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近日，多個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目迎來新進展，涉及項目包括浙江麗水中欣晶圓12英寸硅片外延項目、西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項目、國芯RISC-V芯片架構(gòu)總部等12個集成電路產(chǎn)業(yè)項目、至純科技加碼半導(dǎo)體濕法設(shè)備模塊及零部件研發(fā)等項目、積塔碳化硅6英寸線等產(chǎn)業(yè)鏈重點項目。
總投資40億，中欣晶圓12英寸硅片外延項目正式竣工投運
據(jù)麗水經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，12月9日，浙江麗水中欣晶圓12英寸硅片外延項目舉行竣工投運儀式，標志著該項目首期正式投入運行。
公開資料顯示，浙江麗水中欣晶圓成立于2021年11月2日，其旗下的麗水中欣晶圓外延項目，是麗水培育半導(dǎo)體全鏈條產(chǎn)業(yè)的龍頭項目，項目總投資40億元，將在麗水經(jīng)開區(qū)首期建設(shè)年產(chǎn)120萬片8英寸的生產(chǎn)線（以特殊需求外延片為主）、240萬片12英寸外延片生產(chǎn)線，未來可擴產(chǎn)至年產(chǎn)240萬片8英寸外延片、360萬片12英寸外延片生產(chǎn)線，全部達產(chǎn)后年產(chǎn)值將在50億元左右。
該項目于2021年9月簽約，2021年11月17日，麗水中欣晶圓外延項目舉行開工儀式后，迅速進入基礎(chǔ)施工。在各方的共同努力下，僅用88個工作日，該項目便于今年5月實現(xiàn)了主體結(jié)構(gòu)封頂。麗水中欣晶圓外延項目還被正式納入了2022年浙江省重點建設(shè)項目計劃。
百億級半導(dǎo)體項目落戶陜西西咸新區(qū)
據(jù)西咸新區(qū)公眾號消息，近日，陜西省西咸新區(qū)涇河新城與江西譽鴻錦材料科技有限公司在北京簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，總投資116億元的西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項目正式落戶涇河新城。
據(jù)了解，氮化鎵（GaN）作為研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊發(fā)展前景。西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項目將以第三代化合物半導(dǎo)體材料氮化鎵為核心內(nèi)容，建立第三代化合物半導(dǎo)體研發(fā)中心，開展氮化鎵基半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān)、新品研發(fā)等工作。
項目達產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)值500億元，實現(xiàn)年上繳稅收約25億元。同時，將進一步帶動相關(guān)上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)入駐，全力助推氮化鎵電子器件和高端光電器件等在涇河新城實現(xiàn)“中國智造”。以此次簽約為標志，涇河新城將在產(chǎn)業(yè)布局上形成光伏、新能源新材料、半導(dǎo)體芯片三大產(chǎn)業(yè)鼎足之勢。
國芯RISC-V芯片架構(gòu)總部等12個集成電路產(chǎn)業(yè)項目簽約落戶無錫
12月10日，據(jù)新民晚報報道，由江蘇集萃集成電路應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心和錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)共同承辦的“首屆長三角集成電路工業(yè)應(yīng)用一體化發(fā)展大會”在無錫錫山區(qū)舉行。
會上，集萃加速科技聯(lián)合實驗室、集萃華大九天EDA聯(lián)合實驗室、“集萃芯”省級眾創(chuàng)空間、無錫學(xué)院集萃集成電路協(xié)同創(chuàng)新中心、江南大學(xué)集萃集成電路學(xué)院、長三角集成電路工業(yè)應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心揭牌；國芯RISC-V芯片架構(gòu)總部項目、優(yōu)倍新型工業(yè)測量與控制芯片組研發(fā)項目等12個集成電路產(chǎn)業(yè)項目簽約落戶，為錫山集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力。
據(jù)報道，長三角工業(yè)芯谷總建筑面積24萬平方米，聚焦工業(yè)升級、智能制造等領(lǐng)域，集聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)招引培育，推動芯片設(shè)計、裝備制造產(chǎn)業(yè)集聚優(yōu)化，打造“以園聚鏈、鏈路聚合”的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。園區(qū)目前已集聚集成電路企業(yè)60余家，力爭到2025年，引進培育優(yōu)質(zhì)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)100家以上，實現(xiàn)產(chǎn)值200億元以上，打造無錫集成電路產(chǎn)業(yè)版圖上重要一極。
