重大突破！日前，國內(nèi)西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標志著該校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進展。

第四代半導(dǎo)體是指以氧化鎵（Ga2O3)和銻化物等為代表的半導(dǎo)體材料，相比其他半導(dǎo)體材料，第四代半導(dǎo)體材料擁有體積更小，能耗更低，功能更強等優(yōu)勢，可以在苛刻的條件下能夠更好地運用在光電器件，電力電子器件中。

藍曉科技：公司為氧化鋁企業(yè)提供拜耳母液提鎵技術(shù)和運營服務(wù)，客戶使用公司吸附分離技術(shù)所提取鎵產(chǎn)品通常為4N（純度99.99%以上，雜質(zhì)總含量小于100ppm），銷售給下游精鎵企業(yè)。

天準科技：公司的全資德國Muetec子公司產(chǎn)品在第三代半導(dǎo)體及第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域有著非常強的競爭力。

新湖中寶：公司于2021年投資了杭州富加鎵業(yè)有限公司，目前持股比例22.22%。富加鎵業(yè)專注于寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的研發(fā)，團隊的氧化鎵晶體材料及器件基礎(chǔ)研究成果，多篇科研論文已發(fā)表在國際頂級學(xué)術(shù)期刊上，與全球科研工作者共享最新研究成果，共同推動全球第四代半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)的發(fā)展。

航天電子：公司表示氧化鎵Ga203屬于第四代半導(dǎo)體材料，氧化鎵材料具有比第三代半導(dǎo)體材料更寬的禁帶寬度等技術(shù)優(yōu)勢，應(yīng)用前景廣闊，子公司時代民芯公司正在該領(lǐng)域開展技術(shù)研究和布局。

中兵紅箭：公司研發(fā)的是金剛石半導(dǎo)體材料，具有超寬帶隙特性的第三代半導(dǎo)體材料性能更為優(yōu)越。其中金剛石集高硬度，超寬帶隙，出色的載流子遷移率和優(yōu)異的導(dǎo)熱性能于一身，被科學(xué)家們譽為“終極”半導(dǎo)體材料。

光智科技：公司于2021年成功研制出13N超高純鍺單晶，突破了國外長期對超高純鍺的壟斷?；衔锇雽?dǎo)體材料銻化鎵（GaSb），銻化銦（InSb），鍗鋅鎘（CdZnTe）初步產(chǎn)能建設(shè)完成，GaSb單晶實現(xiàn)低位錯大尺寸產(chǎn)品研發(fā)，已給部分客戶送樣驗證，并接到小批量訂單。

南大光電：公司是全球主要的MO源供應(yīng)商，部分產(chǎn)品可以用于制備氧化鎵。

阿石創(chuàng)：可根據(jù)客戶需要為其定制化生產(chǎn)氧化鎵及氧化鎵混合物類的靶材產(chǎn)品。