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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策梳理與分析:集成電路政策力度有望加大

作者:未來(lái)智庫(kù) 來(lái)源: 頭條號(hào) 74303/09

(報(bào)告出品方:中信證券)歷史復(fù)盤(pán):政策持續(xù)扶持,促進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策梳理:站在國(guó)家戰(zhàn)略高度,多管齊下助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展2000 年以來(lái),國(guó)家不斷提升半導(dǎo)體行業(yè)的戰(zhàn)略地位,通過(guò)各種政策持續(xù)大力扶持國(guó) 內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2000 年,國(guó)

標(biāo)簽:

(報(bào)告出品方:中信證券)

歷史復(fù)盤(pán):政策持續(xù)扶持,促進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

政策梳理:站在國(guó)家戰(zhàn)略高度,多管齊下助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2000 年以來(lái),國(guó)家不斷提升半導(dǎo)體行業(yè)的戰(zhàn)略地位,通過(guò)各種政策持續(xù)大力扶持國(guó) 內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2000 年,國(guó)務(wù)院發(fā)布《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干 意見(jiàn)》,對(duì)國(guó)內(nèi)集成電路行業(yè)首次提出稅收優(yōu)惠;2006 年,國(guó)務(wù)院發(fā)布《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué) 和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020 年)》,正式提出 01 專(zhuān)項(xiàng)和 02 專(zhuān)項(xiàng)的概念;2013 年, 發(fā)改委發(fā)布《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》,將集成電路測(cè)試設(shè)備列入戰(zhàn)略 性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品目錄;2015 年,國(guó)務(wù)院發(fā)布《中國(guó)制造 2025》,將集成電路及專(zhuān)用裝 備作為“新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”納入大力推動(dòng)發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域;2020 年,發(fā)改委、國(guó)務(wù) 院發(fā)布《鼓勵(lì)外商投資產(chǎn)業(yè)目錄(2020 年版)》,鼓勵(lì)外資向半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域投資;2021 年,全國(guó)兩會(huì)發(fā)布《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和 2035 年遠(yuǎn) 景目標(biāo)綱要》,提出加強(qiáng)在人工智能、量子計(jì)算、集成電路前沿領(lǐng)域的前瞻性布局;2022 年,教育部、財(cái)政部、發(fā)改委聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于深入推進(jìn)世界一流大學(xué)和一流學(xué)科建設(shè)的若 干意見(jiàn)》,提出加強(qiáng)集成電路、人工智能等領(lǐng)域人才的培養(yǎng)。綜合來(lái)看,國(guó)家持續(xù)對(duì)半導(dǎo) 體產(chǎn)業(yè)推出各項(xiàng)鼓勵(lì)政策,站在國(guó)家戰(zhàn)略高度對(duì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提出頂層規(guī)劃,自上而下地進(jìn) 行多角度、全方位的扶持,加速產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,具體措施包括財(cái)稅政策、研發(fā)項(xiàng)目支持、產(chǎn) 業(yè)投資、人才補(bǔ)貼等。

1、財(cái)稅政策:集成電路各板塊均享受所得稅優(yōu)惠政策,其中 IC 設(shè)計(jì)類(lèi)企 業(yè)優(yōu)惠力度最大

國(guó)家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的稅收優(yōu)惠始于 2000 年,近二十年來(lái)持續(xù)扶持,彰顯發(fā)展決心。 2000 年 6 月,國(guó)家經(jīng)貿(mào)委政策司與信息產(chǎn)業(yè)部組成聯(lián)合小組起草形成的《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè) 和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》,是我國(guó)首次針對(duì)集成電路提供稅收優(yōu)惠,俗稱(chēng)“18 號(hào) 文”,覆蓋 IC 設(shè)計(jì)、軟件、及部分 IC 制造企業(yè)。2011 年,18 號(hào)文到期后,國(guó)務(wù)院再次發(fā) 布新政策(4 號(hào)文)將優(yōu)惠期延續(xù)至 2017 年底,并提高部分 IC 制造企業(yè)的優(yōu)惠力度。2015 年,政府將所得稅優(yōu)惠政策的受益范圍擴(kuò)大至“封測(cè)、關(guān)鍵材料、關(guān)鍵設(shè)備”。2018 年, 進(jìn)一步延長(zhǎng) IC 生產(chǎn)企業(yè)的政策優(yōu)惠年限,提高 2018 年后新成立 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)的優(yōu)惠標(biāo)準(zhǔn), 同時(shí)新設(shè)立項(xiàng)目也可以享受稅收優(yōu)惠。2019 年以來(lái),我國(guó)針對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)出臺(tái)多 項(xiàng)優(yōu)惠政策,包括設(shè)計(jì)、裝備、材料、封裝、測(cè)試企業(yè)和軟件等環(huán)節(jié),彰顯政府對(duì)集成電 路產(chǎn)業(yè)的高度重視和發(fā)展決心。


目前集成電路各板塊均享受所得稅優(yōu)惠政策,其中重點(diǎn) IC設(shè)計(jì)類(lèi)企業(yè)優(yōu)惠力度最大。 根據(jù)歷年優(yōu)惠政策梳理,我們總結(jié)出當(dāng)前時(shí)點(diǎn)集成電路各板塊的所得稅優(yōu)惠情況,包括: 1)IC 設(shè)計(jì):自 2020 年 1 月 1 日起,國(guó)家鼓勵(lì)的重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè),自獲利年度起, 第一年至第五年免征企業(yè)所得稅,接續(xù)年度減按 10%的稅率征收企業(yè)所得稅;2)IC 制造: 新老企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不同,以新企業(yè)為例,門(mén)檻較高的企業(yè)享受“五免五減半”,門(mén)檻較低的享 受“兩免三減半”等;3)封測(cè)、材料、設(shè)備:2020 年 1 月 1 日起,國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路 設(shè)計(jì)、裝備、材料、封裝、測(cè)試企業(yè),自獲利年度起,第一年至第二年免征企業(yè)所得稅, 第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅(“兩免三減半”)。

多家上市公司多年來(lái)持續(xù)享受相關(guān)優(yōu)惠政策,半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及軟件上市企業(yè)適用稅率最 為優(yōu)惠。我們統(tǒng)計(jì)了板塊部分上市公司歷年來(lái)的所得稅優(yōu)惠稅率情況,2019-2021 年間絕 大多數(shù)上市公司享受了所得稅優(yōu)惠政策。上市公司中,半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司多滿足國(guó)家規(guī)劃布 局內(nèi)重點(diǎn)企業(yè)標(biāo)準(zhǔn),適用 10%的所得稅率,享受最優(yōu)惠稅率,部分子公司滿足“兩免三減 半”標(biāo)準(zhǔn);較為先進(jìn)的半導(dǎo)體制造企業(yè)如中芯國(guó)際子公司適用“五免五減半”、“三免兩減 半”和“十年免稅”等標(biāo)準(zhǔn),適用于 0%、10%、12.5%或 15%等優(yōu)惠稅率;半導(dǎo)體封測(cè)、 材料、設(shè)備公司主要適用于 15%的優(yōu)惠稅率。

