（報(bào)告出品方：東方證券）

1. 回顧海外半導(dǎo)體設(shè)備龍頭廠商的發(fā)展之路

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)高度集中，海外龍頭企業(yè)處于壟斷地位。美國(guó)的半導(dǎo)體廠商主要有應(yīng)用材料、 泛林半導(dǎo)體和科磊，應(yīng)用材料是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商，產(chǎn)品覆蓋除光刻以外的半導(dǎo)體 前道工藝，占全球半導(dǎo)體設(shè)備的 21%；泛林半導(dǎo)體是全球第三的半導(dǎo)體設(shè)備廠商，按照“先專后 全”的路線，先專注于刻蝕設(shè)備的研發(fā)制造，逐步發(fā)展薄膜沉積、清洗以及檢測(cè)業(yè)務(wù)；科磊在半 導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域長(zhǎng)期占有 50%以上的市場(chǎng)份額，2021 年占全球半導(dǎo)體設(shè)備 8%。日本的半導(dǎo)體 廠商主要包括東京電子和迪恩士，東京電子的產(chǎn)品覆蓋非常全面，在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)占 15% 份額，迪恩士的清洗設(shè)備處于全球領(lǐng)先地位，在全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商中排名第六；荷蘭的半導(dǎo)體 廠商主要為阿斯麥，阿斯麥壟斷了全球的高端光刻機(jī)市場(chǎng)，在半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中占有 21%的份額。

ASML 是全球光刻機(jī)龍頭，占據(jù) 75%份額；LAM（泛林半導(dǎo)體）是全球刻蝕領(lǐng)域龍頭，占據(jù) 50% 份額； AMAT （ 應(yīng) 用 材 料 ） 是 薄 膜 沉 積 、 離 子 注 入 、 CMP 多 領(lǐng) 域 龍 頭 ， 分 別 占 據(jù) 85%(PVD)/30%(CVD)、50%、50%市場(chǎng)份額；DNS（迪恩士）是全球清洗機(jī)龍頭，占據(jù) 45%份 額；TEL 是全球涂膠顯影機(jī)、原子層沉積（ALD）龍頭，占據(jù) 87%、30%份額；KLA（科磊）是 全球檢測(cè)量測(cè)設(shè)備龍頭，占據(jù) 54%份額。

1.1 應(yīng)用材料：平臺(tái)型龍頭，外延并購(gòu)成就版圖

應(yīng)用材料成立于 1967 年，1992 年成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商，一直蟬聯(lián)至今。1970 財(cái) 年 AMAT主營(yíng)業(yè)務(wù)收入為 730 萬(wàn)美元，1972 年上市時(shí)為 630萬(wàn)美元，到 2021 財(cái)年（2020.10.26- 2021.10.31）主營(yíng)業(yè)務(wù)收入已達(dá) 231 億美元，比上市時(shí)增長(zhǎng) 3660 倍。

AMAT 長(zhǎng)期以來(lái)重視技術(shù)創(chuàng)新，保持高研發(fā)投入。公司歷年研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入比重平均在 15% 左右。

AMAT 不斷推出新品，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展步伐。AMAT1976 年推出第一臺(tái)商用等離子化學(xué)氣相沉積設(shè) 備，1987 年推出革命性的單晶圓多反應(yīng)腔平臺(tái) Precision 5000，分別于 1989 年和 1997 年成為全 球第一家推出 200mm 和 300mm 晶圓制造設(shè)備的企業(yè)；2005年發(fā)布 Centura Advant Edge系統(tǒng)， 采用了最先進(jìn)的硅片刻蝕技術(shù)；2006 年發(fā)布 Producer GT，是當(dāng)時(shí)最高效、投入產(chǎn)出比最高的 CVD 平臺(tái)。

外延擴(kuò)張，打造“半導(dǎo)體設(shè)備超市”。半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)門檻高、研發(fā)投入大且周期長(zhǎng)，此外客戶 驗(yàn)證復(fù)雜，通過(guò)收購(gòu)能夠快速集成技術(shù)，發(fā)展客戶，搶占市場(chǎng)。AMAT1997 年收購(gòu)兩家以色列公 司Opal Technologies（驗(yàn)證臨界尺寸的高速計(jì)量系統(tǒng)）和Orbot Instruments（成品率提高系統(tǒng)）， 開(kāi)啟了并購(gòu)之路。以后相繼通過(guò)并購(gòu)擴(kuò)展了公司的 CMP、晶圓檢測(cè)、清洗、薄膜沉積、離子注入等業(yè)務(wù)。同時(shí)公司積極拓展泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，2007 年收購(gòu) HCT，幫助太陽(yáng)能領(lǐng)域客戶降低制造光 伏電池的成本，擴(kuò)展了光伏電源領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。

