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全球晶圓廠前端設(shè)施設(shè)備支出預(yù)計(jì)將從 2022 年創(chuàng)紀(jì)錄的 980 億美元同比下降 22% 至 2023 年的 760 億美元。SEMI在其最新的季度世界晶圓廠預(yù)測報(bào)告中宣布，到 2024 年同比增長 21% 至 920 億美元。2023 年的下降將源于芯片需求疲軟以及消費(fèi)和移動設(shè)備庫存增加。半導(dǎo)體制造業(yè)似乎在幾個(gè)月內(nèi)發(fā)生了翻天覆地的變化，多個(gè)晶圓廠的建設(shè)和擴(kuò)張放緩或推遲。美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示：“我們大幅削減了資本支出，現(xiàn)在預(yù)計(jì) 2023 財(cái)年資本支出約為 80 億美元，同比下降 30% 以上。WFE 資本支出將同比下降近 50%，這反映出我們的 1-beta DRAM 和 232 層 NAND 的增長速度與之前的預(yù)期相比要慢得多?！?/p>其他內(nèi)存供應(yīng)商也將效仿，三星和鎧俠宣布削減價(jià)格、晶圓開工或制造設(shè)備支出。值得注意的是，美光和其他公司將繼續(xù)建造晶圓廠設(shè)施，并保持現(xiàn)有的 EUV 訂單到位。他們將大大推遲在 DUV 和其他制造工具上的設(shè)備支出。NAND 與 DRAM 行業(yè)的支出概況和削減程度將有所不同。在英特爾方面，隨著業(yè)務(wù)大幅放緩，英特爾是否會削減產(chǎn)能擴(kuò)張支出存在許多疑問。不過，供應(yīng)鏈已經(jīng)傳出供應(yīng)商被取消訂單。轉(zhuǎn)向臺積電這個(gè)行業(yè)巨頭，由于2023年第一季度 7nm 晶圓的產(chǎn)能過剩，他們正在放緩建設(shè)步伐。3nm 節(jié)點(diǎn)的擴(kuò)展也非常緩慢。與之前的計(jì)劃相比，N3 的擴(kuò)建計(jì)劃要溫和得多。三星也在大幅削減擴(kuò)建。這不僅與存儲有關(guān)。這是由于移動領(lǐng)域的大幅放緩、代工和系統(tǒng) LSI 的份額損失。特別是，三星向平澤 P3晶圓廠設(shè)備的擴(kuò)張正在放緩。值得注意的是，三星的 3nm 節(jié)點(diǎn)沒有真正的旗艦 Exynos 產(chǎn)品。即使是 2024 年的旗艦智能手機(jī)芯片 Exynos 2400，仍然基于其較舊的 4nm 級技術(shù)。奇怪的是，盡管封裝行業(yè)的放緩程度遠(yuǎn)大于晶圓級制造行業(yè)，但三星仍在越南新工廠接手晶圓級封裝設(shè)備的訂單。2024年的晶圓廠設(shè)備支出復(fù)蘇將在一定程度上受到 2023 年半導(dǎo)體庫存調(diào)整結(jié)束以及高性能計(jì)算 (HPC) 和汽車領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體的需求增強(qiáng)的推動。SEMI的總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha 表示：“本季度的 SEMI 世界晶圓廠預(yù)測更新提供了我們對 2024 年的初步展望，強(qiáng)調(diào)了全球晶圓廠產(chǎn)能的穩(wěn)步擴(kuò)張，以支持由汽車和計(jì)算領(lǐng)域以及一系列新興應(yīng)用推動的未來半導(dǎo)體行業(yè)增長。”。報(bào)告指出，明年設(shè)備投資將健康增長 21%。