作為長三角工業(yè)芯谷的核心創(chuàng)新平臺，江蘇集萃集成電路應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心自2020年落地至今，在平臺能力建設(shè)、人才項目引育、關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)等方面，均取得了豐碩成果。目前已集聚人才140余人；打造芯片全流程設(shè)計服務(wù)平臺、長三角車規(guī)級芯片檢則中心、基于SDR的DSP+工業(yè)5G公共服務(wù)平臺等核心能力；圍繞醫(yī)療器械、汽車電子、工業(yè)控制、5G通信等應(yīng)用領(lǐng)域，組織“揭榜掛帥”聯(lián)合攻關(guān)項目2項，落地“撥投結(jié)合”重大項目5項；與南京大學(xué)、東南大學(xué)、江南大學(xué)、無錫學(xué)院等高校合作，聯(lián)合培養(yǎng)集萃研究生30余人；推動成果轉(zhuǎn)化和企業(yè)孵化，引進孵化企業(yè)12家，服務(wù)企業(yè)40余家。
下階段，錫山將加快打造一流重大科創(chuàng)平臺，進一步強化江蘇集萃集成電路應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心、湖南大學(xué)無錫半導(dǎo)體先進制造創(chuàng)新中心等大院大所平臺的“硬核支撐”，以本次大會為契機，構(gòu)建覆蓋集成電路設(shè)計、裝備、材料全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展生態(tài)，全力打造輻射長三角區(qū)域的“錫山工業(yè)芯谷”產(chǎn)業(yè)地標。
募資18億！至純科技加碼半導(dǎo)體濕法設(shè)備模塊及零部件研發(fā)等項目
12月10日，至純科技發(fā)布公告稱，綜合考慮目前資本市場環(huán)境的變化，結(jié)合公司實際情況、發(fā)展規(guī)劃等諸多因素，公司計劃調(diào)整融資方式，決定終止公開發(fā)行A股可轉(zhuǎn)換公司債券事項并撤回申請文件，同時將融資方式調(diào)整為非公開發(fā)行股票。
據(jù)披露，至純科技擬向不超過35名特定投資者，定增募資18億元，扣除發(fā)行費用后，4億元用于單片濕法工藝模塊、核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，1.6億元用于至純北方半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)中心項目，7億元用于啟東半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地二期項目，剩余5.4億元用于補充流動資金或償還債務(wù)。
單片濕法工藝模塊、核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目基于公司現(xiàn)有28nm半導(dǎo)體濕法設(shè)備的研發(fā)及生產(chǎn)的技術(shù)積累，將針對14nm及以下工藝節(jié)點的高階單片濕法工藝模塊、單片式腔體及耐腐蝕性、高精密度的核心零部件進行研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
據(jù)悉，以上項目建成后將成為至純科技高階制程單片濕法裝備及零部件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地，在設(shè)計、制造及研發(fā)上實現(xiàn)從成熟制程往高階先進制程的路徑，裝備與核心零部件將形成雙向協(xié)同，項目達成后將形成高階制程單片濕法模塊年產(chǎn)100套，各類零部件年產(chǎn)近2000套，進一步提高生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品產(chǎn)能，是公司戰(zhàn)略目標達成的重要支撐。
至純北方半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)中心項目將基于公司現(xiàn)有成熟的半導(dǎo)體濕法設(shè)備以及系統(tǒng)集成及支持設(shè)備的工藝技術(shù)積累，同時基于北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)（亦莊）的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚和技術(shù)先進優(yōu)勢，在北京亦莊設(shè)立濕法設(shè)備、系統(tǒng)集成及支持設(shè)備及核心零部件的北方生產(chǎn)研發(fā)基地。本項目的實施將擴大至純科技生產(chǎn)規(guī)模、增強公司產(chǎn)品下游應(yīng)用領(lǐng)域，同時針對北方客戶需求對產(chǎn)品進行定制化研發(fā)以提升產(chǎn)品競爭力，鞏固并提升公司的行業(yè)地位。本項目達產(chǎn)后，公司預(yù)計將實現(xiàn)年產(chǎn)系統(tǒng)集成及支持設(shè)備30套、半導(dǎo)體濕法設(shè)備15臺、半導(dǎo)體零部件2,610套的生產(chǎn)能力。