2、重大專(zhuān)項(xiàng):專(zhuān)注于核心技術(shù)突破和構(gòu)建,加速構(gòu)建集成電路自主產(chǎn)業(yè)鏈

國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)為集成電路技術(shù)發(fā)展發(fā)揮了重要作用。2006 年,國(guó)家組織大批頂 尖專(zhuān)家,研究編制《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020)》,并通過(guò)規(guī)劃確 定了我國(guó)到 2020 年科技發(fā)展的 16 個(gè)重大專(zhuān)項(xiàng),其中涉及集成電路的有 2 項(xiàng),分別是“核 心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”(“01 專(zhuān)項(xiàng)”或“核高基專(zhuān)項(xiàng)”)和“極大規(guī) 模集成電路制造裝備與成套工藝”(“02 專(zhuān)項(xiàng)”)。

——01 專(zhuān)項(xiàng)的目標(biāo):到 2020 年,我國(guó)在高端通用芯片、基礎(chǔ)軟件和核心電子器件領(lǐng) 域基本形成具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的高新技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新體系,并在全球電子信息技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā) 展中發(fā)揮重要作用;我國(guó)信息技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展環(huán)境得到大幅優(yōu)化,擁有一支國(guó)際化的、高 層次的人才隊(duì)伍,形成比較完善的自主創(chuàng)新體系,為我國(guó)進(jìn)入創(chuàng)新型國(guó)家行列做出重大貢 獻(xiàn)。根據(jù) 2017 年“核高基”國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)成果發(fā)布會(huì)公布的數(shù)據(jù),在重大專(zhuān)項(xiàng)支持 下,我國(guó)核心電子器件關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破,總體技術(shù)水平實(shí)現(xiàn)了跨越發(fā)展,核心電子 器件與國(guó)外差距由 15 年以上縮短到 5 年,成功構(gòu)建了系列高端技術(shù)平臺(tái),核心電子器件 長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的“卡脖子”問(wèn)題得到緩解,支撐裝備核心電子器件自主保障率從不足 30% 提升到 85%以上。

——02 專(zhuān)項(xiàng)的目標(biāo):“十一五”期間(2006-2010 年),重點(diǎn)實(shí)現(xiàn) 90 納米制造裝備 產(chǎn)品化,若干關(guān)鍵技術(shù)和元部件國(guó)產(chǎn)化;研究開(kāi)發(fā)出 65 納米制造裝備樣機(jī);突破 45 納米 以下若干關(guān)鍵技術(shù)?!笆濉逼陂g(2011-2015 年),重點(diǎn)實(shí)施的內(nèi)容和目標(biāo)包括:重 點(diǎn)進(jìn)行 45-22 納米關(guān)鍵制造裝備攻關(guān),開(kāi)發(fā) 32-22 納米 CMOS 工藝、90-65 納米特色工藝, 開(kāi)展 22-14 納米前瞻性研究,形成 65-45 納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造 產(chǎn)業(yè)鏈,進(jìn)一步縮小與世界先進(jìn)水平差距,裝備和材料占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的份額分別達(dá)到 10%和 20%,開(kāi)拓國(guó)際市場(chǎng)。專(zhuān)項(xiàng)的實(shí)施周期為 2006-2021 年,歷時(shí)十五年,相關(guān)企業(yè)、科研單位承擔(dān)了眾多技術(shù)專(zhuān)項(xiàng),完成了諸多技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。不同于產(chǎn)業(yè)自發(fā)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè) 升級(jí),02 專(zhuān)項(xiàng)系統(tǒng)地分析了集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié),明確了重要的薄弱環(huán)節(jié),由相關(guān) 企業(yè)、單位集中進(jìn)行技術(shù)突破,通過(guò)科學(xué)審慎的統(tǒng)籌規(guī)劃,極大地加速了集成電路自主化 產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè),縮短了追趕周期,為集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步的發(fā)展提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)和 產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。我們統(tǒng)計(jì)了“02 專(zhuān)項(xiàng)”的重點(diǎn)投資領(lǐng)域,重點(diǎn)支持的對(duì)象為半 導(dǎo)體設(shè)備公司、半導(dǎo)體材料公司及半導(dǎo)體晶圓制造和封測(cè)公司。

3、融資支持:大基金直投+撬動(dòng)地方資金,為產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵企業(yè)提供資金支 持

大基金直接投資集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵企業(yè),提供資金支持,覆蓋芯片全產(chǎn)業(yè)鏈。國(guó)家大 基金是指國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,成立于 2014 年 9 月 24 日,目標(biāo)為推進(jìn)中國(guó)芯片產(chǎn) 業(yè)發(fā)展直接進(jìn)行產(chǎn)業(yè)投資。項(xiàng)目一期投資期限為 5 年,即 2014-2019 年,項(xiàng)目二期已于 2019 年 10 月注冊(cè)。大基金投資項(xiàng)目覆蓋了芯片全產(chǎn)業(yè)鏈,包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測(cè)、裝備、 材料等。其中,大基金一期投資超千億,撬動(dòng)資金超 6500 億,聚焦制造、設(shè)計(jì)環(huán)節(jié);大 基金二期募資規(guī)模超 2000 億元,資金來(lái)源更加多樣化,增加材料、設(shè)備、下游應(yīng)用端投 資。


大基金一期投資超千億,撬動(dòng)資金超 6,500 億,聚焦制造和設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。大基金一期初 期募資 987 億元,主要股東為國(guó)家財(cái)政部(36.47%)、國(guó)開(kāi)金融有限責(zé)任公司(22.29%)、 中國(guó)煙草總公司(11.14%)、亦莊國(guó)投(10.13%)等,后續(xù)募資規(guī)模提升至 1,387 億元, 實(shí)際投資超千億元,主要投資于各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中的龍頭企業(yè)和特色企業(yè),總計(jì)約 60 家, 撬動(dòng)超 6,500 億元資金進(jìn)入芯片產(chǎn)業(yè)。根據(jù)“芯思想”匯總,從投資分布上看,大基金一 期投向聚焦 IC 制造(63%)、IC 設(shè)計(jì)(20%)、封裝測(cè)試(10%)和設(shè)備材料(7%)等環(huán) 節(jié)。

大基金二期募資規(guī)模超 2,000 億元,資金來(lái)源更加多樣化,增加材料、設(shè)備、下游應(yīng) 用端投資。大基金二期于 2019 年 10 月成立,注冊(cè)資本達(dá) 2,041.5 億元,相比一期,股東 資金來(lái)源更為多樣化,多個(gè)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)積極參與,主要股東包括財(cái)政部 (11.02%)、國(guó)開(kāi)金融有限責(zé)任公司(10.78%)、重慶戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金合伙 企業(yè)(7.35%)、浙江富浙集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司(7.35%)、武漢光谷金融控股集團(tuán) 有限公司(7.35%)、上海國(guó)盛有限公司(7.35%)、成都天府國(guó)集投資有限公司(7.35%) 等。大基金二期會(huì)繼續(xù)承接一期的芯片產(chǎn)業(yè)鏈,提升設(shè)備與材料領(lǐng)域的投資比重,同時(shí)積 極響應(yīng)國(guó)家戰(zhàn)略和新興行業(yè)發(fā)展規(guī)劃,加大對(duì)下游應(yīng)用端的投資,比如智能汽車(chē)、智能電 網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G 等領(lǐng)域,以需求推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,爭(zhēng)取實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè) 的技術(shù)創(chuàng)新。截至 2022 年 3 月 31 日,大基金二期已宣布投資 38 家公司,累計(jì)協(xié)議出資 790 億元,涵蓋芯片設(shè)計(jì)工具(EDA,電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè) 試、集成電路裝備、零部件、材料及應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈多個(gè)環(huán)節(jié)。

