)體行業(yè)下行周期的確認(rèn)，一些廠商的資本支出在縮減，其中臺(tái)積電2022年的資本支出就落在其資本支出的下 限（400-440億美元）附近；海力士也推遲了新廠建設(shè)。相較于2021年的水平，行業(yè)資本支出增速開(kāi)始回落。IC insights預(yù)測(cè)，2022年全 球半導(dǎo)體資本支出額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)21%。

資本支出區(qū)域：中國(guó)大陸晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，但不確定陡增

國(guó)內(nèi)晶圓廠商中芯、華虹等主要晶圓代工廠及士蘭微、華潤(rùn)微、聞泰、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等IDM廠商積極擴(kuò)產(chǎn)，12英寸邏輯擴(kuò)產(chǎn)主要 集中于28nm及以上的成熟制程，預(yù)計(jì)到2023年形成產(chǎn)能106.5萬(wàn)片/月，相較2020年產(chǎn)能提升270%。存儲(chǔ)國(guó)內(nèi)廠商也在積極擴(kuò) 產(chǎn)，3D NAND 計(jì)劃從2020年的5萬(wàn)片/月擴(kuò)產(chǎn)至2023年的27.5萬(wàn)片/月，DRAM從2020年的4萬(wàn)片/月擴(kuò)產(chǎn)至2023年的25萬(wàn)片/月， 但可能由于美國(guó)制裁升級(jí)而延宕。

趨勢(shì)：2023年行業(yè)將探底，汽車、工業(yè)等機(jī)會(huì)仍在

周期判斷：“硅周期”和經(jīng)濟(jì)周期疊加，2023年可能是底部

大周期：半導(dǎo)體技術(shù)作為經(jīng)濟(jì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的基石，正在為傳統(tǒng)行業(yè)賦能，此前的單一應(yīng)用，開(kāi)始走向多元化。但也會(huì)受到宏觀經(jīng)濟(jì)的景氣度的 影響。從全球來(lái)看，行業(yè)周期性表現(xiàn)的較為明顯，是硅周期和宏觀經(jīng)濟(jì)周期疊加的結(jié)果。1）“硅周期”：3-5年，產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用周期，歷次的 泡沫都是硅周期的體現(xiàn)，比如2000年IT泡沫、2016年的內(nèi)存泡沫……2）宏觀經(jīng)濟(jì)周期：2008年的金融危機(jī)，大幅下調(diào)；2019年以來(lái)的疫情影響 等；IMF最新數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)，2023年全球宏觀經(jīng)濟(jì)增速將觸底（2.7%），此后會(huì)逐步恢復(fù)，2024年之后回到3%以上。

周期位置：WSTS最新預(yù)計(jì)（8月底）顯示，2022年全球半導(dǎo)體行業(yè)增速將降至13.9%，2023年為4.6%；IC insights預(yù)計(jì)2022年行業(yè)增速將降至7%， 2023年可能將是0增長(zhǎng)，但此后將逐步恢復(fù)增長(zhǎng)。綜合判斷，2023年是行業(yè)底部的可能性非常大。

周期趨勢(shì)：支出趨弱且稼動(dòng)率降低，可能帶來(lái)供需格局改變

2024年，行業(yè)有望開(kāi)始恢復(fù)。重要的是全球半導(dǎo)體庫(kù)存周期的改變。主要原因來(lái)自兩個(gè)方面：1）資本支出的收縮，可能帶來(lái) 產(chǎn)能擴(kuò)張的降速，消費(fèi)電子等過(guò)剩領(lǐng)域的壓力在減緩。根據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2023年資本支出將下降，從目前走勢(shì)看，可能下 降幅度可能更高；2）代工廠、存儲(chǔ)廠將考慮減產(chǎn)，控制產(chǎn)能利用率，消化客戶端庫(kù)存，預(yù)計(jì)2024年行業(yè)庫(kù)存水平有機(jī)會(huì)回歸 正常。

周期需求：手機(jī)、PC將先后進(jìn)入出貨量回升通道

5G手機(jī)有望加快其他空口手機(jī)的替代：隨著量產(chǎn)的持續(xù)，5G手機(jī) 的價(jià)格會(huì)更快下降，市場(chǎng)接受度將持續(xù)提升，出貨量延續(xù)快速增長(zhǎng)， IDC預(yù)計(jì)2023年5G手機(jī)將正式超越其他類型的手機(jī)，此后將延續(xù)平 穩(wěn)增長(zhǎng)勢(shì)頭。

C也有望在2024年實(shí)現(xiàn)反彈：目前行業(yè)仍處在去庫(kù)存階段，個(gè)人和 教育市場(chǎng)也較為疲軟，下行的狀態(tài)可能會(huì)持續(xù)到2023年下半年。 2024年，對(duì)Win 7的更換將加快，處理器平臺(tái)性價(jià)比也會(huì)因?yàn)楦?jìng)爭(zhēng)加 劇而更有吸引力，出貨量可能實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng)。

博弈：中美半導(dǎo)體摩擦升級(jí)，設(shè)備等替代空間打開(kāi)

變遷：經(jīng)歷兩次轉(zhuǎn)移，美國(guó)依然保持著絕對(duì)領(lǐng)先的地位

60S-90S中期：日本曾經(jīng)輝煌。自身半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)力于消費(fèi)電子，比如收音機(jī)等，并開(kāi)始承接美國(guó)封測(cè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移；70年代伴隨著存儲(chǔ)器（DRAM） 的應(yīng)用擴(kuò)大，日本企業(yè)如NEC、東芝、日立、三菱、富士通等聯(lián)合啟動(dòng)研發(fā)，并在該方面的技術(shù)積累效果顯現(xiàn)，且相對(duì)于美國(guó)產(chǎn)品物美價(jià)廉， 80年代一度超過(guò)美國(guó)。

