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◆高連興
2023年1月底，由于美國方面的要求，日本可能出臺針對中國半導體出口限制與管控的政策，以此達到鉗制中國尖端半導體發(fā)展的目的。盡管該政策尚未正式出臺，但多家日本企業(yè)表示：已經(jīng)開始在部分設備上減少中國方面的訂單。然而，中國半導體領域的發(fā)展，恐怕會讓日本與背后的美國計劃落空。中國并沒有因為技術封鎖而停滯不前，反而在這樣的大環(huán)境下不斷突破半導體領域的瓶頸。2023年2月，國際固態(tài)電路大會（ISSCC 2023）在美國舊金山舉行，這也是半導體領域每年最重要的國際會議，始于1953年，被譽為“集成電路設計領域的奧林匹克大會”。本屆ISSCC會議共錄用同行評審論文198篇，其中來自中國的數(shù)據(jù)最為亮眼：中國帶來了49篇前沿研究論文，13篇源于清華大學，6篇源自北京大學。中國在論文數(shù)據(jù)上超過美國與韓國，首次居于首位。論文數(shù)量創(chuàng)造新高，意味著中國在半導體理論研究領域正在實現(xiàn)不斷突破。中國通過本國的科研人員與機構(gòu)不斷探索，并沒有被惡劣的外部環(huán)境影響。上世紀50至60年代，百廢待興的中國在技術完全被封鎖的條件下，依靠自己的研究與實驗，實現(xiàn)了“兩彈一星”的夢想。今天的半導體領域，中國也在復制這一奇跡。除了在基礎理論研究領域，半導體應用領域，中國也在不斷突破。2022年，中國已經(jīng)開發(fā)出6英寸導電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底，這一技術突破完全由中國企業(yè)與科研團隊完成，包括山東天岳公司、北京天科合達公司、山東大學、中科院物理所和中科院半導體所等，企業(yè)將科研單位的技術進行轉(zhuǎn)化，在SiC單晶襯底技術上形成自主技術體系。而在重要的閃存存儲領域，中國長江存儲科技也實現(xiàn)了技術方面的新突破，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存。在此之前，該領域被韓國三星電子、日本凱俠、美國美光科技近乎壟斷。最受關注的華為，是被技術、設備進口限制最多的中國企業(yè)。但華為依然在不斷突破技術方面的壁壘，例如已經(jīng)實現(xiàn)了6GTKμ極致連接無線傳輸平臺的建設，可以同時覆蓋3GPP n257、n258、 n261頻段的5G毫米波CMOS相控陣芯片，完美打破了西方國家封鎖。基礎理論研究與應用領域的雙突破，讓日本對于中國的半導體出口限制意義已經(jīng)越來越小，反而還對本國企業(yè)的經(jīng)營造成了影響。東京電子公司財務部總經(jīng)理川本弘就曾表示，由于相關政策的收緊，導致該企業(yè)的收入下降明顯，價值超過2.2億美元。英國研究公司OMDIA高級咨詢總監(jiān)南川更是表示：“日本企業(yè)針對中國的一半以上的業(yè)務可能會消失?！弊罱K的結(jié)果，是日本企業(yè)正常經(jīng)營受到干擾，甚至會因為缺少中國訂單導致經(jīng)營無力為繼。不可否認，在核心半導體領域，美國、日本、荷蘭依然具有非常強的優(yōu)勢，但在中國不斷加大研究力度的背景下，這種差距會越來越小。數(shù)據(jù)顯示，僅2022年，中國在半導體投資就高達1.4萬億元，其中芯片設計產(chǎn)業(yè)成為主力，投資規(guī)模超5600億元。日本因為美國的脅迫對中國開展半導體出口限制，不僅沒有讓中國半導體的發(fā)展停下腳步，反而給兩國之間的交往制造裂痕。日本應當反思這樣的技術封鎖是否有意義，否則最終結(jié)果很有可能是兩頭不討好，反而搬起石頭砸了自己的腳！