——其中制造領(lǐng)域投資晶圓制造(包括晶圓廠、IDM 垂直整合制造、存儲(chǔ))環(huán)節(jié)依然 是大基金投資的重頭,占比達(dá) 75%,先后投資了長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期,中芯國(guó)際及公司旗下中芯 南方、中芯北方、中芯深圳、中芯東方,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司睿力集成,華潤(rùn)微旗下潤(rùn)西微電 子(重慶)有限公司,富芯半導(dǎo)體,士蘭微(旗下士蘭集科)等。

——大基金二期投資的第一家集成電路設(shè)備零部件公司為萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下浙江鐠芯,投 資的第一家光掩模公司為廣州新銳光掩??萍加邢薰?,投資的第一家光刻膠材料公司是 南大光電,投資的第一家電子特氣公司為中船(邯鄲)派瑞特種氣體股份有限公司(派瑞 特氣),投資的第一家 MES 軟件商為上揚(yáng)軟件(上海)有限公司。

——在裝備及零部件、材料及軟件領(lǐng)域,大基金二期還投資了 EDA 軟件初創(chuàng)公司上 海合見(jiàn)工業(yè)軟件集團(tuán)有限公司、電子化學(xué)品公司興發(fā)集團(tuán)旗下興福電子、封裝載板公司深 南電路等。此外,在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域,大基金二期還投資了紫光展銳、慧智微、思特威等公 司;在設(shè)備領(lǐng)域,大基金二期投資了至純科技(旗下至微半導(dǎo)體),繼續(xù)扶持了北方華創(chuàng)、 中微公司、長(zhǎng)川科技等公司,并參與了格科微、翱捷科技等公司的 IPO 戰(zhàn)略配售。

4、其他配套政策:重點(diǎn)地區(qū)出臺(tái)相關(guān)政策,針對(duì)各環(huán)節(jié)出臺(tái)激勵(lì)措施

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)地區(qū)亦紛紛出臺(tái)相關(guān)補(bǔ)貼政策、成立地方專(zhuān)項(xiàng)基金,推進(jìn)各地區(qū)集成 電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2022 年以來(lái),為了扶持當(dāng)?shù)丶呻娐樊a(chǎn)業(yè),各地方紛紛出臺(tái)相關(guān)文件, 對(duì)本地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(包括設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備、零部件、材料等環(huán)節(jié))提供政策、資金補(bǔ) 助、土地優(yōu)惠、項(xiàng)目獎(jiǎng)勵(lì)和人才激勵(lì)等支持條件,強(qiáng)化在地化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的競(jìng)爭(zhēng)力。

——北京市:針對(duì)設(shè)計(jì)企業(yè)開(kāi)展批量驗(yàn)證流片及關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì);針對(duì)集成電 路企業(yè)購(gòu)買(mǎi)符合條件的 EDA 設(shè)計(jì)工具軟件進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì);針對(duì)相關(guān)公司進(jìn)行資金支持;針對(duì) 人才提供落戶服務(wù)、住房服務(wù)、子女入學(xué)、醫(yī)療服務(wù)等方面保障。

——上海市:給予集成電路設(shè)計(jì)、設(shè)備、材料和 EDA 研發(fā)團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)勵(lì)。

——廣州市:加強(qiáng)組織領(lǐng)導(dǎo),統(tǒng)籌安排集成電路行業(yè)的落地并解決問(wèn)題;加大財(cái)稅支 持力度,財(cái)政專(zhuān)項(xiàng)資金向集成電路產(chǎn)業(yè)傾斜,積極落實(shí)國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)所得稅優(yōu)惠政策; 加強(qiáng)人才培育引進(jìn),引進(jìn)一批國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體與集成電路領(lǐng)域人才。

——深圳市:對(duì)半導(dǎo)體與集成電路重大項(xiàng)目投資獎(jiǎng)勵(lì);裝備、大力培育引進(jìn)半導(dǎo)體與 集成電路設(shè)備、材料企業(yè),開(kāi)展核心設(shè)備及零部件、關(guān)鍵材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;鼓勵(lì)企業(yè) 間驗(yàn)證服務(wù),提供首臺(tái)套裝備、首批次新材料提供驗(yàn)證服務(wù)。

——遼寧?。汗膭?lì)重點(diǎn)企業(yè)以商招商,積極引進(jìn)省外具有獨(dú)立法人資格的集成電路裝 備整機(jī)及關(guān)鍵零部件配套企業(yè);對(duì)首次銷(xiāo)售自主研制的集成電路裝備整機(jī)或核心零部件產(chǎn) 品進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì);支持企業(yè)投資項(xiàng)目建設(shè)給予補(bǔ)助;支持企業(yè)研發(fā)投入,給予企業(yè)研發(fā)補(bǔ)助。

綜合來(lái)看,這些年從國(guó)家到地方先后出臺(tái)多項(xiàng)更有針對(duì)性、更有力度的扶持政策,推 進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。從宏觀層面上來(lái)看,在各級(jí)政府統(tǒng)一規(guī)劃和部署下,扶持政策聚焦 高端芯片、集成電路裝備和工藝技術(shù)、集成電路關(guān)鍵材料、集成電路設(shè)計(jì)工具、先進(jìn)存儲(chǔ)、 先進(jìn)計(jì)算、先進(jìn)制造、高端封裝測(cè)試、關(guān)鍵裝備材料、新一代半導(dǎo)體技術(shù)等關(guān)鍵“卡脖子” 領(lǐng)域,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)、加速突破基礎(chǔ)支撐環(huán)節(jié)、 聚力增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)能、構(gòu)建高質(zhì)量人才保障體系等內(nèi)容,以實(shí)現(xiàn)提高全要素生產(chǎn)率,提 升產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈韌性和安全水平。從微觀層面上來(lái)看,扶持政策深入財(cái)稅、融資、平臺(tái)、 對(duì)外開(kāi)放、進(jìn)出口政策、產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)、產(chǎn)業(yè)鏈孵化器等諸多細(xì)化抓手,對(duì)同等條件下優(yōu) 先使用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的廠商給予補(bǔ)助和支持,推進(jìn)高質(zhì)量企業(yè)培育,按照孵化培育、成 長(zhǎng)扶持、推動(dòng)壯大不同階段,給予差別化、全生命周期政策支持。這些宏觀和微觀上的政 策為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了可實(shí)際操作的行動(dòng)指南。

產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀:中低端環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代,部分高端核心 環(huán)節(jié)仍待突破

