大家好，我是光源資本許銀川，很高興再次來到廈門參加集微半導(dǎo)體峰會。

首先介紹一下我所在的機(jī)構(gòu)光源資本，我們是中國新一代領(lǐng)軍產(chǎn)業(yè)投行，在成立的第六年，光源成為企名科技評選的2020 中國財(cái)務(wù)顧問榜單第一名。成立至今，我們已幫助200 余家創(chuàng)新企業(yè)完成超過 330 筆私募融資交易，并幫助超過 50 家公司成為獨(dú)角獸，累計(jì)交易金額近超過 350 億美元。我本人長期關(guān)注半導(dǎo)體和硬科技領(lǐng)域，作為第一負(fù)責(zé)人經(jīng)歷的融資及并購交易金額超過35億美元。

今天我的演講主題是：執(zhí)核心技術(shù)創(chuàng)新之劍，破紛繁復(fù)雜局勢之困——論中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的突圍之徑。

一、當(dāng)前，中國半導(dǎo)體市場面臨史上最復(fù)雜的局勢

今天中國半導(dǎo)體的市場環(huán)境，在產(chǎn)業(yè)端、政策端、資金端都面臨著多重挑戰(zhàn)。

首先，我們觀察到需求端動力轉(zhuǎn)向。消費(fèi)電子需求疲軟持續(xù)，PC出貨量2021年4季度至2023年1季度同比增速連續(xù)5個季度為負(fù)，且跌幅不斷擴(kuò)大，至今年Q1同比下跌已近30%，尚未見拐點(diǎn)；而得益于大模型的推動，數(shù)據(jù)中心算力網(wǎng)絡(luò)和存儲等芯片需求持續(xù)增長，服務(wù)器即將超越手機(jī)成為DRAM第一大需求市場。從供給側(cè)來看，我國先進(jìn)制程對海外的依賴依然突出。2022年大陸20nm以下產(chǎn)能占全球比例不到2.5%，配套核心設(shè)備、材料的國產(chǎn)化率仍有待提升，鴻溝短期無法跨越。

上游情況同樣復(fù)雜。針對中國的供應(yīng)鏈限制步步升級，美國聯(lián)合眾多盟友國家，通過設(shè)備、材料和制造工藝的限制，企圖封鎖中國的高端芯片制造能力。而IP市場格局也在發(fā)生變數(shù)，龍頭ARM計(jì)劃將收費(fèi)模式由基于芯片價(jià)值轉(zhuǎn)為基于終端設(shè)備價(jià)值，使得同樣的IP最終收費(fèi)上漲幾倍。與此同時，RISC-V憑借更開放的指令集和生態(tài)系統(tǒng)正在快速崛起。

最后，技術(shù)發(fā)展日新月異，Chiplet、2nm工藝、第三/四代半導(dǎo)體及FD-SOI材料等技術(shù)涌現(xiàn)，推動后摩爾時代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

在政策端，我們也看到海外政策端不斷施壓。美國從國家層面全力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)振興，以對抗中國的科技產(chǎn)業(yè)崛起。其中《芯片法案》劃定的527億美元財(cái)政資金補(bǔ)貼，已于2月底發(fā)布細(xì)則，3-6月逐步開放前沿設(shè)施至成熟制程的補(bǔ)貼申請。日、韓、荷蘭等國受美國施壓和帶動，也逐步落實(shí)對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全方位打擊。

以上種種外部壓力倒逼下，我國國產(chǎn)化供應(yīng)鏈正在迅速補(bǔ)齊。首先，政策全面落實(shí)各項(xiàng)優(yōu)惠，集成電路自主可控進(jìn)入《中國制造 2025》、十四五等國家戰(zhàn)略規(guī)劃。同時，技術(shù)創(chuàng)新和自主研發(fā)配合，助力產(chǎn)業(yè)鏈策略性繞過封鎖。

從資金端來看，半導(dǎo)體一二級市場均發(fā)生著重大行業(yè)變革，二級市場已探底回升，一級市場資金供給減少，企業(yè)融資承壓明顯。

二級市場國內(nèi)外半導(dǎo)體板塊均觸底反彈，美股漲勢更為強(qiáng)勁。由于消費(fèi)電子終端需求疲軟，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)2021年下半年步入下行周期，整體估值回落，去年10月BIS禁令公布前后跌至歷史低位；此后估值修復(fù)，行業(yè)震蕩上行。反觀美股市場，ChatGPT爆火，讓AI“出圈”，帶動美國半導(dǎo)體板塊持續(xù)上漲。隨著英偉達(dá)今年一季報(bào)業(yè)績顯著超預(yù)期并大幅上調(diào)二季度業(yè)績指引，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)更是兩天暴漲超13%，逼近歷史新高。截至5月29日，英偉達(dá)成為首家市值破萬億的芯片公司。