2023年1月底，由于美國方面的要求，日本可能出臺針對中國半導體出口限制與管控的政策，以此達到鉗制中國尖端半導體發(fā)展的目的。盡管該政策尚未正式出臺，但多家日本企業(yè)表示：已經(jīng)開始在部分設備上減少中國方面的訂單。然而，中國半導體領域的發(fā)展，恐怕會讓日本與背后的美國計劃落空。中國并沒有因為技術封鎖而停滯不前，反而在這樣的大環(huán)境下不斷突破半導體領域的瓶頸。2023年2月，國際固態(tài)電路大會（ISSCC 2023）在美國舊金山舉行，這也是半導體領域每年最重要的國際會議，始于1953年，被譽為“集成電路設計領域的奧林匹克大會”。本屆ISSCC會議共錄用同行評審論文198篇，其中來自中國的數(shù)據(jù)最為亮眼：中國帶來了49篇前沿研究論文，13篇源于清華大學，6篇源自北京大學。中國在論文數(shù)據(jù)上超過美國與韓國，首次居于首位。論文數(shù)量創(chuàng)造新高，意味著中國在半導體理論研究領域正在實現(xiàn)不斷突破。中國通過本國的科研人員與機構(gòu)不斷探索，并沒有被惡劣的外部環(huán)境影響。上世紀50至60年代，百廢待興的中國在技術完全被封鎖的條件下，依靠自己的研究與實驗，實現(xiàn)了“兩彈一星”的夢想。今天的半導體領域，中國也在復制這一奇跡。除了在基礎理論研究領域，半導體應用領域，中國也在不斷突破。2022年，中國已經(jīng)開發(fā)出6英寸導電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底，這一技術突破完全由中國企業(yè)與科研團隊完成，包括山東天岳公司、北京天科合達公司、山東大學、中科院物理所和中科院半導體所等，企業(yè)將科研單位的技術進行轉(zhuǎn)化，在SiC單晶襯底技術上形成自主技術體系。而在重要的閃存存儲領域，中國長江存儲科技也實現(xiàn)了技術方面的新突破，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存。在此之前，該領域被韓國三星電子、日本凱俠、美國美光科技近乎壟斷。最受關注的華為，是被技術、設備進口限制最多的中國企業(yè)。但華為依然在不斷突破技術方面的壁壘，例如已經(jīng)實現(xiàn)了6GTKμ極致連接無線傳輸平臺的建設，可以同時覆蓋3GPP n257、n258、 n261頻段的5G毫米波CMOS相控陣芯片，完美打破了西方國家封鎖。基礎理論研究與應用領域的雙突破，讓日本對于中國的半導體出口限制意義已經(jīng)越來越小，反而還對本國企業(yè)的經(jīng)營造成了影響。東京電子公司財務部總經(jīng)理川本弘就曾表示，由于相關政策的收緊，導致該企業(yè)的收入下降明顯，價值超過2.2億美元。英國研究公司OMDIA高級咨詢總監(jiān)南川更是表示：“日本企業(yè)針對中國的一半以上的業(yè)務可能會消失?！弊罱K的結(jié)果，是日本企業(yè)正常經(jīng)營受到干擾，甚至會因為缺少中國訂單導致經(jīng)營無力為繼。不可否認，在核心半導體領域，美國、日本、荷蘭依然具有非常強的優(yōu)勢，但在中國不斷加大研究力度的背景下，這種差距會越來越小。數(shù)據(jù)顯示，僅2022年，中國在半導體投資就高達1.4萬億元，其中芯片設計產(chǎn)業(yè)成為主力，投資規(guī)模超5600億元。日本因為美國的脅迫對中國開展半導體出口限制，不僅沒有讓中國半導體的發(fā)展停下腳步，反而給兩國之間的交往制造裂痕。日本應當反思這樣的技術封鎖是否有意義，否則最終結(jié)果很有可能是兩頭不討好，反而搬起石頭砸了自己的腳！