受益于國(guó)家在財(cái)稅優(yōu)惠、重大專(zhuān)項(xiàng)、融資支持及其他配套政策,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化進(jìn) 程加速推進(jìn)。在國(guó)內(nèi)全方位、多角度的產(chǎn)業(yè)支持下,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化水平不斷提升,特 別是 2018 年以來(lái)美國(guó)縮緊對(duì)華半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制裁,國(guó)產(chǎn)替代持續(xù)加速。在制造端和設(shè)備端, 近 5 年來(lái) IC 設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、設(shè)備材料等各環(huán)節(jié)中均有部分細(xì)分賽道的國(guó)產(chǎn) 化率實(shí)現(xiàn)快速提升,自主化產(chǎn)業(yè)鏈初具雛形。但也需要注意到,在關(guān)鍵芯片及設(shè)備領(lǐng)域,如芯片端的 CPU、GPU、DRAM、NAND Flash,設(shè)備端的光刻機(jī)、涂膠顯影設(shè)備等國(guó)產(chǎn) 化率仍處于較低水平,有待在新一輪的政策支持下,國(guó)產(chǎn)公司實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)突破。 國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程半導(dǎo)體領(lǐng)域在設(shè)計(jì)、設(shè)備、材料、晶圓制造和封測(cè)等環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率均有 較大提升空間。高端環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)替代是重點(diǎn)任務(wù)。

1)設(shè)計(jì):多而不強(qiáng),高端數(shù)字芯片待突破。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì) 分會(huì)年會(huì)數(shù)據(jù),2021 年(截至 12 月 1 日)我國(guó)擁有 2810 家芯片設(shè)計(jì)企業(yè),較 2020 年 末增加了 592 家,同比+26.7%,較 2017 年末的 1380 家實(shí)現(xiàn)翻倍以上增長(zhǎng);2021 年我 國(guó)集成電路設(shè)計(jì)銷(xiāo)售額約 4326.9 億元,同比+17%,從地域分布上看,我國(guó)集成電路設(shè)計(jì) 公司產(chǎn)值規(guī)模主要集中在上海、北京、深圳三座城市,分別為 1200/839/697 億元,對(duì)應(yīng) 占比 28%/19%/16%,其余廣泛分布于杭州、無(wú)錫、南京、西安、成都、武漢、珠海等城 市;從產(chǎn)品分布上看,2021 年通信/智能卡/計(jì)算機(jī)/多媒體/導(dǎo)航/模擬/功率/消費(fèi)類(lèi)分別占比 21%/4%/14%/3%/3%/15%/9%/32%,整體集中在中低端領(lǐng)域,如傳統(tǒng)消費(fèi)電子、普通工 控安防、智能設(shè)備周邊芯片等,但在先進(jìn) CPU、GPU、FPGA 及對(duì)應(yīng)的高端服務(wù)器、計(jì) 算機(jī)、算力設(shè)備等應(yīng)用仍較為薄弱。


2)設(shè)備:國(guó)產(chǎn)化加速,但高端仍任重道遠(yuǎn)。根據(jù)國(guó)內(nèi)部分晶圓廠設(shè)備招標(biāo)采購(gòu)數(shù)據(jù) 測(cè)算,部分推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化較快的典型晶圓廠(以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)為例)的設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率 (設(shè)備數(shù)量口徑)已經(jīng)能夠從 2018 年的 10.34%提升到 2022 年上半年的 24.38%,其中 化學(xué)機(jī)械拋光、清洗、氧化擴(kuò)散/熱處理、測(cè)試、刻蝕、薄膜沉積設(shè)備 2022H1 國(guó)產(chǎn)化率分 別為 50.0%/48.0%/35.3%/33.3%/31.8%/23.8%。根據(jù)我們測(cè)算,2022 年中國(guó)大陸半導(dǎo)體 設(shè)備產(chǎn)值有望達(dá)到超過(guò) 200 億元,而中國(guó)大陸的內(nèi)資晶圓廠(去除外商投資廠房)半導(dǎo)體 設(shè)備需求在 1500 億元左右,對(duì)應(yīng)國(guó)產(chǎn)化率(金額口徑)在 13%左右,尚有較大提升空間。 然而,半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)全球前 15 名均為美日歐廠商,中國(guó)大陸廠商在全球市場(chǎng)占比僅約 2%。國(guó)產(chǎn)替代能力從高到低大致排序:化學(xué)機(jī)械拋光、爐管、清洗、離子注入、薄膜(PVD/CVD)、刻蝕、量測(cè)、光刻,其中量測(cè)和光刻環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化替代最為迫切。

其中核心設(shè)備光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化率僅為 1.1%,國(guó)產(chǎn)廠商快速追趕,28nm ArFi 光刻機(jī)正 在研發(fā)。根據(jù)中國(guó)國(guó)際招標(biāo)采購(gòu)網(wǎng)站展示的 2015-2022 年長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華力集成、華虹無(wú)錫 等晶圓廠的公開(kāi)招標(biāo)數(shù)據(jù),共招標(biāo)光刻機(jī) 93 臺(tái),國(guó)產(chǎn)廠商中上海微電子僅于 2021 年初于 長(zhǎng)江存儲(chǔ)中標(biāo) 1 臺(tái),國(guó)產(chǎn)化率約為 1.1%,尚處于較低水平。從技術(shù)實(shí)力上看,國(guó)產(chǎn)光刻 機(jī)尚與國(guó)際先進(jìn)水平存在較大差距,主要體現(xiàn)在制程覆蓋上,但處于快速追趕階段。目前 國(guó)內(nèi)僅有上海微電子可以量產(chǎn)光刻機(jī),其最先進(jìn)的產(chǎn)品為 ArF Dry 光刻機(jī),型號(hào)為 SSA600/20,采用 1:4 鏡頭倍率,采用自適應(yīng)調(diào)焦調(diào)平技術(shù),可支持 90nm 制程;同時(shí)其 正在研究 28nm ArFi 光刻機(jī)。第五代 EUV 光刻機(jī)方面,國(guó)內(nèi)長(zhǎng)春光機(jī)所有布局相關(guān)研發(fā), 從上世紀(jì) 90 年代開(kāi)始,長(zhǎng)春光機(jī)所先后主導(dǎo)和參與了多項(xiàng) EUV 相關(guān)科研項(xiàng)目,積累了大 量相關(guān)經(jīng)驗(yàn)和優(yōu)秀人才。

3)材料:細(xì)分眾多,大硅片等積極推進(jìn)。集成電路制造材料包括硅晶圓、掩模、電 子氣體、工藝化學(xué)品、光刻膠、拋光材料、靶材、封裝材料等。高端材料方面我國(guó)綜合實(shí) 力不足。我們匯總了國(guó)內(nèi)主要晶圓廠的半導(dǎo)體材料供應(yīng)商,其中日本廠商約占 30%,美國(guó) 廠商約占 20%,國(guó)產(chǎn)化率在 20%~30%。部分核心材料如光刻膠,國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍有較大差距。

4)制造:國(guó)內(nèi)代差逐步縮小,晶圓代工廠建設(shè)蓬勃發(fā)展。目前全球領(lǐng)先的芯片制造 廠商臺(tái)積電已具備 3nm 芯片量產(chǎn)能力,并逐步向 2nm/1.4nm 先進(jìn)制程研發(fā)突破,我國(guó)大 陸廠商近年來(lái)取得高速發(fā)展,和國(guó)際先進(jìn)水平的代差逐步縮短。根據(jù)公司公告,中芯國(guó)際 已具備 14nm FinFET 量產(chǎn)能力,并持續(xù)推進(jìn)研發(fā)。除中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、長(zhǎng)江存儲(chǔ) 等第一梯隊(duì)廠商外,還有一批地方政府推進(jìn)項(xiàng)目,如合肥晶合、廣東粵芯和中芯紹興等。