緊抓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移機(jī)遇，進(jìn)行全球布局。早在 1971 年 AMAT 就開(kāi)始全球化布局的嘗試，在歐 洲設(shè)立了第一個(gè)海外辦事機(jī)構(gòu)。20 世紀(jì) 70 年代后期，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由美國(guó)向日本轉(zhuǎn)移，80 年代向 韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣轉(zhuǎn)移。AMAT 緊抓產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的機(jī)遇，在全球各地設(shè)立辦事處。進(jìn)入 21 世紀(jì)之后， 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到中國(guó)大陸，AMAT也在加強(qiáng)在大陸的布局。1984 年 AMAT就在北京設(shè)立了 技術(shù)服務(wù)中心，成為第一家進(jìn)入中國(guó)的外資半導(dǎo)體設(shè)備廠商。2001 年和 2007 年，分別在北京和 西安設(shè)立技術(shù)中心和全球開(kāi)發(fā)中心。

1.2 ASML：光刻龍頭，突破性技術(shù)變革助力崛起

ASML 是全球光刻機(jī)的領(lǐng)跑者，壟斷 EUV 光刻技術(shù)。ASML 成立于 1984 年，由電子巨頭飛利浦 和半導(dǎo)體設(shè)備制造商 ASMI 共同成立。如今 ASML 在全球光刻機(jī)領(lǐng)域處于絕對(duì)的霸主地位，占據(jù) 全球約 75%的光刻機(jī)市場(chǎng)，更是壟斷了全球 7nm 及以下工藝的 EUV 光刻機(jī)技術(shù)。2021 財(cái)年 （2021.1.1-2021.12.31）ASML 出貨 309 臺(tái)光刻機(jī)，主營(yíng)業(yè)務(wù)收入 186 億美元，同比增長(zhǎng) 33%。

革命性技術(shù)突破成就 ASML 的霸主地位。ASML 一直重視研發(fā)創(chuàng)新，2021 年研發(fā)投入 25 億美元， 占主營(yíng)的 14%。ASML 成立以來(lái)，四項(xiàng)技術(shù)突破幫助其成為光刻龍頭企業(yè)。1991 年，推出突破性 平臺(tái) PAS5500，憑借其領(lǐng)先的生產(chǎn)力和分辨率，奠定了客戶基礎(chǔ)。2001 年，推出 TWINSCAN 系 統(tǒng)及其雙平臺(tái)技術(shù)，最大限度地提高了系統(tǒng)地生產(chǎn)力和準(zhǔn)確性。緊接著，ASML 于 2003 年推出第 一臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)器，這一技術(shù)成為此后 65、45 和 32nm 制程的主流，推動(dòng)摩爾定律往前躍進(jìn)了三 代。2010 年，ASML 運(yùn)送了第一臺(tái) EUV 光刻原型機(jī)，成為全球唯一使用極紫外光的光刻機(jī)制造 商，開(kāi)啟了光刻機(jī)的新時(shí)代。

ASML 重要轉(zhuǎn)折之一：開(kāi)發(fā)浸沒(méi)式光刻技術(shù)。ASML 最大的彎道超車，發(fā)生在 193nm 制程到 157nm 制程的升級(jí)過(guò)程，當(dāng)時(shí)業(yè)內(nèi)大部分企業(yè)選擇在原有技術(shù)路徑上改進(jìn)，比如尼康、佳能都選 擇研發(fā) 157nm 波長(zhǎng)的光源。這時(shí)，臺(tái)積電科學(xué)家林本堅(jiān)提出，利用水的折射，使進(jìn)入光阻的波長(zhǎng) 縮小到 134nm，由于浸沒(méi)式光刻技術(shù)研發(fā)難度大，且需要推翻原有設(shè)計(jì)重新開(kāi)始研發(fā)，只有 ASML 愿意選擇浸沒(méi)式光刻技術(shù)，2003 年，ASML 和臺(tái)積電合作研發(fā)出首臺(tái)浸沒(méi)式光刻設(shè)備， 2004 年尼康才終于宣布 157nm 的干式光刻機(jī)產(chǎn)品樣機(jī)出爐，此后，ASML 快速占領(lǐng)光刻機(jī)市場(chǎng) 份額。

