（報告出品方/作者：華西證券，劉澤晶）

板塊深度調整具備配置價值，中報業(yè)績持續(xù)高速增長

2023年板塊超額收益明顯，前道環(huán)節(jié)表現優(yōu)于后道封裝

截止2023年9月28日，半導體設備（長江）年初以來累計漲幅19.14%，具有明顯超額收益，復盤2023年半導體設備板塊行情走 勢，大致經歷三個階段。1）2023.2-2023.4，日本和荷蘭半導體制裁官宣，本土晶圓廠擴產預期上修，以及先進制程擴產預期落地 ，板塊迎來明顯上漲。2）2023.5-2023.7，以AI為代表的科技股調整，市場對美國后續(xù)制裁升級擔憂，板塊出現深度調整。 3） 2023.8-至今，華為Mate 60 Pro手機回歸，疊加ASML2000i以及后續(xù)光刻機獲得出口許可等利好，帶動板塊迎來較為明顯反彈。

就不同環(huán)節(jié)2023年初至今股價漲幅表現看，前道設備優(yōu)于后道測試設備：主要系后道封裝行業(yè)景氣度較差，持續(xù)承壓，前道受益 于晶圓廠逆周期擴張且國產替代邏輯，前道設備環(huán)節(jié)國產化率較低的量/檢測、薄膜沉積環(huán)節(jié)漲幅靠前，測試機龍頭年初至今甚至出 現下跌。

營收端持續(xù)兌現快速增長，利潤端實現翻倍增長

利潤端： 2023H1 十四家半導體設備企業(yè)合計實現歸母凈利潤44.57億元，同比+79.55%，歸母凈利潤增速顯著高于營收入端增 速，除了部分公司投資收益等影響，規(guī)模效應對板塊盈利水平提升起到積極作用。

規(guī)模效應下費用率出現下滑，凈利率提升明顯

2023H1十四家半導體設備企業(yè)銷售凈利率21.64%，同比+4.33pct，盈利水平提升明顯： 1）毛利端， 2023H1十四家半導體設 備企業(yè)毛利率45.06%，同比-2.24pct，同比出現一定下滑，其中最主要的原因系半導體設備龍頭北方華創(chuàng)高毛利電子元器件收入占 比下降所致，此外封測行業(yè)景氣度承壓，相關公司毛利率出現下滑。 2）費用端， 2023H1十四家半導體設備企業(yè)期間費用率為 27.86%，同比-1.88pct，主要系規(guī)模效應，費用率下降對盈利水平提升起到積極作用，此外報告期內部分半導體設備公司投資收益 大幅增長，對凈利率也起到正向作用。

美、荷、日制裁塵埃落地，國產替代邏輯持續(xù)強化

美國：制裁升級至先進制程，后續(xù)制裁或好于市場擔憂

2022年10月7日，美國對向中國半導體制裁升級，主要針對先進制程芯片制造設備，對128層及以上3D NAND芯片、18nm半間 距及以下DRAM內存芯片、16nm或14nm或以下非平面晶體管結構（即FinFET或GAAFET）邏輯芯片相關設備進一步管控。此外在 沒有獲得美國政府許可的情況下，美國國籍公民禁止在中國從事芯片開發(fā)或制造工作。

擔心持續(xù)的制裁升級，是板塊出現調整的重要因素，此前市場擔心美國或將在今年夏天通過進一步限制芯片制造設備的銷售，但最 終并未落地。近期華為Mate 60 系列手機上市，引起市場強烈反響，加劇了市場對美國加大制裁管控的擔憂。參考2018年以來美國 對華半導體制裁，步步為營，半導體是中美重要的博弈，我們預計后續(xù)制裁倘若升級，大概率不會一步到位，有望好于市場擔憂。

日本：全球半導體設備重要構成，眾多細分領域全球領 先

日本在涂膠顯影、清洗領域具備全球主導地位，并在薄膜沉積、刻蝕 等領域全球領先。日本半導體設備產業(yè)已涌現出TEL、DNS、Hitachi等 全球龍頭，其中TEL為世界第三大半導體設備廠商，業(yè)務涵蓋涂膠顯影 、CVD、ALD、刻蝕、清洗等，尤其在涂膠顯影設備領域占據主導地位 ，我們預計全球市場份額近90%。此外，清洗設備也是日本半導體設備 優(yōu)勢領域，2019年DNS和TEL兩家合計全球占比達到77%。