90S年代中期-：韓國(guó)的崛起。80年代開(kāi)始，美國(guó)對(duì)日本半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行限制，并開(kāi)始有意扶持競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手韓國(guó)，韓國(guó)三星在政府支持下持續(xù)逆勢(shì) 投資存儲(chǔ)器，市場(chǎng)份額開(kāi)始提升。同期，我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的騰飛，主要依托于行業(yè)的垂直分工帶來(lái)的代工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，臺(tái)灣地區(qū)通過(guò)官產(chǎn)學(xué)研結(jié) 合在該領(lǐng)域形成的強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，并延續(xù)至今。

2000年之后：消費(fèi)電子開(kāi)始興起，中國(guó)大陸政府對(duì)半導(dǎo)體重視力度提高，市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步提升，2021年增加值占比達(dá)到7%。

日本：成為美國(guó)打壓的戰(zhàn)利品，半導(dǎo)體行業(yè)式微

興起的因素：1）冷戰(zhàn)環(huán)境，美國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移；2）日本國(guó)家啟動(dòng)舉國(guó)體制支持；3）大型機(jī)對(duì)半導(dǎo)體，尤其是DRAM的質(zhì)量穩(wěn)定性的要求高，日 本質(zhì)量管理方面的優(yōu)勢(shì)開(kāi)始顯現(xiàn)，產(chǎn)品壽命長(zhǎng)、良率高。

衰敗的因素：1）個(gè)人PC時(shí)代的開(kāi)始，相比大型機(jī)，使用壽命和質(zhì)量要求大幅縮短，價(jià)格成本成為重要因素，日本的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)下降；2）美國(guó)對(duì) 日本半導(dǎo)體企業(yè)的持續(xù)高強(qiáng)度打擊；3）日本對(duì)代工產(chǎn)業(yè)的忽略，以及此后韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的崛起，對(duì)日本形成了較強(qiáng)的替代。

韓國(guó)：政府、企業(yè)合力，在夾縫中尋找到生存空間

外部因素：1）出口導(dǎo)向政策：扶持和保護(hù)本土半導(dǎo)體企業(yè)；2）政府持續(xù)出臺(tái)相關(guān)法案和政策措施予以保護(hù)和扶持，包括《電子工業(yè)振興法》、 《電子工業(yè)振興八年計(jì)劃（1969～1976年）》、《推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展六年計(jì)劃（1975～1981年）》、《半導(dǎo)體工業(yè)扶持計(jì)劃》、《半導(dǎo)體工 業(yè)振興計(jì)劃（1983～1987年）》、《超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開(kāi)發(fā)計(jì)劃（1986～1993年）》等；3）建立官產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟；4）美日半導(dǎo)體之爭(zhēng)， 給韓國(guó)創(chuàng)造了相對(duì)良好的環(huán)境，即使美韓后續(xù)也在半導(dǎo)體領(lǐng)域出現(xiàn)爭(zhēng)端，韓國(guó)政府也表現(xiàn)出了更強(qiáng)的主動(dòng)性，成為半導(dǎo)體市場(chǎng)上的重要力量。

內(nèi)部因素：龍頭企業(yè)如三星集團(tuán)的持續(xù)堅(jiān)持；成功的逆勢(shì)擴(kuò)張策略，在DRAM等領(lǐng)域擊垮大量競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并確立持續(xù)的領(lǐng)先地位。2021年三星 市場(chǎng)規(guī)模就處在全球第一位，SK海力士位居全球第三。

10.7升級(jí)版制裁：博弈還在持續(xù)，但“練好內(nèi)功”仍是首選項(xiàng)

與韓日不同，中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，也是全球最大的電子系統(tǒng)和終端制造國(guó)。中國(guó)在龐大的消費(fèi)能力和 OEM廠商支持著美國(guó)打造的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系，是美國(guó)半導(dǎo)體體系的重要環(huán)節(jié)。但是，“緊耦合”的中美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向 割裂之后，雙方都會(huì)受損。隨著中美在該領(lǐng)域博弈的加劇，雖然短期內(nèi)國(guó)內(nèi)一些廠商獲得“豁免”，連續(xù)經(jīng)營(yíng)可能不會(huì)受 到影響；但是從中長(zhǎng)期看，中長(zhǎng)期上升的空間被限制，需要我們?cè)诨A(chǔ)材料、設(shè)備、工藝和基礎(chǔ)件等領(lǐng)域做到自主可控。

“危中有機(jī)”：加大成熟產(chǎn)能和特色工藝布局，實(shí)現(xiàn)短鏈生產(chǎn)

由于在中國(guó)大陸建設(shè)和運(yùn)營(yíng)一座晶圓廠的成本優(yōu)勢(shì)非常明顯，加上美國(guó)此次限制政策以及國(guó)內(nèi)旺盛的市場(chǎng)需求，成熟制程和 特色工藝可以應(yīng)用于中小容量的存儲(chǔ)芯片、模擬芯片（含驅(qū)動(dòng)IC等）、MCU、電源管理芯片、模數(shù)混合芯片、CMOS 傳感器、 傳感器等，國(guó)內(nèi)增長(zhǎng)潛力大。從未來(lái)制造工藝節(jié)點(diǎn)變化情況來(lái)看，28nm以上的成熟節(jié)點(diǎn)需求增長(zhǎng)較快，預(yù)計(jì)占比將達(dá)到75% 以上，其中新增產(chǎn)能中有65%都是28nm以上的成熟制程。此外，第三代半導(dǎo)體如SiC、氮化鎵國(guó)內(nèi)發(fā)展也較為迅速。

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