與科技創(chuàng)新以指數(shù)級方式成長不同,在商業(yè)上,半導(dǎo)體是一個典型的周期性行業(yè),繁榮和蕭條交替出現(xiàn),每4-5年經(jīng)歷一輪完整的周期。根據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會提供的全球半導(dǎo)體銷售額數(shù)據(jù),1978年以來,全球半導(dǎo)體已經(jīng)經(jīng)歷了7輪完整的大周期,目前處于第8輪大周期下行周期的尾聲,新一輪上行周期隨時可能開啟。
本輪半導(dǎo)體周期對于中國有特殊意義,如果中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)把握住機遇,中國大陸將承接新一輪的半導(dǎo)體遷移。歷史上,日韓臺正是在產(chǎn)業(yè)變遷中抓住需求的變動,依靠產(chǎn)業(yè)政策或財閥實現(xiàn)跨越式升級。
當前,時代給予了中國大陸一次絕佳的機會,產(chǎn)業(yè)可能再次升級,新需求出現(xiàn),中國大陸半導(dǎo)體行業(yè)如何把握本次機遇,成為關(guān)注的焦點。
我們認為半導(dǎo)體行業(yè)新一輪周期已經(jīng)開啟,供需兩端都存在積極因素推動行業(yè)復(fù)蘇,中國與世界半導(dǎo)體行業(yè)周期高度同步,即將進入復(fù)蘇期。本輪半導(dǎo)體復(fù)蘇周期對于中國半導(dǎo)體行業(yè)意義特殊,中國大陸可能成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移的核心地區(qū)。
AI革命產(chǎn)生的新需求和政府強力領(lǐng)導(dǎo)是中國半導(dǎo)體行業(yè)崛起的重要優(yōu)勢,考慮到中國半導(dǎo)體行業(yè)占GDP比重明顯低于成熟經(jīng)濟體,前景極為廣闊。中國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中上游部分關(guān)鍵環(huán)節(jié)缺失,設(shè)備和材料是未來中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要方向。
半導(dǎo)體行業(yè)大周期下行接近尾聲,2023年下半年是新一輪上行周期的開始。2022年全球半導(dǎo)體市場需求下滑,全球半導(dǎo)體銷售額同比增速逐月下降,影響半導(dǎo)體銷售的主要原因是下游的智能手機、個人電腦出貨量明顯下滑,半導(dǎo)體整體表現(xiàn)出供過于求的現(xiàn)象。進入三季度后,半導(dǎo)體行業(yè)銷售進入負增長區(qū)間,是2020年后的首次下滑。
4-5年的半導(dǎo)體周期內(nèi),1-3年處于上行通道,3-6個季度處于下行通道,本輪半導(dǎo)體周期的波峰出現(xiàn)在2022年2季度,如果下行周期長度沒有超出歷史極值,2023年3-4季度將是半導(dǎo)體新一輪上行周期的開始。數(shù)據(jù)顯示半導(dǎo)體銷售額同比增速明顯企穩(wěn)回升,半導(dǎo)體銷售額同比增速于2023年4月見底,6月增速為-17.3%,高于4月值-21.6%。如果使用更加靈敏的環(huán)比增速指標,半導(dǎo)體銷售額環(huán)比增速于6月已經(jīng)實現(xiàn)連續(xù)四個月環(huán)比正增長。
圖1 半導(dǎo)體周期
數(shù)據(jù)來源:Wind、九方金融研究所供給和需求端都存在積極因素,支持半導(dǎo)體行業(yè)進入復(fù)蘇周期。半導(dǎo)體庫存近期維持高位,5月18日韓國News1通訊社報道,三星電子、SK海力士和東部高科截至2023年第1季度末,半導(dǎo)體庫存總額已接近50萬億韓元(約2615億元人民幣),創(chuàng)下有統(tǒng)計以來最高庫存金額歷史紀錄。
盡管半導(dǎo)體的庫存難題仍然存在,但是前景樂觀。臺積電董事長劉德音6月6日在股東會時提到,俄烏戰(zhàn)爭及中國大陸疫情解封后需求不如預(yù)期,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫存修正期比預(yù)期長。但是臺積電客戶庫存逐漸降低,已看見市場終端需求回升,準備好迎接明年下一波很好的成長。需求端,AI革命帶來了新增需求。2023年1季度以來,人工智能行業(yè)發(fā)生革命性創(chuàng)新,市場對AI芯片的需求不斷增長。
半導(dǎo)體行業(yè)巨頭英偉達在2023財年第一季度財季的財報中,當季營收和下季展望都大超預(yù)期,并且業(yè)績的主要增長來源于高性能計算芯片,顯示市場對于AI算力的強勁需求。
同為半導(dǎo)體行業(yè)重要企業(yè)的AMD的第一季度財報顯示,數(shù)據(jù)中心和嵌入式業(yè)務(wù)為AMD貢獻了超過50%的營業(yè)額。根據(jù)Precedence Research的數(shù)據(jù),2022年全球AI芯片市場規(guī)模為168.6億美元,預(yù)計到2032年將達到約2274.8億美元,期間的復(fù)合年增長率可達29.72%。