ASML 重要轉(zhuǎn)折之二：率先研發(fā)出 EUV 光刻機(jī)。1997 年，英特爾和美國(guó)能源部牽頭組建 EUV LLC 前沿技術(shù)組織，論證 EUV 技術(shù)的可行性，成員主要包括英特爾、摩托羅拉、AMD 以及美國(guó) 能源部 (DOE) 的勞倫斯·利弗莫爾、桑迪亞和伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室。ASML 以出資在美國(guó)建工廠和 研發(fā)中心，并保證 55%的原材料都從美國(guó)采購(gòu)的條件，擠進(jìn) EUV LLC，而尼康、佳能卻被排除在 外。EUV LLC 的研究成果大大加快了 ASML 的 EUV 研發(fā)速度，成為目前唯一掌握 EUV 光刻機(jī)技 術(shù)的廠商。

戰(zhàn)略并購(gòu)和開(kāi)放式創(chuàng)新平臺(tái)助力 ASML 技術(shù)創(chuàng)新。ASML 通過(guò)戰(zhàn)略并購(gòu)快速占領(lǐng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，收購(gòu) MicroUnity 的 Mask Tool 部門（光學(xué)臨近矯正技術(shù)）、Brion Technologies（計(jì)算光刻技術(shù)）、 HMI（電子束檢測(cè)）、Mapper（電子束光刻）和 SVG（微激光系統(tǒng)）。此外，ASML 還于上下游 廠商、研究機(jī)構(gòu)、同業(yè)合作伙伴搭建了開(kāi)放式創(chuàng)新平臺(tái)，相互推動(dòng)創(chuàng)新，并提供對(duì)各種技術(shù)的大 型前沿知識(shí)庫(kù)的訪問(wèn)。

推出整體光刻系統(tǒng)，集成工藝，共同優(yōu)化性能。半導(dǎo)體行業(yè)受到縮小制造成本和提高設(shè)備性能的 推動(dòng)。然而，隨著半導(dǎo)體特征尺寸的縮小，工藝窗口（生產(chǎn)可行芯片所需的精度公差）也在縮小， 對(duì)套刻精度和臨界尺寸均勻性 (CDU) 等參數(shù)提出了嚴(yán)格的要求。2009 年 ASML 推出整體光刻系 統(tǒng)，集成了計(jì)算光刻技術(shù)、晶圓光刻技術(shù)和工藝控制，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)化生產(chǎn)精度公差、提高良率、 降低客戶時(shí)間成本。

ASML 通過(guò)收購(gòu)布局上游，提出客戶聯(lián)合投資計(jì)劃攜手下游，打造上下游利益共同體。ASML 通 過(guò)收購(gòu) Cymer、berliner glas、Wijdeven Motion 以及蔡司半導(dǎo)體 24.9%的股份，布局上游零部件， 包括紫外光源、光學(xué)組件、電機(jī)和光學(xué)鏡頭組。2012 年，ASML 提出“客戶聯(lián)合投資計(jì)劃”，與 客戶建立密切關(guān)系，共同承擔(dān)研發(fā)費(fèi)用，為入股客戶提供優(yōu)先供貨權(quán)，從而構(gòu)成了龐大的利益共 同體。

1.3 泛林半導(dǎo)體：深耕刻蝕，合并諾發(fā)助力平臺(tái)化

LAM 立足刻蝕設(shè)備，逐漸向工藝前端和后端擴(kuò)展業(yè)務(wù)。泛林集團(tuán)成立于 1980 年，是全球領(lǐng)先的 綜合性半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)。泛林半導(dǎo)體成立第二年便推出了第一款刻蝕設(shè)備 AutoEtch。LAM 在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域市場(chǎng)份額最大，占據(jù) 47%的市場(chǎng)份額，公司立足刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，逐步向前端薄膜沉 積和后端清洗設(shè)備延伸，通過(guò)并購(gòu)不斷提升競(jìng)爭(zhēng)能力，構(gòu)建技術(shù)壁壘和擴(kuò)充產(chǎn)品線。泛林半導(dǎo)體 2021 財(cái)年（2020.6.29-2021.6.27）的主營(yíng)業(yè)務(wù)收入達(dá)到 146 億美元，同比增長(zhǎng) 46%。

LAM 專注于刻蝕設(shè)備，不斷進(jìn)行技術(shù)升級(jí)。1981-1982 年，LAM 推出了支持 1.5μm 制程的刻蝕 設(shè)備 AutoEtch，1989 年開(kāi)發(fā)了支持 0.8 微米制程的刻蝕設(shè)備。1992 年推出業(yè)內(nèi)首款 ICP 刻蝕設(shè) 備，開(kāi)始引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。LAM 首創(chuàng) ALE 技術(shù)，在 2014 年推出 ALE 刻蝕設(shè)備 FLEX 系列和 KIYO 系列。ALE 技術(shù)憑借其在原子層級(jí)別的可變控制性和能實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最高生產(chǎn)率和選擇比而有望成為 新一代刻蝕設(shè)備的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。