5)封測(cè):差距縮小,中國(guó)大陸進(jìn)入第一梯隊(duì),高端待加強(qiáng)。目前 5G、物聯(lián)網(wǎng)、高性 能運(yùn)算等先進(jìn)芯片依賴于先進(jìn)封裝,國(guó)內(nèi)封測(cè)廠商受益先進(jìn)封裝需求快速增加,有望實(shí)現(xiàn) 快速增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)四大封測(cè)廠目前的先進(jìn)技術(shù)涵蓋 FC、SiP、晶圓級(jí)封裝、2.5D/3D,其中 晶圓級(jí)封裝、2.5D/3D 的技術(shù)與國(guó)際一線廠商相比仍然不足,長(zhǎng)電科技為國(guó)內(nèi)先進(jìn)技術(shù)涵 蓋范圍最廣的廠商,同時(shí)也具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先實(shí)力;通富微電主打 CPU/GPU 的先進(jìn)封裝;華 天科技晶圓級(jí)產(chǎn)品以晶圓級(jí) CIS 為主并涵括射頻 SiP;晶方科技以晶圓級(jí) 2.5D/3D 傳感器 為發(fā)展主軸。整體而言,中國(guó)的先進(jìn)封裝仍在快速發(fā)展期,長(zhǎng)電科技領(lǐng)先,通富微電、華 天科技及晶方科技次之。

經(jīng)驗(yàn)參考:全球多地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē) 產(chǎn)業(yè),政策加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展

為了進(jìn)一步對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的政策進(jìn)行分析,我們復(fù)盤(pán)美日韓、中國(guó)臺(tái)灣省等對(duì)當(dāng)?shù)匕?導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持政策及國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)行業(yè)的政策,從過(guò)往經(jīng)驗(yàn)中學(xué)習(xí)??梢钥偨Y(jié)出,政 府政策引導(dǎo)、優(yōu)秀人才培養(yǎng)、下游產(chǎn)業(yè)集群、持續(xù)資金投入是不可或缺的要素。從海外經(jīng) 驗(yàn)觀察,中國(guó)大陸半導(dǎo)體處在奮起追趕的發(fā)展黃金窗口期,產(chǎn)業(yè)發(fā)展任重道遠(yuǎn)。


美國(guó):試圖通過(guò)補(bǔ)貼政策及打擊挑戰(zhàn)者保持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期領(lǐng)先地位

從歷史發(fā)展來(lái)看,美國(guó)政府采取了較大力度的補(bǔ)貼措施,長(zhǎng)期支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 美國(guó)半導(dǎo)體補(bǔ)貼政策可從全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展變化趨勢(shì)的角度,區(qū)分為支持技術(shù)起步和商 業(yè)化、進(jìn)行貿(mào)易競(jìng)爭(zhēng)、強(qiáng)化生態(tài)建設(shè)、保護(hù)供應(yīng)鏈安全四個(gè)歷史階段。美國(guó)試圖通過(guò)半導(dǎo) 體補(bǔ)貼政策長(zhǎng)期保持全球發(fā)達(dá)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)地位,并力圖在當(dāng)前各個(gè)環(huán)節(jié)占據(jù)半導(dǎo)體 市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。

第一階段(1950~1970 年):美國(guó)通過(guò)國(guó)防研發(fā)支持和政府采購(gòu)支持半導(dǎo)體技術(shù)起步 并實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先。20 世紀(jì) 40~50 年代,晶體管和集成電路在美國(guó)誕生并在軍事領(lǐng)域應(yīng)用,美 國(guó)國(guó)防和航空航天的政府研發(fā)投入和采購(gòu)早期占據(jù)約一半的市場(chǎng)份額。20 世紀(jì) 60~80 年 代,美國(guó)實(shí)施半導(dǎo)體稅收補(bǔ)貼政策促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)商業(yè)化。在此階段,美國(guó)政府實(shí)施了以 稅收優(yōu)惠為主的政策,并進(jìn)一步出臺(tái)相關(guān)措施完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境,包括推動(dòng)政府采購(gòu)多元化,減少市場(chǎng)門(mén)檻,支持中小企業(yè)發(fā)展等。

第二階段(1980~1999 年):美國(guó)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手簽訂貿(mào)易協(xié)議遏制半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移并促 進(jìn)本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展。20 世紀(jì) 80 年代,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展并超越美國(guó)。為扭轉(zhuǎn)競(jìng)爭(zhēng)力 下降趨勢(shì),美國(guó)成立美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA),協(xié)調(diào)制定半導(dǎo)體貿(mào)易管制政策的半導(dǎo)體 研究聯(lián)盟(SRC)組織半導(dǎo)體商業(yè)化研發(fā)。同時(shí),美國(guó)打擊日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),美國(guó)政府于 1985 年對(duì)日本進(jìn)行 301 調(diào)查,指控日本公司傾銷(xiāo) DRAM 等產(chǎn)品。經(jīng)談判,日本在 1986 年同美國(guó)簽署第一次《半導(dǎo)體協(xié)議》,規(guī)定日本停止在美國(guó)市場(chǎng)的傾銷(xiāo),且要求日本企業(yè) 購(gòu)買(mǎi)美國(guó)產(chǎn)品,美國(guó)企業(yè)在日本的市場(chǎng)份額達(dá)到 20%。1991 年,美國(guó)以美國(guó)企業(yè)在日本 的市場(chǎng)份額不足 20%為由與日本簽訂了第二次《半導(dǎo)體協(xié)議》。1996 年,美國(guó)在日本市場(chǎng) 份額超過(guò) 30%,在全球市場(chǎng)份額也達(dá)到 30%,超越日本重新成為世界半導(dǎo)體第一大國(guó)。

第三階段(2000~2018 年):美國(guó)采取“軟硬結(jié)合”政策,強(qiáng)化半導(dǎo)體生態(tài)建設(shè)保持 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)先地位。美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在 20 世紀(jì) 90 年代再次取得全球領(lǐng)先后,積極 借助個(gè)人電腦、互聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展時(shí)機(jī),因勢(shì)利導(dǎo),充分發(fā)揮美國(guó)在軟件、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域優(yōu)勢(shì), 通過(guò)產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)推動(dòng)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。一方面,充分發(fā)揮市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制,降低市場(chǎng) 障礙,鼓勵(lì)企業(yè)通過(guò)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)提升競(jìng)爭(zhēng)力;另一方面,把握移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等發(fā)展機(jī) 遇,并進(jìn)一步鞏固其在計(jì)算、通信等領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)??傮w上,在這個(gè)階段,美國(guó)更多地 通過(guò)市場(chǎng)機(jī)制推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