2016年以來,中國與全球半導(dǎo)體周期基本同步,中國半導(dǎo)體也將進入上行周期。中國大陸是全球半導(dǎo)體產(chǎn)品最大消費地區(qū),2015年至今銷售額占全球的比例維持在30%附近。數(shù)據(jù)顯示,中國和全球半導(dǎo)體銷售額同比增速非常接近,除了中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售份額占比高的原因以外,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈呈全球化分工,中國大陸承接低附加值的封裝測試也是原因之一。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計、制造、封測三大核心環(huán)節(jié),設(shè)計、設(shè)備等研發(fā)密集型環(huán)節(jié),主要由美國、歐洲等區(qū)域主導(dǎo),材料和晶圓制造等資本開支密集型環(huán)節(jié),主要由日本、中國臺灣、德國等經(jīng)濟體主導(dǎo),封裝測試等資本開支和勞動力密集型環(huán)節(jié),主要由中國大陸主導(dǎo)。因此,當全球半導(dǎo)體需求上行,海外上游環(huán)節(jié)加速,中國的半導(dǎo)體周期同步上行。
圖2 中國半導(dǎo)體周期和全球半導(dǎo)體周期高度同步
數(shù)據(jù)來源:Wind、九方金融研究所新一輪半導(dǎo)體復(fù)蘇周期對于中國半導(dǎo)體行業(yè)意義重大,行業(yè)復(fù)蘇的背景下,中國大陸可能成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移的核心地區(qū)。
從歷史進程看,全球范圍完成兩次明顯的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)端于美國,80年代起,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由美國遷移到日本,90年代末到新世紀初,由日本遷移向韓國和中國臺灣地區(qū)。半導(dǎo)體行業(yè)存在專業(yè)化分工深化、細分領(lǐng)域高度集中的特點,歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都伴隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向改變和資源的重新配置,技術(shù)的變動,讓后來者有切入機會,繼而革新整個行業(yè)。
半導(dǎo)體行業(yè)新需求的誕生和國家主導(dǎo)下的逆周期投資將助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)做大做強,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移趨向中國。
日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起受益于行業(yè)的新需求。復(fù)盤歷史,20世紀七八十年代,日本抓住半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移大潮的機會,產(chǎn)業(yè)規(guī)模一度領(lǐng)先全球。日本半導(dǎo)體行業(yè)的成功源自于產(chǎn)業(yè)新需求的誕生。
計算機普及帶動存儲技術(shù)迅速發(fā)展,大型機對基礎(chǔ)存儲技術(shù)的需求日益增長,在日本政府有意的規(guī)劃下,日本半導(dǎo)體頭部企業(yè)共同設(shè)立國家性科研機構(gòu)超大規(guī)模集成電路技術(shù)研究所(VLSI技術(shù)研究所),逐步在科技進度方面追平美國公司,并于1985年在256K DRAM研發(fā)進度方面趕超美國,日立與富士通率先量產(chǎn)上市。1993年,全球前十的半導(dǎo)體公司中,日本獨占六家。
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起受益于頭部財閥主導(dǎo)、中小企業(yè)為輔的行業(yè)策略。韓國政府也曾決定成立類似日本 VLSI 的國家研究所,但是韓國政府領(lǐng)導(dǎo)能力不強,只能起到基金調(diào)配作用,研發(fā)任務(wù)是企業(yè)內(nèi)部完成。
三星、海力士和LG三大財閥相互獨立、競爭研究,韓國 DRAM 技術(shù)大大提升。在科技難題被財閥攻克后,韓國中小企業(yè)對半導(dǎo)體的熱情高漲,紛紛涌入賽道。
在財閥的領(lǐng)導(dǎo)下,韓國半導(dǎo)體企業(yè)乘90年代日本經(jīng)濟泡沫之機,以重金吸引日本半導(dǎo)體人才,同時加大半導(dǎo)體行業(yè)固定資產(chǎn)投資,甚至在以次貸危機為代表的行業(yè)下行階段也持續(xù)加大投資力度,最終,通過人才和材料設(shè)備的優(yōu)勢,韓國成功承接了原來日本的DRAM業(yè)務(wù)。
中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的當前現(xiàn)狀與臺灣較為接近,中下游的代工和封測占比較高,原因是2010 年以來,中國大陸承接了部分來自于中國臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。中國臺灣早期給在臺建廠的美日廠商做基礎(chǔ)低端加工起步,積累所需知識與技術(shù)。