再來看國內(nèi)一級市場，近年來融資規(guī)模雖小幅回落，但仍處于高位，細(xì)分賽道的吸金能力明顯發(fā)生變化。從融資數(shù)量和融資規(guī)模上看，2021年均創(chuàng)下歷史記錄，2022年整體規(guī)模雖小幅回落，但仍處于高位，可見資本對半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注熱度仍在。從融資熱門賽道上看，去年半導(dǎo)體材料和制造領(lǐng)域頻繁出現(xiàn)高額投資，國產(chǎn)替代邏輯已經(jīng)步入“深水區(qū)”，投資熱點(diǎn)逐漸從設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向上游材料、設(shè)備、零部件等 “卡脖子”領(lǐng)域。從今年前5個月的融資Top10項(xiàng)目來看，市場也在持續(xù)加碼制造和材料熱門賽道。

二、面對當(dāng)前復(fù)雜局勢，RISC-V、三代半、Chiplet以及先進(jìn)封裝將成為產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的四把利劍

基于目前紛繁復(fù)雜的國內(nèi)外局勢，我們認(rèn)為，國內(nèi)大部分中低端半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)替代，未來中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要取得進(jìn)一步的突破，就要做全方位的核心技術(shù)創(chuàng)新，從而確保在產(chǎn)業(yè)鏈中拿到具競爭壁壘的產(chǎn)業(yè)份額。當(dāng)前復(fù)雜局勢下，我們認(rèn)為，架構(gòu)端、材料端、IP&設(shè)計(jì)端、制造端全方位核心技術(shù)創(chuàng)新是產(chǎn)業(yè)破局的四把利劍：架構(gòu)端，RISC-V可以憑借開源和靈活的特性，逐步完善芯片生態(tài)；材料端，第三代半導(dǎo)體將受益于國內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，打破受制于人局面；IP與設(shè)計(jì)端，Chiplet技術(shù)將繞過先進(jìn)制程封鎖，實(shí)現(xiàn)算力升級，也為國產(chǎn)大芯片布局打好基礎(chǔ)；制造端，先進(jìn)封裝作為超越摩爾定律的重要路徑，還將強(qiáng)化中國半導(dǎo)體在后道環(huán)節(jié)的優(yōu)勢壁壘。

1）架構(gòu)端，RISC-V以開源架構(gòu)打造下一代主流指令集，成就自主可控的芯片生態(tài)閉環(huán)

從PC互聯(lián)網(wǎng)到智能物聯(lián)網(wǎng)，接入的設(shè)備數(shù)量指數(shù)級增長，架構(gòu)和系統(tǒng)的開放是大勢所趨。未來RISC-V憑借開源和簡潔兩大優(yōu)勢，將成為下一代主流指令集。RISC-V的開源特性有幾大優(yōu)勢：第一，可以突破傳統(tǒng)封閉架構(gòu)，有效降低成本。x86和ARM的封閉生態(tài)和昂貴的授權(quán)費(fèi)給全球用戶帶來了很大負(fù)擔(dān)，免費(fèi)開源、PPA綜合表現(xiàn)優(yōu)秀的RISC-V，成為企業(yè)降低成本的重要手段。第二，RISC-V基于BSD協(xié)議開源，這種相對寬松的協(xié)議對芯片公司做商業(yè)化變現(xiàn)的約束更少。第三，依托繁榮的開源社區(qū)環(huán)境，可以匯聚全球開發(fā)者的貢獻(xiàn)，共同加速技術(shù)完善。另一方面，RISC-V簡單靈活，基礎(chǔ)指令集數(shù)目非常精簡，大大降低了開發(fā)難度。其他擴(kuò)展指令可以模塊化地按需定制和剪裁，大大增加了企業(yè)研發(fā)的靈活度和效率。