第四階段(2018 年至今):美國(guó)通過(guò)擴(kuò)大財(cái)政資助,吸引制造業(yè)回流保護(hù)半導(dǎo)體供應(yīng) 鏈安全。2018 年以來(lái),亞洲半導(dǎo)體制造和封測(cè)產(chǎn)業(yè)崛起。美國(guó)政府為應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“空 心化”,在持續(xù)通過(guò)提供研發(fā)資金支持外,陸續(xù)出臺(tái)相關(guān)法令激勵(lì)制造業(yè)回流和遏制海外 競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。在研發(fā)支持方面,美國(guó)國(guó)防部、能源部等多部門(mén)將半導(dǎo)體視為優(yōu)先發(fā)展領(lǐng)域; 在立法方面,2015 年,奧巴馬政府將“企業(yè)研發(fā)稅收抵免”由周期性變?yōu)橛谰眯砸怨膭?lì) 半導(dǎo)體企業(yè)加大對(duì)長(zhǎng)期研發(fā)的投入。特朗普政府通過(guò)加大出口管制和提出制造業(yè)法案來(lái)鞏 固美國(guó)半導(dǎo)體的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。2019 年以來(lái),美國(guó)通過(guò)將華為列入實(shí)體管制清單、修改外國(guó) 直接產(chǎn)品規(guī)則限制華為供貨、加大半導(dǎo)體設(shè)備和高端芯片的出口管制等一系列措施對(duì)全球 供應(yīng)鏈造成沖擊。2022 年 8 月 9 日,美國(guó)總統(tǒng)拜登簽署《2022 年最高法院安全資金法案》 (又稱(chēng)《2022 年芯片和科學(xué)法案》)使之正式生效,該項(xiàng)立法向美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供約 527 億美元巨額補(bǔ)貼,鼓勵(lì)半導(dǎo)體企業(yè)在美國(guó)建廠。


美國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)補(bǔ)貼具有以下幾個(gè)特點(diǎn):

一是美國(guó)聯(lián)邦政府以研發(fā)補(bǔ)貼為主,側(cè)重于基礎(chǔ)性研究和部分應(yīng)用研究,開(kāi)發(fā)及生產(chǎn) 性流程研發(fā)投入有限。從補(bǔ)貼形式看,美國(guó)聯(lián)邦政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)支持多數(shù)集中在 研發(fā)環(huán)節(jié),側(cè)重于對(duì)基礎(chǔ)科學(xué)研究、基礎(chǔ)技術(shù)和部分應(yīng)用研究的政策支持。美國(guó)能源部、 國(guó)防部、國(guó)家科學(xué)基金等通過(guò)與企業(yè)合作設(shè)立研發(fā)項(xiàng)目,分?jǐn)傃邪l(fā)成本,加大助力先進(jìn)技 術(shù)的突破。

二是有效利用國(guó)防、政府采購(gòu)服務(wù)等世界貿(mào)易組織規(guī)則例外空間的措施支持本國(guó)產(chǎn)業(yè) 發(fā)展。早期的美國(guó)國(guó)防部系列采購(gòu)安排為美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降低產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的風(fēng)險(xiǎn)、擴(kuò)大 市場(chǎng)需求、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)迭代升級(jí)發(fā)揮了重要作用,相關(guān)采購(gòu)行為由于可以援引國(guó)家安全例外, 能夠豁免于世界貿(mào)易組織規(guī)則。

三是美國(guó)州政府補(bǔ)貼形式豐富,側(cè)重于生產(chǎn)和制造環(huán)節(jié)。美國(guó)政府對(duì)企業(yè)的補(bǔ)貼方式 多數(shù)以稅收優(yōu)惠為主,主要集中在研究和制造環(huán)節(jié)。2022 年 5 月,美國(guó)政府通過(guò)法案, 將為美國(guó)本土的半導(dǎo)體制造項(xiàng)目提供約 520 億美元的財(cái)政援助,同時(shí)積極推進(jìn)為集成電路 制造項(xiàng)目提供最高 25%的減稅政策,鼓勵(lì)英特爾、三星等企業(yè)建廠。

四是美國(guó)采取貿(mào)易投資限制等變相支持措施,單邊主義和保護(hù)主義色彩較重。例如, 美國(guó)對(duì)日本、中國(guó)等發(fā)起 301 調(diào)查,通過(guò)關(guān)稅和貿(mào)易政策阻礙公平貿(mào)易;限制產(chǎn)品出口或 對(duì)相關(guān)企業(yè)實(shí)施懲罰,擴(kuò)大實(shí)體清單企業(yè)數(shù)量,包括限制服務(wù)器用的微處理器出口,對(duì)中 興通訊、晉華進(jìn)行禁運(yùn),把華為及其 70 個(gè)附屬公司以及中科曙光等中國(guó)企業(yè)列入出口管 制實(shí)體清單。

企業(yè)獲益:英特爾是全球半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè),也是美國(guó)政府補(bǔ)貼以及州和地方政 府補(bǔ)貼的最大受益者之一,1989~2020 年共獲得補(bǔ)貼 235 億美元。據(jù)美國(guó)“goodjobsfirst” 網(wǎng)站統(tǒng)計(jì),1989~2020 年英特爾獲得的 64 億美元補(bǔ)貼中,63 億美元來(lái)自各州政府,包 括俄勒岡州的 26.7 億美元、新墨西哥州的 26.6 億美元、亞利桑那州的 1 億美元。英特爾 接受的政府補(bǔ)貼總體上以稅收優(yōu)惠為主,具體形式包括“戰(zhàn)略投資計(jì)劃”、“工業(yè)稅收債券”、 “對(duì)外貿(mào)易區(qū)”等,部分措施較有代表性,通過(guò)隱蔽的政策設(shè)計(jì),為英特爾的生產(chǎn)銷(xiāo)售、 參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)提供了重要支持。例如,英特爾廠區(qū)所在的俄勒岡州華盛頓郡希爾斯伯勒 (Hillsboro),提供英特爾房屋和地價(jià)稅優(yōu)惠減免,替英特爾節(jié)省逾 11 億美元。

其他國(guó)家/地區(qū):政府引導(dǎo)+技術(shù)研發(fā)+市場(chǎng)化實(shí)現(xiàn)上世紀(jì) 80 年代迅速崛起

日本:政府引導(dǎo)集中資源重視研發(fā),大規(guī)模投資生產(chǎn)參與全球競(jìng)爭(zhēng)。(1)集中研發(fā)高投入,從國(guó)外引進(jìn)技術(shù)到產(chǎn)官學(xué)自主研發(fā)。(2)參與市場(chǎng)化競(jìng)爭(zhēng),成本質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)取勝。(3) 正值大型機(jī)時(shí)代及家電興起,下游需求潮流帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。日制 DRAM 在質(zhì)量、價(jià)格和 交貨時(shí)間方面均獲得很高評(píng)價(jià),使得 80 年代日制 DRAM 在全球市場(chǎng)中所占份額不斷上升, 1982 年超過(guò)美國(guó),1987 年達(dá)到頂峰 80%。1985 年美國(guó)針對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)起 301 調(diào) 查,于 1986 年達(dá)成第一次半導(dǎo)體協(xié)議,1987 年美國(guó)再次指責(zé)日本向第三國(guó)傾銷(xiāo),于 1991 達(dá)成簽訂第二次半導(dǎo)體協(xié)議。兩次協(xié)議簽訂使得日本半導(dǎo)體廠商的價(jià)格優(yōu)勢(shì)喪失,份額逐 漸受到韓國(guó)及中國(guó)臺(tái)灣省新興廠商的侵蝕。目前日本半導(dǎo)體公司在設(shè)備、材料領(lǐng)域具有較 強(qiáng)優(yōu)勢(shì)。目前日本廠商主要針對(duì) NAND Flash、CIS(CMOS 圖像傳感器)、汽車(chē)電子、功 率分立器件等細(xì)分品類(lèi),在高端數(shù)字電路方面涉足不多。而半導(dǎo)體設(shè)備材料廠商由于良好 的工業(yè)基礎(chǔ)和持續(xù)的技術(shù)積累,至今仍在全球市場(chǎng)占據(jù)非常重要的地位。