日本：中國大陸進口金額加速增長，制裁短期影響不大

隨著日本出口芯片設備的禁令于7月23日正式生效臨近，中國大陸進口日本半導體設備金額呈明顯增長態(tài)勢：2023年6月和7月進 口金額分別為5.50億美元、8.23億美元，分別同比+16.96%、+64.80%，提升明顯，7月更是創(chuàng)造了中國進口日本半導體設備金額單 月新高。2023年1-7月中國大陸累計進口日本半導體設備金額達到37.98億美元，同比+10.80%，在全球行業(yè)下行的背景下仍實現了 穩(wěn)步增長。

進一步分析，CVD、干法刻蝕設備、熱處理、光刻機等日本有一定優(yōu)勢的半導體設備細分環(huán)節(jié)，其中 CVD、干法刻蝕設備、光刻 機中國大陸7月進口金額提升明顯，熱處理設備同比持續(xù)下降，我們判斷主要與北方華創(chuàng)本土企業(yè)實現進口替代有一定關系。我們認 為在日本出口管制生效前，中國大陸加速拉貨，短期看日本制裁生效對國內晶圓廠擴產影響不大，中長期看本土設備突破以及國產替 代的進度。

荷蘭：出口管制生效，2000i以及后續(xù)型號短期獲得許可

2023年3月8日，荷蘭政府以“國家安全”為由，宣布將對包括“最先進的”深紫外光刻機（DUV）在內的特定半導體制造 設備實施新的出口管制，并加入美國對華芯片出口管制的陣營。

2023年6月30日，荷蘭政府公布了有關半導體設備出口管制的新規(guī)定，新的出口管制側重于先進的芯片制造技術，包括最先 進的沉積和浸沒光刻系統，將于2023年9月1日生效，體現在以下兩方面：1）對DUV設備（光源波長大于等于193nm）的限 制門檻是同時滿足兩個條件：光源波長×K/數值孔徑<=45nm；套刻精度<=1.5nm。根據ASML官網聲明，對外出口其最先 進的浸沒式DUV光刻系統（TWINSCAN NXT：2000i和后續(xù)的浸沒式系統），需要向荷蘭政府申請出口許可證，而1980Di 浸潤式光刻系統（套刻精度1.6nm），以及更低端的光刻設備的出口未受荷蘭政府管控。 2）新規(guī)還對用于金屬原子層沉積 （ALD）的設備、進行無空隙等離子體放大沉積的設備等進行限制。

近期，根據中國日報報道，ASML已向荷蘭政府提出TWINSCAN NXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統的出口許可證 申請，荷蘭政府也已經頒發(fā)了截至9月1日所需的許可證，允許ASML2023年繼續(xù)發(fā)運TWINSCAN NXT：2000i及后續(xù)推出 的浸潤式光刻系統。自2024年1月1日起，ASML將基本不會獲得向中國客戶發(fā)運這些設備的出口許可證。

美、日、荷制裁落地，設備進口替代邏輯持續(xù)強化

整體來看，半導體設備國產化率仍處于低位。收入口徑下，2022年11 家半導體設備企業(yè)合計實現營收378億元，同比+54%，對應半導體設備 市場整體國產化率仍不足20%。細分領域來看，國產半導體設備企業(yè)在清洗、熱處理、CMP、刻蝕設 備等領域已取得一定市場份額。然而，對于光刻、量/檢測、涂膠顯影、 離子注入設備等領域，我們判斷2022年國產化率仍低于10%，國產替代 空間較大。

大陸逆周期擴產加速趨勢明顯，半導體復蘇拐點信號出現

逆周期擴產加速推進，中芯國際資本開支維持高位

相較IC設計、封測環(huán)節(jié)，晶圓制造是中國大陸當前半導體行業(yè)短板，自主可控驅動本土晶圓廠逆周期大規(guī)模擴產。中國大陸 市場晶圓產能缺口較大，2021年底晶圓全球產能占比僅為16%（包含臺積電、海力士等外資企業(yè)在本土的產能），遠低于半導 體銷售額全球占比。外部制裁事件頻發(fā)的背景下，晶圓環(huán)節(jié)自主可控需求越發(fā)強烈，本土晶圓廠逆周期擴產訴求持續(xù)放大。

中國大陸營收占比提升，海外龍頭對大陸擴產指引樂觀

SEMI數據顯示，2023Q2中國大陸半導體設備出貨金額75.5億美金，占比 29.25%，是唯一同環(huán)比均實現增長地區(qū)，進一步驗證國內晶圓廠逆周期擴 產。下面從全球半導體設備龍頭可以得出同樣結論： ASML2023Q2實現營業(yè)收入69億歐元，同比+27.8%，中國大陸地區(qū)收入占 比24%，環(huán)比大幅提升16pct；2023Q2浸沒式DUV銷售39臺，環(huán)比增加14臺。 根據ASML業(yè)績說明會，中國對Fab建設的戰(zhàn)略投資，使得未來幾年內這些需 求是非常可持續(xù)的，對中國大陸晶圓廠擴產保持樂觀態(tài)度。