目前的市場對于RISC-V還存在顧慮，比如在服務(wù)器等通用計(jì)算場景的性能不夠、生態(tài)不夠完善等。事實(shí)上，服務(wù)器端國內(nèi)外近期已經(jīng)實(shí)現(xiàn)相當(dāng)大的進(jìn)展，拓展到了64核、128核。生態(tài)方面，RISC-V正在從弱生態(tài)領(lǐng)域開始滲透。行業(yè)內(nèi)也已經(jīng)有數(shù)千家企業(yè)在圍繞RISC-V指令集做開發(fā)，芯片、軟件及終端廠商也在積極構(gòu)建生態(tài)圈，共同完善自主可控的生態(tài)體系。

2）材料端，第三代半導(dǎo)體可依托終端產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)中國半導(dǎo)體彎道超車

首先，中國終端市場比如新能源車需求量巨大，為補(bǔ)足供需缺口，具備更高功率、更耐壓耐熱的碳化硅器件已經(jīng)上車，三代半材料的下游應(yīng)用已經(jīng)相當(dāng)明確。我們認(rèn)為，三代半材料將充分受益于中國廣闊的下游市場、成熟的產(chǎn)業(yè)集群、旺盛的出口需求、愈加豐富的人才供給，成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的強(qiáng)勢契機(jī)。

其次，三代半在全球都還處于發(fā)展初期，各國差距還較小，中國生產(chǎn)能力基本完備。一方面，從設(shè)備來看，薄膜沉積、高溫退火爐等關(guān)鍵設(shè)備已經(jīng)在加快國產(chǎn)供給進(jìn)程，以微創(chuàng)新和定制化能力適應(yīng)材料客戶的精細(xì)化需求。另一方面，從制造來看，成熟制程工藝已可以滿足應(yīng)用需求，國產(chǎn)供應(yīng)鏈支持完備。

再者，三代半產(chǎn)能已初具規(guī)模，襯底、外延、器件產(chǎn)能已經(jīng)初步實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)的供需內(nèi)循環(huán)。IDM的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃已經(jīng)加速，fabless開始向IDM轉(zhuǎn)型布局。盡管目前襯底良率還有待提升，以碳化硅襯底為例，良率在50-60%徘徊，而科銳等海外大廠平均可達(dá)70%；但依靠材料公司的工藝提升，以及國內(nèi)特色的設(shè)備公司對襯底的改良優(yōu)化，襯底良率和產(chǎn)能水平將持續(xù)向好。

當(dāng)然，三代半的發(fā)展還離不開持續(xù)的資金投入。2023年以來中國碳化硅領(lǐng)域已發(fā)生約22起融資事件，公開金額總計(jì)超40億元，資金多來源于國家隊(duì)和地方政府，充足的資金供給將助推三代半的快速發(fā)展。

3）IP&設(shè)計(jì)端，Chiplet技術(shù)可幫助中國繞過先進(jìn)制程封鎖，實(shí)現(xiàn)算力突破，為國產(chǎn)大芯片突圍鋪平道路

首先，Chiplet模式可通過小芯粒的堆疊互聯(lián)實(shí)現(xiàn)算力提升，繞過先進(jìn)制程封鎖。一方面，小面積設(shè)計(jì)可使整體良率得到提升；另一方面，工藝解耦使得一顆芯片內(nèi)可封裝多種制程的小芯粒，規(guī)避統(tǒng)一制程的高昂費(fèi)用，降低芯片制造成本。模塊化設(shè)計(jì)，也加速了產(chǎn)品的迭代上市。

其次，Chiplet的應(yīng)用，將有效助力國產(chǎn)大芯片的開發(fā)和迭代，打破現(xiàn)有體系下的IP壟斷。大芯片是亟待實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化突破的競爭深水區(qū)，行業(yè)也普遍認(rèn)為，大芯片是Chiplet技術(shù)的最佳應(yīng)用場景。Chiplet將為國產(chǎn)高端GPU、CPU、交換機(jī)芯片鋪好前路。不僅如此，我們已經(jīng)看到國內(nèi)新勢力公司不斷探索Chiplet的新技術(shù)新架構(gòu)，例如與SiP、與RISC-V結(jié)合等，正逐步打破SoC體系下的IP壟斷，為中國公司帶來更多機(jī)會。

目前，中國也在積極參與Chiplet國際標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)。例如，國內(nèi)許多企業(yè)也參與了國際聯(lián)盟UCIe的貢獻(xiàn)和實(shí)踐，這些都有助于中國芯片產(chǎn)業(yè)“卡脖子”的突破。同時，中國Chiplet聯(lián)盟也剛于23年初發(fā)布了全自主可控的芯?；ヂ?lián)接口標(biāo)準(zhǔn)，有利于本土半導(dǎo)體企業(yè)建立自己的生態(tài)圈，這也將極大提升中國芯片產(chǎn)業(yè)在國際上的話語權(quán)。