LAM 通過(guò)并購(gòu)擴(kuò)充產(chǎn)品線。早在 1997 年，泛林就通過(guò)收購(gòu) CMP 清洗領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者 On Trak Systems，彌補(bǔ)在清潔領(lǐng)域產(chǎn)品鏈的不足。2012 年，LAM 兼并收購(gòu)了諾發(fā)，其刻蝕和單晶圓清洗設(shè)備方面的領(lǐng)先地位與諾發(fā)的薄膜沉積技術(shù)互補(bǔ)，合并后 LAM 不僅能夠擁有更廣泛的市場(chǎng)，而且 有助于公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)加強(qiáng)相鄰工藝之間的的集成，未來(lái)有望開(kāi)發(fā)“集簇”設(shè)備，以提高工藝效率、 降低成本，提升設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力。

技術(shù)變革驅(qū)動(dòng)泛林業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。隨著芯片制程不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu) 3D 化發(fā)展，相關(guān)設(shè)備的加工步 驟增多，刻蝕和薄膜沉積設(shè)備成為占比最高的設(shè)備。LAM 2012 年起主營(yíng)業(yè)務(wù)收入呈現(xiàn)快速增長(zhǎng) 的態(tài)勢(shì)，除收購(gòu)諾發(fā)的因素之外，另一個(gè)關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力是 2014 年 3D NAND 的量產(chǎn)和多重曝光技術(shù) 的應(yīng)用，3D NAND 層數(shù)的增加將持續(xù)增加對(duì)刻蝕技術(shù)的依賴，多重曝光技術(shù)則是增加了刻蝕工藝 密度，因此對(duì)刻蝕設(shè)備的需求大幅增長(zhǎng)，拉動(dòng)刻蝕設(shè)備龍頭 LAM 營(yíng)收增長(zhǎng)。

1.4 東京電子：緊抓產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移機(jī)遇，受益政府扶持

東京電子是日本第一的半導(dǎo)體設(shè)備廠商。東京電子成立于 1963 年，是日本最大的半導(dǎo)體設(shè)備制 造商，也是全球第四大半導(dǎo)體供應(yīng)商。東京電子成立之初主要從事汽車收音機(jī)的出口和半導(dǎo)體設(shè) 備的進(jìn)口業(yè)務(wù)，1975 年開(kāi)始專注于半導(dǎo)體設(shè)備制造，1989 年成為全球營(yíng)收額第一的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，并且連續(xù)三年蟬聯(lián)。之后東京電子開(kāi)始向全球擴(kuò)展業(yè)務(wù)，并加強(qiáng)研發(fā)，一直至今，東京 電子仍然是第一梯隊(duì)的半導(dǎo)體設(shè)備制造商。2022 財(cái)年（2021.4.1-2022.3.31），東京電子營(yíng)收 178 億美元，同比增長(zhǎng) 35%。

東京電子積極響應(yīng)日本經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型以及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，領(lǐng)跑日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)。東京電子 成立之初是一家技術(shù)貿(mào)易公司，主要從事汽車收音機(jī)的出口和半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口業(yè)務(wù)，1963 年在 日本產(chǎn)業(yè)構(gòu)造調(diào)查會(huì)議上，日本政府著手制定旨在將本國(guó)高新技術(shù)發(fā)展由“攝取型發(fā)展”轉(zhuǎn)變?yōu)?“自主創(chuàng)新型發(fā)展”的長(zhǎng)期規(guī)劃，倡導(dǎo)由技術(shù)引進(jìn)向自主創(chuàng)新的轉(zhuǎn)型，東京電子便于 1968年成為 了日本第一家半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商。1973 年，受石油危機(jī)影響，日本政府提出要重點(diǎn)扶持研究開(kāi)發(fā)密集產(chǎn)業(yè)，恰逢尼克松沖擊導(dǎo)致日元升值，出口業(yè)務(wù)受到?jīng)_擊，東京電子于1975年果斷退出消 費(fèi)電子出口，專注半導(dǎo)體設(shè)備制造。隨后日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)興起，東京電子從美國(guó)引進(jìn)技術(shù)，一躍 成為全球第一的半導(dǎo)體設(shè)備制造商。隨著日本半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的下滑，東京電子開(kāi)始將業(yè)務(wù)向全球擴(kuò) 展，并拓展到 FPD 領(lǐng)域。近年，隨著大數(shù)據(jù)、新能源車的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，東京電子 加大創(chuàng)新研發(fā)，迎來(lái)新發(fā)展。