半導體行業(yè)逐步回暖，景氣度拐點信號已經出現

根據SIA數據，2023年2月全球半導體單月銷售額觸底，為3970億美元，同比-20.70%，此后連續(xù)5個月出現環(huán)比改善，3-7月環(huán) 比增長幅度分別為0.33%、0.53%、1.75%、3.66%、2.34%，拐點信號明顯，可見全球半導體整體復蘇呈現加速態(tài)勢，后續(xù)伴隨 下游需求市場回暖以及去庫存結束，全球半導體行業(yè)有望進入新一輪上升周期。 中國半導體行業(yè)同樣出現復蘇跡象，2023年3月以來，連續(xù)4個月環(huán)比為正，環(huán)比增幅分別為1.19%、3.15%、3.93%、4.37%、 2.58%，環(huán)比增速均高于全球市場，考慮到中國市場下游新能源等領域發(fā)展較快，更看好中國半導體市場復蘇彈性。

自主可控&下游景氣復蘇，看好2024年半導體設備需求放量

歷史數據表明，全球半導體設備銷售額與半導體銷售額同比增速呈現高度聯動效應，同時在行業(yè)上行周期時，半導體設備可 以表現出更高的同比增速，具備更強增長彈性。 展望2024年，全球范圍內來看，在終端消費持續(xù)復蘇的背景下，SEMI預計2024年全球晶圓廠設備支出約1000億美元，同比 增長14%，2024年半導體設備需求有望明顯反彈，進入下一輪上行周期。對于中國大陸市場，疊加自主可控需求，我們看好 2024年半導體設備需求加速放量。

華為Mate 60系列手機回歸，利好半導體產業(yè)鏈國產化

受美國制裁影響，華為智能手機出貨量下滑明顯

IDC數據顯示，2018 -2020年，華為智能手機出貨量穩(wěn)居世界前三，2019年智能手機出貨量達到2.41億部，全球市占率17.6%。 根據Canalys數據，2020Q2華為更是在全球智能手機同比大幅下滑的背景下，實現出貨近 5580 萬臺，超過三星，登頂全球智能 手機出貨榜首。

但隨著美國對華為制裁升級以及芯片出口限制，華為智能手機銷量大幅下降，遇到了前所未有的困境，2020 年 11 月華為宣布 出售旗下榮耀手機，2020年智能手機出貨量降至1.89億部，同比-21.45%，全球市占率同比-3.0pct。 Couterpoint 數據顯示，2021 和2022年華為智能手機出貨量繼續(xù)大幅下滑， 在中國智能手機市場市占率僅為10.0%和7.9%，跌出國內市場前五，美國制裁下 ，華為智能手機業(yè)務短期受到重創(chuàng)。

Mate 60 系列回歸，搭載國產麒麟芯片引爆市場

2023年華為恢復了高端旗艦機發(fā)布節(jié)奏，2023年3月發(fā)布了P60系列手機，智能手機銷量恢復快速增長。IDC數據顯示， 2023Q2中國智能手機市場出貨量約6570萬臺，同比下降2.1%，在行業(yè)持續(xù)低迷的背景下，華為智能手機逆勢增長，2023Q2出貨 量同比大幅增長76.1%，國內市占率達到13.0%，同比+5.7pct。

研發(fā)與產業(yè)投資并舉，華為大力布局半導體領域

在美國制裁管控下，華為始終走在國產替代的前列，并取得積極成果，最直觀的體現：①華為持續(xù)加大研發(fā)投入，研發(fā)費用 率逐年提升，2022年華為研發(fā)費用高達1615億元，研發(fā)費用率為25.1%，較2018年提升11pct，高強度研發(fā)投入驅動下，中國證 券報報道，華為用3年時間內完成13000+顆器件的替代開發(fā)、4000+電路板的反復換板開發(fā)，逐步完成各類零部件國產化替代。 ②華為受制于美國，核心在于芯片卡脖子，根據國家知識產權局公開信息，2022-2023年華為陸續(xù)公布了15條芯片堆疊封裝相關 發(fā)明專利，顯示了華為在芯片領域研發(fā)實力和創(chuàng)新能力，在不提升制程工藝前提下，芯片堆疊可以提升芯片產品性能，我們認 為一定程度上可以緩解先進制程卡脖子問題。

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精選報告來源：【未來智庫】。「鏈接」