80年代末,中國臺灣將利潤低、投資大的芯片制造、封測產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移進入島內(nèi)。通過全球代工模式,中國臺灣可以迅速獲得專利授權(quán)并打開市場,錯開與美日韓同行的直接競爭,但是,中國臺灣半導(dǎo)體至今仍然存在技術(shù)落后的問題。如果中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)延續(xù)當前的行業(yè)格局,最后的結(jié)局也會與中國臺灣類似。
受益于AI產(chǎn)生的新需求和強有力的政府領(lǐng)導(dǎo),中國大陸半導(dǎo)體行業(yè)將迎來更加廣闊的發(fā)展空間和機遇。半導(dǎo)體行業(yè)正面臨AI革命時代開啟,與90年代互聯(lián)網(wǎng)興起的背景相似,新需求的誕生將重塑行業(yè)格局。
根據(jù)西部證券推算,AI 算力需求主要來自于訓(xùn)練和推理兩端。短期視角看服務(wù)器空間,預(yù)計訓(xùn)練端為主,需要 9.6 億美元。遠期視角看服務(wù)器空間,預(yù)計推理段為主,基于GPT-3當前的訪問需求和算力數(shù)據(jù),推測未來全球50億活躍用戶的情景,市場空間達到1360 億美元。
AI服務(wù)器與普通服務(wù)器存在異質(zhì)性,新的需求給了中國企業(yè)以彎道超車的機會,浪潮信息的AI服務(wù)器在全球市場占有率以達20.9%,保持全球市場第一。AI服務(wù)器核心在于高性能芯片,GPU占據(jù)AI芯片大類市場,芯片仍然是中國企業(yè)當前的短板,英偉達生產(chǎn)的GPU高端產(chǎn)品各項技術(shù)指標表現(xiàn)領(lǐng)先,是全球GPU算力芯片龍頭,與之相比,國內(nèi)自研GPU的領(lǐng)軍企業(yè)主要是壁仞科技、景嘉微等,國內(nèi)企業(yè)已經(jīng)在設(shè)計、制程、封裝和測試等各個環(huán)節(jié)取得了顯著進步,部分產(chǎn)品性能已經(jīng)接近國際先進水平。
2022年8月,壁仞科技正式發(fā)布首款通用GPU芯片BR100,創(chuàng)下全球算力紀錄,16位浮點算力達到1000T以上、8位定點算力達到2000T以上,單芯片峰值算力達到PFLOPS級別。對比英偉達在售的旗艦GPU峰值算力在Int8、BF16、TF32/TF32+、FP32數(shù)據(jù)格式下最少有3.3倍的峰值性能優(yōu)勢,在FP32數(shù)據(jù)格式下性能優(yōu)勢更是達到了13.1倍。
強有力的政府領(lǐng)導(dǎo)也是中國半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢所在,我國開展類似對待“兩彈一星”的策略,政府引導(dǎo)行業(yè)的整體規(guī)劃,推出稅收減免、資金調(diào)配、技術(shù)與人才引進等政策。
并且推出國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金 (簡稱“大基金”),兩期規(guī)模都超過了2000億元人民幣,韓國半導(dǎo)體在財團支持下,通過逆周期投資占領(lǐng)市場份額,大基金或承擔“財團”的角色。在2022年開始的半導(dǎo)體衰退期內(nèi),中國半導(dǎo)體行業(yè)投資逆周期上行,新一輪周期將是中國半導(dǎo)體行業(yè)的收獲期。
中國半導(dǎo)體行業(yè)在總量經(jīng)濟中占比低于海外成熟經(jīng)濟體,增速在未來仍將明顯高于海外。2016-2022年,中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額增速的平均值達12.68%,遠高于世界平均值7.83%。時至今日,中國半導(dǎo)體行業(yè)增加值在經(jīng)濟總量中的占比仍然明顯低于以美國為代表的發(fā)達經(jīng)濟體,中國半導(dǎo)體行業(yè)增速明顯高于世界增速的現(xiàn)象在未來仍將持續(xù)。
我們用美國經(jīng)濟分析局的“信息通信技術(shù)生產(chǎn)行業(yè)”代表美國半導(dǎo)體行業(yè),用中國國家統(tǒng)計局的“信息傳輸、軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)”代表中國半導(dǎo)體行業(yè)。美國和中國半導(dǎo)體行業(yè)的增加值在2021年分別占各自國家GDP比重約為7.6%和3.9%,美國半導(dǎo)體行業(yè)增加值在GDP中占比接近中國2倍。復(fù)盤歷史,中美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占GDP比重均呈現(xiàn)上升趨勢。
1987年美國信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重約為3.4%,在互聯(lián)網(wǎng)泡沫之前出現(xiàn)過迅速上升時期,占比從1996年的3.9%提升至2000年的6.2%。2010年量化寬松時代開啟后,占比開始緩慢提升,從2010年的6.2%升至2021年的7.6%。
當前的中國半導(dǎo)體行業(yè)增加值在GDP中占比與美國互聯(lián)網(wǎng)泡沫之前類似,考慮到2020年后中國半導(dǎo)體行業(yè)投資迅速上升,半導(dǎo)體行業(yè)增加值占GDP比重在2025年之前可能出現(xiàn)快速上升。