東京電子為什么能成為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備廠商？

（1）東京電子發(fā)展于日本半導(dǎo)體行業(yè)的黃金時(shí)期。19 世紀(jì) 70 年代末，美日幾乎同時(shí)推出 64K DRAM，迅速向全球市場(chǎng)滲透，1984-1985 年，日本企業(yè)展開(kāi)價(jià)格圍剿，進(jìn)一步占領(lǐng)市場(chǎng)。半導(dǎo) 體設(shè)備市場(chǎng)依賴于半導(dǎo)體制造廠商對(duì)設(shè)備的投資，此外，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的有意引導(dǎo)下， 以 DRAM 作為商業(yè)契機(jī)，推動(dòng)本土半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備與生產(chǎn)材料快速發(fā)展，與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同步，日 本半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大，發(fā)展迅速。

（2）引進(jìn)先進(jìn)技術(shù)。東京電子通過(guò)合資公司的形式從美國(guó)引進(jìn)先進(jìn)的技術(shù)，并與自身的制造技 術(shù)融為一體，1982 年成立 TEL-Varian Ltd.在日本開(kāi)始生產(chǎn)離子注入機(jī)，1983 年與 LAM 成立合資 公司，在日本生產(chǎn)刻蝕設(shè)備。 （3）立足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，開(kāi)拓海外市場(chǎng)。盡管東京電子 1986 年便開(kāi)始出口業(yè)務(wù)，但是起初出口業(yè)務(wù) 份額并不大，專注于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。20 世紀(jì) 90 年代是東京電子布局海外的關(guān)鍵時(shí)期，1993 年是東京 電子邁向海外的重要一步，東京電子開(kāi)始布局在韓國(guó)的業(yè)務(wù)，1994 年開(kāi)始在歐美構(gòu)建銷售與服務(wù) 網(wǎng)絡(luò)，在 1994 年之前，東京電子面向國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的銷售占比超過(guò) 80%，但在 1998 年，東京電子海 外銷售首次超過(guò)國(guó)內(nèi)銷售，2000 年海外銷售突破 70%。

1.5 科磊：檢測(cè)設(shè)備先行者，保持技術(shù)代際優(yōu)勢(shì)

科磊為半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的引領(lǐng)者，先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯。科磊成立于 1975 年，芯片行業(yè)的起步階段， 當(dāng)時(shí)所制造的半導(dǎo)體良率只有不到 50%，隨著芯片層數(shù)的增加，良率甚至不到 10%，缺陷檢測(cè)問(wèn) 題也隨之升級(jí)，KLA 第一個(gè)產(chǎn)品掩膜檢測(cè)設(shè)備，將光掩膜檢測(cè)所需時(shí)間從 8 小時(shí)減少到 15分鐘， 并且可以做到更全面的檢測(cè)，迅速被半導(dǎo)體行業(yè)接受，隨后投入大量資金研發(fā)，不斷推出新產(chǎn)品。 KLA-Tencor 合并后開(kāi)始大舉收購(gòu)，擴(kuò)展產(chǎn)品組合，市場(chǎng)份額迅速進(jìn)一步擴(kuò)大， 2021 財(cái)年 （2020.7.1-2021.6.30）KLA 主營(yíng)業(yè)務(wù)收入 69 億美元，同比增長(zhǎng) 19%。

KLA1975 年推出開(kāi)創(chuàng)性的掩模檢測(cè)工具迎來(lái)了半導(dǎo)體工藝控制的曙光，如今運(yùn)用寬帶等離子技術(shù) 檢測(cè)缺陷，KLA 一直保持技術(shù)的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，推出一系列最先進(jìn)入市場(chǎng)的設(shè)備。從產(chǎn)品迭代來(lái)看， KLA 每年以競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手兩倍的速度向市場(chǎng)新推出的新產(chǎn)品，且產(chǎn)品領(lǐng)先市場(chǎng)兩代，在其服務(wù)的10個(gè) 下游領(lǐng)域中，8 個(gè)領(lǐng)域的市占率第一。主要是由于 KLA 重視研發(fā)：

（1）高研發(fā)投入：研發(fā)投入占比基本維持在 15%以上，高于行業(yè)其他企業(yè)。

（2）不斷提高下一代產(chǎn)品的研發(fā)投入：2021 年 KLA 用于下一代技術(shù)的研發(fā)占總研發(fā)投入的 82%。

（3）與客戶合作研發(fā)：KLA 作為檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，擁有強(qiáng)大的客戶基礎(chǔ)，通過(guò)與客戶 合作研發(fā)，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