韓國(guó):半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有明顯的政府和財(cái)團(tuán)主導(dǎo)特點(diǎn),政府扶持企業(yè)逆周期擴(kuò)產(chǎn)實(shí) 現(xiàn)趕超。20 世紀(jì) 80 年代,政府強(qiáng)力干預(yù),韓國(guó)選擇 DRAM 作為發(fā)展重點(diǎn),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛 速發(fā)展,三星、現(xiàn)代、LG 等財(cái)團(tuán)參與 DRAM 為主的大規(guī)模芯片生產(chǎn)。1999 年后三星成 為韓國(guó)第一大集團(tuán),韓國(guó) DRAM 市占率超過(guò)日本。其中,20 世紀(jì) 80 年代 DRAM 市場(chǎng)景 氣不佳,到 1986 年底,三星半導(dǎo)體累計(jì)虧損達(dá) 3 億美元,盡管美日多家公司縮減產(chǎn)能或 退出市場(chǎng),三星仍依靠政府扶持逆周期投資。2000-2010 年,三星電子從韓國(guó)政府獲得稅 收減免共約 87 億美元。從三星的經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,集成電路產(chǎn)業(yè)需時(shí)以十年計(jì),數(shù)以每年千億 計(jì)的高投入。

當(dāng)前產(chǎn)業(yè)逆全球化趨勢(shì)下,多地區(qū)頒布政策,保障本土供應(yīng)安全。如:歐盟委員會(huì)于 2022 年 2 月 8 日推出《歐洲芯片法案》,擬動(dòng)員超過(guò) 430 億歐元(約 480 億美元)的公共 和私人投資強(qiáng)化歐洲的芯片研究、制造,目標(biāo)是到 2030 年將歐盟的芯片產(chǎn)能全球占比從 目前的 10%提高到 20%。日本于 2022 年 1 月初亦通過(guò)一項(xiàng)芯片補(bǔ)貼法案,總計(jì) 6000 億 日元(約 52 億美元)的預(yù)算將用于支持芯片制造商,其中向臺(tái)積電提供 4000 億日元(約 34.7 億美元)的補(bǔ)貼。2021 年 5 月,韓國(guó)發(fā)布“K 半導(dǎo)體戰(zhàn)略”,宣布未來(lái)十年將攜手三 星電子、SK 海力士等 153 家韓國(guó)企業(yè),投資 510 萬(wàn)億韓元(約 4510 億美元),目標(biāo)是將 韓國(guó)建設(shè)成全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,引領(lǐng)全球的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。2021 年 12 月,印度 政府批準(zhǔn)一項(xiàng)約 100 億美元的激勵(lì)計(jì)劃,旨在吸引全球芯片及顯示器制造商進(jìn)入印度。

國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè):政策+補(bǔ)貼+免稅推動(dòng)高速發(fā)展,在全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)彎 道超車(chē)

近年來(lái),國(guó)務(wù)院、財(cái)政部、工業(yè)和信息化部、科技部、發(fā)展改革委等多部門(mén)都陸續(xù)印 發(fā)了支持、規(guī)范新能源汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展政策,內(nèi)容涉及新能源汽車(chē)的稅率減免、購(gòu)車(chē)補(bǔ)貼、 產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)扶持等內(nèi)容,有力推動(dòng)了國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)行業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展。

我們總結(jié)新能源汽車(chē)行業(yè)的歷史政策,對(duì)于行業(yè)的補(bǔ)貼涉及多個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),舉措包 括直接補(bǔ)貼及減免購(gòu)置稅等,使消費(fèi)者和生產(chǎn)企業(yè)直接受益。國(guó)家自 2001 年以來(lái)推行的 新能源汽車(chē)政策主要包括:1)生產(chǎn)端給予汽車(chē)制造企業(yè)補(bǔ)貼,2)消費(fèi)端消費(fèi)者購(gòu)車(chē)免購(gòu) 置稅、購(gòu)買(mǎi)汽車(chē)給補(bǔ)貼,3)在配套環(huán)節(jié)方面,充電站執(zhí)行大工業(yè)電價(jià)、暫免收取基本電 費(fèi)等多項(xiàng)措施。通過(guò)一系列產(chǎn)業(yè)扶持與財(cái)稅補(bǔ)貼政策,我國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從無(wú)到 有的飛躍式發(fā)展。2013-2019 年產(chǎn)銷(xiāo)量呈整體上升趨勢(shì)。2015 年我國(guó)超過(guò)美國(guó)成為全球 最大的新能源汽車(chē)生產(chǎn)國(guó),2021 年銷(xiāo)量突破 350 萬(wàn)輛。目前我國(guó)的新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量占 據(jù)全球產(chǎn)銷(xiāo)量的半壁江山,所生產(chǎn)、銷(xiāo)售的新能源汽車(chē)車(chē)型有 70%以上都是純電動(dòng)汽車(chē), 其余多為插電混合汽車(chē)。


國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策展望與分析

1、頂層設(shè)計(jì):統(tǒng)籌規(guī)劃,制定統(tǒng)一目標(biāo),組織協(xié)調(diào)

強(qiáng)化頂層設(shè)計(jì),統(tǒng)一規(guī)劃國(guó)內(nèi)技術(shù)發(fā)展路徑,強(qiáng)化部門(mén)協(xié)調(diào),強(qiáng)化區(qū)域聯(lián)動(dòng),形成集 聚效應(yīng)。 1)強(qiáng)化頂層設(shè)計(jì),可統(tǒng)一規(guī)劃技術(shù)發(fā)展路徑,設(shè)定技術(shù)目標(biāo)節(jié)點(diǎn)。強(qiáng)化攻關(guān)決策和 統(tǒng)籌協(xié)調(diào),制定國(guó)家半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略。確定產(chǎn)業(yè)鏈短板環(huán)節(jié),制定技術(shù)節(jié)點(diǎn)和商業(yè)化進(jìn)度 的目標(biāo)。 2)強(qiáng)化部門(mén)協(xié)調(diào)、區(qū)域聯(lián)動(dòng)。在關(guān)鍵環(huán)節(jié)和核心技術(shù)領(lǐng)域,可推動(dòng)加強(qiáng)共性技術(shù)研 發(fā),聯(lián)合企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)攻關(guān)協(xié)調(diào)??梢钥绮块T(mén)協(xié)調(diào)人、財(cái)、物、政策等科技資源??赏?過(guò)下設(shè)辦公室,負(fù)責(zé)聘用產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的科學(xué)家擔(dān)任項(xiàng)目經(jīng)理人,遴選關(guān)鍵核心技術(shù)和 領(lǐng)軍人才、攻關(guān)計(jì)劃監(jiān)督與落實(shí)、攻關(guān)目標(biāo)考核、制定支持政策等事項(xiàng)。 3)聚焦大平臺(tái)建設(shè),有助于提升產(chǎn)業(yè)集聚力和協(xié)同創(chuàng)新效率。如上海、無(wú)錫和杭州 已建成國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)化基地,南京、合肥與蘇州等城市也在優(yōu)勢(shì)區(qū)域規(guī)劃半導(dǎo)體集聚 區(qū),謀劃區(qū)域整體發(fā)展。發(fā)揮長(zhǎng)三角的輻射效應(yīng):面對(duì)美國(guó)對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的肆意打壓 (華為、中興、中芯國(guó)際等企業(yè)被美國(guó)商務(wù)部列入實(shí)體清單),而長(zhǎng)三角產(chǎn)業(yè)鏈上下游企 業(yè)應(yīng)積極圍繞關(guān)鍵環(huán)節(jié)與核心技術(shù)領(lǐng)域,加強(qiáng)共性技術(shù)研發(fā)、聯(lián)合攻關(guān)協(xié)調(diào)創(chuàng)新,提升產(chǎn) 業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力。