4）制造端，先進(jìn)封裝作為實(shí)現(xiàn)超越摩爾路線的重要路徑，將進(jìn)一步強(qiáng)化中國半導(dǎo)體在后道環(huán)節(jié)的優(yōu)勢壁壘

首先，不斷革新的先進(jìn)封裝工藝，支撐芯片高算力、小型化、輕薄化的演進(jìn)趨勢。后摩爾時代從系統(tǒng)應(yīng)用為出發(fā)點(diǎn)，不再執(zhí)著于晶體管的制程縮小，而更應(yīng)該將各種技術(shù)進(jìn)行異質(zhì)整合的先進(jìn)封裝技術(shù)作為超越摩爾的重要路徑。先進(jìn)封裝工藝不斷革新，利用高I/O數(shù)優(yōu)勢，2.5D/3D封裝等新架構(gòu)，以可控成本，助力系統(tǒng)性能持續(xù)提升。

其次，先進(jìn)封裝可以與Chiplet協(xié)同創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)商業(yè)閉環(huán)。Chiplet對封裝環(huán)節(jié)提出更高要求，先進(jìn)封裝技術(shù)可以做到百倍封裝效率、降低單位封裝成本、提高制造良品率等，具有極大優(yōu)勢。

同時，先進(jìn)封裝可以降低對國外先進(jìn)制程的依賴，利用現(xiàn)有國產(chǎn)設(shè)備支撐快速發(fā)展。我們可以針對性選取成熟制程和先進(jìn)工藝，跨過技術(shù)瓶頸。而且先進(jìn)封裝設(shè)備類似前道晶圓制造設(shè)備，先進(jìn)封裝機(jī)器設(shè)備已經(jīng)可以做到部分國產(chǎn)替代，包括刻蝕機(jī)、光刻機(jī)、PVD/CVD等，并有望以此為前站演練場，突破前道工藝。

最后，通過先進(jìn)封裝，中國可鞏固在封測環(huán)節(jié)的全球競爭力，夯實(shí)后道工藝基本盤。大陸封測產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在全球競爭中占有不俗的位置，也是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中與國際領(lǐng)先水平差距最小的細(xì)分板塊。發(fā)展先進(jìn)封裝，可以借力并鞏固封測領(lǐng)域的已有優(yōu)勢。同時，先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)迭代，有望帶領(lǐng)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在后摩爾時代實(shí)現(xiàn)質(zhì)的突破。當(dāng)前中國發(fā)展先進(jìn)制程的外部條件受限，發(fā)展先進(jìn)封裝、部分替代并追趕先進(jìn)制程，應(yīng)該成為中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展邏輯之一。

三、抓住行業(yè)紅利快速發(fā)展

我們建議半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)者抓住時代賦予的四大紅利，快速發(fā)展。第一是政策紅利。2000 年以來，國家通過財(cái)稅優(yōu)惠、重大專項(xiàng)、融資支持等政策大力扶持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。今年3月，領(lǐng)導(dǎo)層在北京調(diào)研指出“政府要制定符合國情和新形勢的集成電路產(chǎn)業(yè)政策”，未來會強(qiáng)化頂層設(shè)計(jì)、制定統(tǒng)一目標(biāo)，從上到下系統(tǒng)性地支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

第二是產(chǎn)業(yè)集聚紅利。目前，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈集聚效應(yīng)初步顯現(xiàn)，以長三角為核心，各地區(qū)因地制宜，發(fā)展重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。具體來說，長三角是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈最完整、技術(shù)最先進(jìn)的區(qū)域，產(chǎn)業(yè)規(guī)模占比超全國50%，發(fā)揮引領(lǐng)示范作用。其他地區(qū)例如川渝、武漢等均形成差異化優(yōu)勢。強(qiáng)化區(qū)域聯(lián)動，鼓勵上下游企業(yè)圍繞關(guān)鍵環(huán)節(jié)，聯(lián)合攻關(guān)技術(shù)研發(fā)，有助于提升產(chǎn)業(yè)整體競爭力。