根據(jù)2023年上半年數(shù)據(jù),中國半導(dǎo)體行業(yè)增加值占GDP比重已經(jīng)達到4.7%,較2022年年底的4.0%出現(xiàn)明顯上升。未來,中國半導(dǎo)體行業(yè)的各項重要指標將維持高于世界平均值的增速,半導(dǎo)體產(chǎn)值占本國GDP的比重可能逐步向美國靠攏。
圖3 中美半導(dǎo)體產(chǎn)值占本國GDP的比重
數(shù)據(jù)來源:Wind、九方金融研究所半導(dǎo)體國產(chǎn)替代加速,設(shè)備和材料是重點突破方向。中下游的代工和封測在中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占比較高,產(chǎn)業(yè)鏈中上游部分關(guān)鍵環(huán)節(jié)缺失,設(shè)備和材料是未來半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要方向。
其中,中國大陸半導(dǎo)體行業(yè)在設(shè)備方向已經(jīng)取得長足進步,國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會在其2020年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場統(tǒng)計報告中指出全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達712億美元,同比增長19%,創(chuàng)歷史新高,中國大陸首次成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場,銷售額達187.2億美元,同比大增39%。
2020-2021年,國內(nèi)晶圓廠投建、半導(dǎo)體行業(yè)加大投入,中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模迅速增長,根據(jù)國盛證券推測,2021年占比28.9%,2022年占比26.3%,市占率保持全球第一。與之相比,我國半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化進程相對較晚,半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化率在2022年僅約15%,產(chǎn)業(yè)起步較晚,在品類豐富度和競爭力處于劣勢。
但基于長期的視角,半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)必將走上獨立自主創(chuàng)新之路。中國大陸設(shè)備市場在2013年之前占全球比重低于10%,2014-2017提升至10-20%,2017年至2020年份額逐年上行,4年時間市場份額明顯上升。半導(dǎo)體材料類似2014-2017年的半導(dǎo)體設(shè)備,未來5-10年內(nèi)存在份額快速上升的可能。
綜上,我們認為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移趨向中國,中國半導(dǎo)體行業(yè)迎來歷史性機遇。盡管中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍然面臨著來自美國的巨大壓力,前兩次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遷移背后都繞不開美國的動作。第一次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移是由于美國希望通過技術(shù)賺錢,更專注于技術(shù)壁壘更高的處理器,將存儲產(chǎn)業(yè)向日本轉(zhuǎn)移。
第二次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移是由于美國忌憚日本半導(dǎo)體成為巨頭,開始對日本半導(dǎo)體進行打壓,韓國把握美日貿(mào)易摩擦的契機,取代日本成為存儲半導(dǎo)體領(lǐng)先者。中國臺灣只是承接低附加值的代工和封測環(huán)節(jié),得到了美國的默許。如今中國直面美國的打壓,逆勢而上,強有力的政府領(lǐng)導(dǎo)作用是關(guān)鍵,政府統(tǒng)籌規(guī)劃產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向、技術(shù)路線,統(tǒng)一目標與認知。
考慮到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)涉及支線眾多,甚至中國這樣的超級大國也無法做到全精通,技術(shù)與利潤始終處于產(chǎn)業(yè)鏈低端,未來中國需要根據(jù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀明確發(fā)展方向,可以先提升上游材料設(shè)備來減少海外依賴。展望本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇期,中國將實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移奇跡,擺脫美國控制,完成行業(yè)升級。
免責聲明:本報告由尤眾元(登記編號:A0740623070006)進行撰寫。


68209/09