安徽蚌埠經(jīng)開區(qū)：謀劃引入積塔碳化硅6英寸線等產(chǎn)業(yè)鏈重點項目
近日，安徽蚌埠經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管理委員會發(fā)布市經(jīng)開區(qū)2022年工作總結(jié)和2023年工作計劃。
蚌埠經(jīng)開區(qū)提到，在2022年主要工作，總投資50億元的8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目順利通過國家發(fā)改委窗口指導(dǎo)；總投資10億元的6英寸MEMS晶圓擴能項目（5000片）部分設(shè)備正在安裝調(diào)試，預(yù)計明年上半年達產(chǎn)；總投資11億元的融薇科技6英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目全套生產(chǎn)設(shè)備已運抵蚌埠，正在開展廠房裝修改造；總投資5億元的仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地、芯動聯(lián)科MEMS封裝測試生產(chǎn)及研發(fā)項目正加快建設(shè)，計劃年底前正式投產(chǎn)。
在2023年工作目標和主要舉措中，蚌埠經(jīng)開區(qū)指出將全力服務(wù)推進8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目和融薇科技6英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目（6000片）建成試運行；全力推進6英寸MEMS晶圓擴能項目（5000片）建成達產(chǎn)；力爭2023年底形成6吋MEMS晶圓11000片/月、8吋MEMS晶圓10000片/月產(chǎn)能。
圍繞晶圓代工核心能力，充分釋放封測核心產(chǎn)能，加快推進芯動聯(lián)科封測、仙羋智造功率模組等重點項目建成投產(chǎn)，服務(wù)推進禹芯半導(dǎo)體、希磁科技產(chǎn)業(yè)園等建成項目產(chǎn)能爬升，計劃到2023年底，園區(qū)封測企業(yè)實現(xiàn)產(chǎn)值超20億元。
同時，蚌埠經(jīng)開區(qū)將力爭北方微電子研究院落戶傳感谷，北方傳感、數(shù)碼雷管等項目當(dāng)年簽約、當(dāng)年投產(chǎn)；跟蹤慧聞科技、微納矽邦半導(dǎo)體等小巨人企業(yè)發(fā)展動向，推動芯動聯(lián)科向下游布局車規(guī)級封裝項目、推動希磁科技謀劃自建8英寸線（IDM），謀劃引入積塔碳化硅6英寸線等產(chǎn)業(yè)鏈重點項目。
總投資40億，中欣晶圓12英寸硅片外延項目正式竣工投運
據(jù)麗水經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，12月9日，浙江麗水中欣晶圓12英寸硅片外延項目舉行竣工投運儀式，標志著該項目首期正式投入運行。
公開資料顯示，浙江麗水中欣晶圓成立于2021年11月2日，其旗下的麗水中欣晶圓外延項目，是麗水培育半導(dǎo)體全鏈條產(chǎn)業(yè)的龍頭項目，項目總投資40億元，將在麗水經(jīng)開區(qū)首期建設(shè)年產(chǎn)120萬片8英寸的生產(chǎn)線（以特殊需求外延片為主）、240萬片12英寸外延片生產(chǎn)線，未來可擴產(chǎn)至年產(chǎn)240萬片8英寸外延片、360萬片12英寸外延片生產(chǎn)線，全部達產(chǎn)后年產(chǎn)值將在50億元左右。
該項目于2021年9月簽約，2021年11月17日，麗水中欣晶圓外延項目舉行開工儀式后，迅速進入基礎(chǔ)施工。在各方的共同努力下，僅用88個工作日，該項目便于今年5月實現(xiàn)了主體結(jié)構(gòu)封頂。麗水中欣晶圓外延項目還被正式納入了2022年浙江省重點建設(shè)項目計劃。
百億級半導(dǎo)體項目落戶陜西西咸新區(qū)
據(jù)西咸新區(qū)公眾號消息，近日，陜西省西咸新區(qū)涇河新城與江西譽鴻錦材料科技有限公司在北京簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，總投資116億元的西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項目正式落戶涇河新城。
據(jù)了解，氮化鎵（GaN）作為研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊發(fā)展前景。西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項目將以第三代化合物半導(dǎo)體材料氮化鎵為核心內(nèi)容，建立第三代化合物半導(dǎo)體研發(fā)中心，開展氮化鎵基半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān)、新品研發(fā)等工作。