外延并購(gòu)吸收先進(jìn)技術(shù)。1997 年，KLA 和 Tencor 合并，KLA 提供高端自動(dòng)化光學(xué)晶圓檢測(cè)、光 罩檢測(cè)等設(shè)備，而 Tencor 更專注于薄膜量測(cè)，此次合并為半導(dǎo)體制造商提供了完整的良率管理產(chǎn) 品和服務(wù)系列。此后，KLA-Tencor 開(kāi)始了大舉收購(gòu)，通過(guò)戰(zhàn)略收購(gòu)的方式獲得先進(jìn)技術(shù)，拓展公 司的產(chǎn)品系列。2019 年，KLA 收購(gòu) Orbotech，切入 PCB 檢測(cè)、面板檢測(cè)和特殊半導(dǎo)體檢測(cè)，與 過(guò)程控制形成四大業(yè)務(wù)板塊。

KLA 擁有豐富的產(chǎn)品系列。一方面由于 KLA 在研發(fā)上的高投入，另一方面 KLA 通過(guò)外延并購(gòu)不 斷吸收先進(jìn)技術(shù)，拓寬產(chǎn)品線，KLA 產(chǎn)品可以運(yùn)用到多種半導(dǎo)體元件的制造及封裝，并且覆蓋半 導(dǎo)體制造的全產(chǎn)業(yè)鏈。

KLA 近十年內(nèi)在過(guò)程控制領(lǐng)域的市場(chǎng)份額保持在 50%左右，是第二名的 4 倍，檢測(cè)/量測(cè)設(shè)備市場(chǎng) 為什么難以切入？ （1）檢測(cè)/量測(cè)設(shè)備開(kāi)發(fā)難度大、技術(shù)壁壘高。首先檢測(cè)設(shè)備的技術(shù)跨越電子束、X 射線衍射、 激光照明以及高性能計(jì)算等領(lǐng)域；其次半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備需要運(yùn)用光學(xué)、電學(xué)原理進(jìn)行納米級(jí)精密 程度以及 3D 維度上的檢測(cè)及量測(cè)。

（2）檢測(cè)設(shè)備定制化及差異化程度高。半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的檢測(cè)對(duì)象為定制化芯片，不同制程的 芯片對(duì)參數(shù)的要求往往是不同的。芯片制造中不同工藝過(guò)程中需要運(yùn)用的檢測(cè)設(shè)備也有所不同， 比如電子束檢測(cè)可以運(yùn)用在拋光、刻蝕等工藝，而掩模版檢測(cè)則適用于曝光工藝。除此之外，晶 圓制造過(guò)程當(dāng)中還需要對(duì)不同的參數(shù)如電阻、膜厚、膜應(yīng)力等進(jìn)行量測(cè)，晶圓加工之后還需要檢 查芯片性能是否符合要求。

（3）設(shè)備使用壽命長(zhǎng)。一方面，半導(dǎo)體設(shè)備的長(zhǎng)使用壽命強(qiáng)化先發(fā)優(yōu)勢(shì)，加強(qiáng)與客戶的長(zhǎng)期綁 定關(guān)系；另一方面，服務(wù)類收入受益于長(zhǎng)使用壽命將不斷增加，且受行業(yè)周期波動(dòng)影響小。KLA 超過(guò) 50%設(shè)備使用壽命達(dá) 18 年，平均使用壽命為 12 年，服務(wù)收入呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，為全行業(yè)純服 務(wù)收入占比最高的企業(yè)。

1.6 迪恩士：清洗設(shè)備龍頭，面臨競(jìng)爭(zhēng)壓力

迪恩士是全球清洗設(shè)備龍頭廠商。迪恩士成立于 1943 年，于 1975 年導(dǎo)入半導(dǎo)體設(shè)備制造，受益 于日本 1980s 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的騰飛，在半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域迅速發(fā)展，并于 1983 年成功開(kāi)發(fā)了世 界上第一臺(tái)旋轉(zhuǎn)晶片清洗系統(tǒng)。迪恩士清洗設(shè)備產(chǎn)品覆蓋全面，引領(lǐng)著先進(jìn)的清洗設(shè)備技術(shù)，連 續(xù)多年在單片清洗設(shè)備、批量清洗設(shè)備以及旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)世界第一。迪恩士主營(yíng)業(yè)務(wù)收 入呈波動(dòng)向上的趨勢(shì)，主要系全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響。2022財(cái)年（2021.4.1-2022.3.31） DNS主營(yíng) 業(yè)務(wù)收入 4119 億日元，同比增長(zhǎng) 29%。