第三是國產(chǎn)自主可控紅利。在當(dāng)前國際形勢下，建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的緊迫性日益凸顯。設(shè)備和材料是影響最大的環(huán)節(jié)，限制我國高端芯片的生產(chǎn)能力。目前本土晶圓廠對國產(chǎn)設(shè)備、材料扶持意愿大大增強(qiáng)，驗(yàn)證速度明顯加快。國內(nèi)設(shè)計(jì)廠商也在積極尋找不依賴于最先進(jìn)工藝的高性能芯片的設(shè)計(jì)方法，強(qiáng)化設(shè)計(jì)與工藝的協(xié)同，推動chiplet等技術(shù)的發(fā)展。

第四是基金紅利?？v觀中國2022年股權(quán)投資市場，外幣投資金額下降67%，是2020年來下降幅度最大的一年。國資和地方政府基金開始占據(jù)主導(dǎo)地位，相比財(cái)務(wù)投資人，其投資回報(bào)周期敏感度相對較低，更看重產(chǎn)業(yè)鏈稀缺性、技術(shù)壁壘、核心人才資源等。

四、給半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)者的建議

結(jié)合目前的宏觀環(huán)境和資金端供給情況，我們對于半導(dǎo)體賽道的創(chuàng)業(yè)者，有以下四點(diǎn)建議：

首先，在早期爭取引入產(chǎn)業(yè)投資人。產(chǎn)業(yè)投資人的價(jià)值不僅體現(xiàn)在資金支持，更重要的是產(chǎn)業(yè)賦能，幫助企業(yè)在研發(fā)階段，快速理解市場需求，加速產(chǎn)品研發(fā)周期；在商業(yè)化階段，提供可靠的上下游資源支持。同時，現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)投資人具有明顯的吸引后續(xù)投資的品牌效應(yīng)。

第二，我們建議創(chuàng)業(yè)者聚焦產(chǎn)品差異化，盡快實(shí)現(xiàn)小的商業(yè)閉環(huán)。在國產(chǎn)化初期，半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)是解決從無到有的問題，資本對企業(yè)的發(fā)展速度相對寬容，而當(dāng)前半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)已經(jīng)走入下半場競賽，在每一個細(xì)分行業(yè)上已經(jīng)有很多創(chuàng)業(yè)公司，那么“產(chǎn)品差異化”和“快速商業(yè)化”就成為了核心競爭力。因此，建議企業(yè)在研發(fā)階段就和客戶進(jìn)行深度交互，捕捉產(chǎn)品功能設(shè)計(jì)的差異化需求，盡快完成初代產(chǎn)品的demo驗(yàn)證到量產(chǎn)。同時，創(chuàng)業(yè)者也應(yīng)盡早關(guān)注核心財(cái)務(wù)指標(biāo)，讓真實(shí)的數(shù)字說話。

第三，初步商業(yè)化驗(yàn)證之后，可快速引入國家隊(duì)投資人。大部分的半導(dǎo)體公司，前期投入大、產(chǎn)出周期長，到初步商業(yè)化階段，估值已有一定體量，但收入還沒法支撐，市場化機(jī)構(gòu)有投資難度。目前政府帶頭參與半導(dǎo)體投資，相比財(cái)務(wù)回報(bào)，其更關(guān)注成果轉(zhuǎn)化、戰(zhàn)略價(jià)值、地方產(chǎn)業(yè)賦能等，引入國家隊(duì)投資人有助于吸引社會資本，擴(kuò)大融資效應(yīng)。

第四，適時進(jìn)行產(chǎn)業(yè)整合。對比歐美日韓等成熟半導(dǎo)體市場，細(xì)分賽道一般競爭收斂到1-2家巨頭公司。目前中國整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)發(fā)展到相對完整的階段，有些細(xì)分賽道已經(jīng)相對擁擠，即將進(jìn)入整合期。對創(chuàng)業(yè)者來說，抓住這個寶貴的時間窗口期，整合關(guān)鍵的技術(shù)、人才、業(yè)務(wù)資源，是鞏固競爭優(yōu)勢的絕佳方式。

光源資本已經(jīng)連續(xù)三年在半導(dǎo)體賽道幫助我們客戶融資100億人民幣。我們的客戶覆蓋了半導(dǎo)體所有核心環(huán)節(jié)，從硅片制造，到芯片制造，芯片設(shè)計(jì)，封裝，測試，載板，材料，設(shè)備、EDA軟件等，希望未來能夠服務(wù)更多的優(yōu)質(zhì)客戶。我們希望打造新一代產(chǎn)業(yè)投行，和各位創(chuàng)業(yè)者，共同秉承長期主義，為半導(dǎo)體的崛起貢獻(xiàn)力量。