項目達產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)值500億元，實現(xiàn)年上繳稅收約25億元。同時，將進一步帶動相關(guān)上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)入駐，全力助推氮化鎵電子器件和高端光電器件等在涇河新城實現(xiàn)“中國智造”。以此次簽約為標志，涇河新城將在產(chǎn)業(yè)布局上形成光伏、新能源新材料、半導(dǎo)體芯片三大產(chǎn)業(yè)鼎足之勢。
國芯RISC-V芯片架構(gòu)總部等12個集成電路產(chǎn)業(yè)項目簽約落戶無錫
12月10日，據(jù)新民晚報報道，由江蘇集萃集成電路應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心和錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)共同承辦的“首屆長三角集成電路工業(yè)應(yīng)用一體化發(fā)展大會”在無錫錫山區(qū)舉行。
會上，集萃加速科技聯(lián)合實驗室、集萃華大九天EDA聯(lián)合實驗室、“集萃芯”省級眾創(chuàng)空間、無錫學(xué)院集萃集成電路協(xié)同創(chuàng)新中心、江南大學(xué)集萃集成電路學(xué)院、長三角集成電路工業(yè)應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心揭牌；國芯RISC-V芯片架構(gòu)總部項目、優(yōu)倍新型工業(yè)測量與控制芯片組研發(fā)項目等12個集成電路產(chǎn)業(yè)項目簽約落戶，為錫山集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力。
據(jù)報道，長三角工業(yè)芯谷總建筑面積24萬平方米，聚焦工業(yè)升級、智能制造等領(lǐng)域，集聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)招引培育，推動芯片設(shè)計、裝備制造產(chǎn)業(yè)集聚優(yōu)化，打造“以園聚鏈、鏈路聚合”的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。園區(qū)目前已集聚集成電路企業(yè)60余家，力爭到2025年，引進培育優(yōu)質(zhì)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)100家以上，實現(xiàn)產(chǎn)值200億元以上，打造無錫集成電路產(chǎn)業(yè)版圖上重要一極。
作為長三角工業(yè)芯谷的核心創(chuàng)新平臺，江蘇集萃集成電路應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心自2020年落地至今，在平臺能力建設(shè)、人才項目引育、關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)等方面，均取得了豐碩成果。目前已集聚人才140余人；打造芯片全流程設(shè)計服務(wù)平臺、長三角車規(guī)級芯片檢則中心、基于SDR的DSP+工業(yè)5G公共服務(wù)平臺等核心能力；圍繞醫(yī)療器械、汽車電子、工業(yè)控制、5G通信等應(yīng)用領(lǐng)域，組織“揭榜掛帥”聯(lián)合攻關(guān)項目2項，落地“撥投結(jié)合”重大項目5項；與南京大學(xué)、東南大學(xué)、江南大學(xué)、無錫學(xué)院等高校合作，聯(lián)合培養(yǎng)集萃研究生30余人；推動成果轉(zhuǎn)化和企業(yè)孵化，引進孵化企業(yè)12家，服務(wù)企業(yè)40余家。
下階段，錫山將加快打造一流重大科創(chuàng)平臺，進一步強化江蘇集萃集成電路應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心、湖南大學(xué)無錫半導(dǎo)體先進制造創(chuàng)新中心等大院大所平臺的“硬核支撐”，以本次大會為契機，構(gòu)建覆蓋集成電路設(shè)計、裝備、材料全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展生態(tài)，全力打造輻射長三角區(qū)域的“錫山工業(yè)芯谷”產(chǎn)業(yè)地標。
募資18億！至純科技加碼半導(dǎo)體濕法設(shè)備模塊及零部件研發(fā)等項目
12月10日，至純科技發(fā)布公告稱，綜合考慮目前資本市場環(huán)境的變化，結(jié)合公司實際情況、發(fā)展規(guī)劃等諸多因素，公司計劃調(diào)整融資方式，決定終止公開發(fā)行A股可轉(zhuǎn)換公司債券事項并撤回申請文件，同時將融資方式調(diào)整為非公開發(fā)行股票。
據(jù)披露，至純科技擬向不超過35名特定投資者，定增募資18億元，扣除發(fā)行費用后，4億元用于單片濕法工藝模塊、核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，1.6億元用于至純北方半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)中心項目，7億元用于啟東半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地二期項目，剩余5.4億元用于補充流動資金或償還債務(wù)。