迪恩士在單片清洗設(shè)備領(lǐng)域的市場(chǎng)份額逐漸降低，國(guó)產(chǎn)設(shè)備有望切入市場(chǎng)。迪恩士是一家聚焦于 清洗設(shè)備的企業(yè)，清洗設(shè)備占其半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)的 95%以上，單片清洗機(jī)占 70%，聚焦單一領(lǐng)域 給公司帶來(lái)了絕對(duì)的市場(chǎng)占有率，2009 年迪恩士在全球單片清洗設(shè)備的市場(chǎng)份額高達(dá) 70%，但 2021 年單片清洗設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力呈現(xiàn)下降的趨勢(shì)，占比 38%，主要由于： （1）清洗設(shè)備參與到芯片制造的各個(gè)環(huán)節(jié)，新進(jìn)入者切入難度相對(duì)較低。

（2）迪恩士韓國(guó)市場(chǎng)開(kāi)拓阻力大。迪恩士 2004年開(kāi)始拓展韓國(guó)市場(chǎng)，明顯晚于 TEL（1993年）、 LAM （1989 年）等同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)，錯(cuò)失了開(kāi)拓韓國(guó)市場(chǎng)的先機(jī)；此外，韓國(guó)本土設(shè)備廠商 SEMES（三星旗下子公司）在清洗設(shè)備方面亦具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，2020 年 SEMES 單片清洗設(shè)備 占全球 14%的份額，排名第三，給迪恩士開(kāi)拓韓國(guó)市場(chǎng)帶來(lái)了阻力。

2. 國(guó)內(nèi)外差距快速縮小，政策大力支持有望進(jìn)一步加 速成長(zhǎng)進(jìn)程

2.1 堅(jiān)定高研發(fā)投入，與海外廠商技術(shù)差距快速縮小

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商堅(jiān)定高研發(fā)投入，成長(zhǎng)動(dòng)能足。國(guó)外龍頭設(shè)備廠商一直保持著高研發(fā)投入， 2021 年 AMAT 和 ASML 的研發(fā)投入約 25 億美元，從研發(fā)投入的絕對(duì)值來(lái)看，國(guó)內(nèi)廠商雖然不及 國(guó)外龍頭企業(yè)，北方華創(chuàng)的研發(fā)投入在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位，2021 年研發(fā)投入 29 億元；但是從研 發(fā)投入占比例來(lái)看，國(guó)內(nèi)廠商非常重視研發(fā)投入，高于國(guó)外龍頭，基本在 15%以上。

持續(xù)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，與海外廠商差距快速縮小。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商已實(shí)現(xiàn) 28nm 制程以上工藝 技術(shù)覆蓋，還有部分廠商技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，比如中微公司的 CCP 刻蝕設(shè)備已經(jīng)可以覆蓋 5nm 以下的邏輯芯片以及 128 層 3D NAND 產(chǎn)線；北京屹唐干法去膠設(shè)備可用于 90nm 到 5nm 邏 輯芯片、1y 到 2x 納米系列 DRAM 芯片以及 32 層到 128 層 3D 閃存芯片制造中；盛美上海全球首 創(chuàng) SAPS、TEBO 兆聲波清洗技術(shù)和 Tahoe 單片槽式組合清洗技術(shù)，SAPS 清洗設(shè)備取得海力士 的重復(fù)訂單；拓荊科技的 PECVD 也已開(kāi)展 10nm 及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。

2.2 多渠道提升技術(shù)實(shí)力，供應(yīng)鏈安全保障能力大幅提升

多渠道吸收前沿技術(shù)，拓展業(yè)務(wù)布局。由于半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)門檻高，研發(fā)投入和風(fēng)險(xiǎn)相對(duì)比較大， 通過(guò)外延的方式可以幫助企業(yè)迅速切入市場(chǎng)，掌握核心技術(shù)。比如隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展到 0.35μm， CMP 設(shè)備的需求量快速增長(zhǎng)，泛林于 1997 年收購(gòu) On Trak 迅速切入 CMP 市場(chǎng)；ASML 1999 年 收購(gòu) MicroUnity 的 Mask Tools 部門，迅速掌握先進(jìn)的光學(xué)鄰近矯正技術(shù)，進(jìn)一步提高瞄準(zhǔn)精度。 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備也在積極嘗試通過(guò)外延方式進(jìn)行布局，精測(cè)電子通過(guò)與韓國(guó) ATE 龍頭 IT&T 合作， 設(shè)立合資公司，利用 IT&T強(qiáng)勁的研發(fā)實(shí)力快速布局半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域；中微公司則通過(guò)投資睿勵(lì)儀 器和拓荊科技進(jìn)行檢測(cè)設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的布局。

設(shè)備廠商積極布局上游零部件，供應(yīng)鏈安全保障能力大幅提升。萬(wàn)業(yè)收購(gòu) Compart Systems（高 精度流量控制產(chǎn)品和技術(shù)的全球戰(zhàn)略供應(yīng)商），布局上游零部件，完善集成電路裝備產(chǎn)業(yè)工藝鏈， 確保供應(yīng)鏈的安全，并且有利于實(shí)現(xiàn)上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)。北方華創(chuàng)收購(gòu)北廣科技射頻應(yīng)用技術(shù) 相關(guān)資產(chǎn)，射頻應(yīng)用技術(shù)是半導(dǎo)體裝備產(chǎn)品的核心技術(shù)之一，此次資產(chǎn)整合有利于提高北方華創(chuàng) 微電子射頻應(yīng)用技術(shù)水平，可增強(qiáng)公司半導(dǎo)體裝備產(chǎn)品技術(shù)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用能力。

2.3 迎產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移歷史機(jī)遇，國(guó)內(nèi)政策強(qiáng)力支持

隨著終端需求的不斷變化，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。半導(dǎo)體的需求模式對(duì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了重要作 用，能否適應(yīng)、開(kāi)發(fā)和引導(dǎo)新產(chǎn)業(yè)的需求模式是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的重要因素。半導(dǎo)體起源于美國(guó)， 美國(guó)政府軍事需求是拉動(dòng)美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)初期發(fā)展的關(guān)鍵力量，1959-1960 年，美國(guó)政府采購(gòu)占半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷量的 45-48%。進(jìn)入 20 世紀(jì) 70 年代以后，日本鼓勵(lì)民營(yíng)企業(yè)研發(fā)電子技術(shù)，日本民 用電子得到了飛速發(fā)展，而美國(guó)依舊注重軍工產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)，為日本占領(lǐng)半導(dǎo)體市場(chǎng)提供了機(jī) 遇，之后隨著日本 64K DRAM 研發(fā)成功，以及日本企業(yè)價(jià)格圍剿，1980s 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到日本。 隨著 20 世紀(jì) 90 年代 PC 的普及，韓國(guó)先于美日企業(yè)推出 256M DRAM，中國(guó)臺(tái)灣開(kāi)辟代工廠模 式，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣。目前中國(guó)大陸正處于新一代智能手機(jī)、新能源汽車等行業(yè) 快速崛起的進(jìn)程中，已成為全球最重要的半導(dǎo)體應(yīng)用和消費(fèi)市場(chǎng)之一。

中國(guó)大陸緊抓智能手機(jī)和電動(dòng)汽車兩次發(fā)展機(jī)遇，半導(dǎo)體需求可能進(jìn)一步擴(kuò)大。21 世紀(jì)以來(lái)，中 國(guó)逐漸成為全球最大電子信息產(chǎn)品制造基地。同時(shí)，全球新能源車正處于快速發(fā)展階段，中國(guó)是 全球最大的新能源汽車消費(fèi)市場(chǎng)和生產(chǎn)國(guó)。2021 年，我國(guó)新能源汽車銷售額占全球新能源汽車銷 售額的 51％，新能源汽車產(chǎn)量 354.5 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 160%。

國(guó)內(nèi)政策強(qiáng)力支持疊加舉國(guó)體制持續(xù)推進(jìn)，國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商有望加速成長(zhǎng)。回看日本半導(dǎo)體發(fā)展的 歷史，我們認(rèn)為國(guó)內(nèi)目前半導(dǎo)體行業(yè)狀況與日本有很多相似之處，首先電子產(chǎn)業(yè)都成為經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型 的重點(diǎn)領(lǐng)域，日本政府 1971 年提出重點(diǎn)扶持研究密集產(chǎn)業(yè)，支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，1976 年開(kāi) 始設(shè)立超大規(guī)模集成電路的共同組合技術(shù)創(chuàng)新行動(dòng)項(xiàng)目（VLSI），籌資 720 億日元打造 DRAM集 成電路產(chǎn)業(yè)群，而目前國(guó)內(nèi)業(yè)不斷出臺(tái)政策扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國(guó)家大基金大力支持半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。其次，都處于產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的風(fēng)口，19 世紀(jì) 70 年代，日本大力支持民用電子的發(fā)展， 促進(jìn)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向日本的轉(zhuǎn)移，目前中國(guó)是最大的智能手機(jī)生產(chǎn)和消費(fèi)基地，新能源汽車發(fā)展 也非常強(qiáng)勢(shì)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移向中國(guó)大陸。東京電子在日本半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的黃金時(shí)期專 注半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展，曾占據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額第一的寶座。目前國(guó)內(nèi)也迎來(lái)上游設(shè)備等配套環(huán) 節(jié)的發(fā)展機(jī)遇，有望誕生世界級(jí)的半導(dǎo)體設(shè)備廠商。

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