單片濕法工藝模塊、核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目基于公司現(xiàn)有28nm半導(dǎo)體濕法設(shè)備的研發(fā)及生產(chǎn)的技術(shù)積累，將針對14nm及以下工藝節(jié)點的高階單片濕法工藝模塊、單片式腔體及耐腐蝕性、高精密度的核心零部件進行研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
據(jù)悉，以上項目建成后將成為至純科技高階制程單片濕法裝備及零部件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地，在設(shè)計、制造及研發(fā)上實現(xiàn)從成熟制程往高階先進制程的路徑，裝備與核心零部件將形成雙向協(xié)同，項目達成后將形成高階制程單片濕法模塊年產(chǎn)100套，各類零部件年產(chǎn)近2000套，進一步提高生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品產(chǎn)能，是公司戰(zhàn)略目標達成的重要支撐。
至純北方半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)中心項目將基于公司現(xiàn)有成熟的半導(dǎo)體濕法設(shè)備以及系統(tǒng)集成及支持設(shè)備的工藝技術(shù)積累，同時基于北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)（亦莊）的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚和技術(shù)先進優(yōu)勢，在北京亦莊設(shè)立濕法設(shè)備、系統(tǒng)集成及支持設(shè)備及核心零部件的北方生產(chǎn)研發(fā)基地。本項目的實施將擴大至純科技生產(chǎn)規(guī)模、增強公司產(chǎn)品下游應(yīng)用領(lǐng)域，同時針對北方客戶需求對產(chǎn)品進行定制化研發(fā)以提升產(chǎn)品競爭力，鞏固并提升公司的行業(yè)地位。本項目達產(chǎn)后，公司預(yù)計將實現(xiàn)年產(chǎn)系統(tǒng)集成及支持設(shè)備30套、半導(dǎo)體濕法設(shè)備15臺、半導(dǎo)體零部件2,610套的生產(chǎn)能力。
安徽蚌埠經(jīng)開區(qū)：謀劃引入積塔碳化硅6英寸線等產(chǎn)業(yè)鏈重點項目
近日，安徽蚌埠經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管理委員會發(fā)布市經(jīng)開區(qū)2022年工作總結(jié)和2023年工作計劃。
蚌埠經(jīng)開區(qū)提到，在2022年主要工作，總投資50億元的8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目順利通過國家發(fā)改委窗口指導(dǎo)；總投資10億元的6英寸MEMS晶圓擴能項目（5000片）部分設(shè)備正在安裝調(diào)試，預(yù)計明年上半年達產(chǎn)；總投資11億元的融薇科技6英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目全套生產(chǎn)設(shè)備已運抵蚌埠，正在開展廠房裝修改造；總投資5億元的仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地、芯動聯(lián)科MEMS封裝測試生產(chǎn)及研發(fā)項目正加快建設(shè)，計劃年底前正式投產(chǎn)。
在2023年工作目標和主要舉措中，蚌埠經(jīng)開區(qū)指出將全力服務(wù)推進8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目和融薇科技6英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目（6000片）建成試運行；全力推進6英寸MEMS晶圓擴能項目（5000片）建成達產(chǎn)；力爭2023年底形成6吋MEMS晶圓11000片/月、8吋MEMS晶圓10000片/月產(chǎn)能。
圍繞晶圓代工核心能力，充分釋放封測核心產(chǎn)能，加快推進芯動聯(lián)科封測、仙羋智造功率模組等重點項目建成投產(chǎn)，服務(wù)推進禹芯半導(dǎo)體、希磁科技產(chǎn)業(yè)園等建成項目產(chǎn)能爬升，計劃到2023年底，園區(qū)封測企業(yè)實現(xiàn)產(chǎn)值超20億元。
同時，蚌埠經(jīng)開區(qū)將力爭北方微電子研究院落戶傳感谷，北方傳感、數(shù)碼雷管等項目當(dāng)年簽約、當(dāng)年投產(chǎn)；跟蹤慧聞科技、微納矽邦半導(dǎo)體等小巨人企業(yè)發(fā)展動向，推動芯動聯(lián)科向下游布局車規(guī)級封裝項目、推動希磁科技謀劃自建8英寸線（IDM），謀劃引入積塔碳化硅6英寸線等產(chǎn)業(yè)鏈重點項目。