2、引導(dǎo)投資:引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)基金長(zhǎng)期投資,進(jìn)一步完善半導(dǎo)體企業(yè)融資渠道, 優(yōu)化考核指標(biāo)

過(guò)去幾年科創(chuàng)板的設(shè)立和國(guó)家/地方產(chǎn)業(yè)基金對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到了一定引導(dǎo)作用。未來(lái)可 在合理有效設(shè)定基金考核目標(biāo)(如長(zhǎng)期技術(shù)目標(biāo)可能與投資回報(bào)相悖)、貸款信用擔(dān)保、 完善風(fēng)險(xiǎn)投資體系等方面進(jìn)一步優(yōu)化。

1)合理設(shè)定考核指標(biāo),有效發(fā)揮政府引導(dǎo)基金對(duì)行業(yè)發(fā)展的支持作用。有序推進(jìn)市 場(chǎng)化政策工具——政府產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投入,建立與真正有潛力企業(yè)的長(zhǎng)效 對(duì)接機(jī)制,主要體現(xiàn)在政府需繼續(xù)發(fā)揮帶頭作用,定期鼓勵(lì)民資、外資攜手加大對(duì)企業(yè)的 長(zhǎng)期資本投入力度,結(jié)合投后管理讓潛力企業(yè)形成更為高效的長(zhǎng)期成長(zhǎng)機(jī)制。政府產(chǎn)業(yè)引 導(dǎo)基金一定要帶來(lái)“有效”的投資,即區(qū)分不同類(lèi)型細(xì)分行業(yè)和項(xiàng)目的投資目的,且對(duì)于不同環(huán)節(jié)不同重要性的項(xiàng)目考核要盡量靈活。例如對(duì)于“卡脖子”環(huán)節(jié)相關(guān)項(xiàng)目的投資, 由于高科技“卡脖子”環(huán)節(jié)本身發(fā)展難度較大的主要原因就是前期投入較大、產(chǎn)出周期長(zhǎng)、 失敗概率高,在市場(chǎng)機(jī)構(gòu)不愿意主動(dòng)參與此類(lèi)項(xiàng)目投資的情況下,需要財(cái)政資金積極作為。 而當(dāng)前產(chǎn)業(yè)基金(例如“大基金”和各地的集成電路產(chǎn)業(yè)基金)的考核中收益是非常重要 的內(nèi)容之一,但針對(duì)“卡脖子”重點(diǎn)項(xiàng)目的基金投資考核,不能以收益作為衡量標(biāo)準(zhǔn),更 多靠考核項(xiàng)目的成果轉(zhuǎn)化、商業(yè)落地等情況。因此需要結(jié)合投資項(xiàng)目本身的特點(diǎn),為政府 引導(dǎo)基金建立多維度和動(dòng)態(tài)的評(píng)價(jià)體系,以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)施策,并保持一定政策彈性,從而實(shí) 現(xiàn)對(duì)行業(yè)發(fā)展的有效支持。

2)完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信用擔(dān)保政策。半導(dǎo)體行業(yè)屬于資金密集型行業(yè),加之消費(fèi)者對(duì) 于產(chǎn)品的性能要求越來(lái)越高,相關(guān)產(chǎn)品的更新迭代速度非常快,企業(yè)對(duì)于資金的需求量很 大。當(dāng)前半導(dǎo)體企業(yè)的資金來(lái)源渠道主要來(lái)自政府補(bǔ)貼與投資,以京東方為例,根據(jù)《置 身事內(nèi)》整理,政府補(bǔ)貼多次幫助京東方及時(shí)籌措到了產(chǎn)線建設(shè)必需的資金,幫助公司跨 過(guò)了面板行業(yè)的壁壘,助力京東方在多個(gè)主流液晶顯示領(lǐng)域出貨量穩(wěn)居全球第一(根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù))。而半導(dǎo)體的研發(fā)屬于風(fēng)險(xiǎn)性較高的項(xiàng)目,因而半導(dǎo)體公司更容易出現(xiàn)壞賬, 于銀行貸款角度,信貸的風(fēng)險(xiǎn)偏高,放貸審核相對(duì)較為慎重。因此,政府可完善相應(yīng)的產(chǎn) 業(yè)信用擔(dān)保政策,用財(cái)政資金補(bǔ)貼銀行的方式建立半導(dǎo)體公司資金貸款的擔(dān)保機(jī)制。

3)健全完善我國(guó)的風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)制體系。從半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展過(guò)程來(lái)看,其資金的來(lái)源 是多元化的,僅是財(cái)政與銀行信貸還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠,完善我國(guó)的風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)制體系對(duì)于吸引更 多的民間資本、國(guó)外資本等大有裨益。此外,政府也可以帶頭參與風(fēng)險(xiǎn)投資中,以安徽合 肥為例,合肥建投、合肥產(chǎn)投及其旗下的基金,通過(guò)設(shè)立母子基金等形式,吸引社會(huì)資本 共同發(fā)展,使高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的融資效應(yīng)有所增加。

3、人才支持:培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)人才,給予國(guó)內(nèi)人才稅收優(yōu)惠,海外人才國(guó)民待遇

黨的二十大報(bào)告指出:“教育、科技、人才是全面建設(shè)社會(huì)主義現(xiàn)代化國(guó)家的基礎(chǔ)性、 戰(zhàn)略性支撐?!比瞬攀歉咝录夹g(shù)的基石,教育是人才培養(yǎng)的關(guān)鍵,更要推動(dòng)“產(chǎn)、學(xué)、研、 用”全鏈條體系的建立。

1)針對(duì)科研體系,加大基礎(chǔ)研究,完善科研、教育體系機(jī)制??梢砸試?guó)家半導(dǎo)體產(chǎn) 業(yè)發(fā)展需求為導(dǎo)向,啟動(dòng)國(guó)家大科學(xué)工程研究探索計(jì)劃;可以通過(guò)設(shè)置半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究經(jīng) 費(fèi)(例如以國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值的 10%為標(biāo)準(zhǔn)匹配),鼓勵(lì)各研究型高校成立半導(dǎo)體學(xué)院,為 半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究增設(shè)科研基金項(xiàng)目和創(chuàng)新研究群體等人才類(lèi)項(xiàng)目;此外,可以在全國(guó)設(shè)立 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)科學(xué)研究中心,資助半導(dǎo)體創(chuàng)新群體和研究組,以人才團(tuán)隊(duì)效應(yīng)帶動(dòng)基礎(chǔ) 研究向半導(dǎo)體領(lǐng)域回流。

2)吸引全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)秀人才,壯大半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究隊(duì)伍,便利入籍通道,給予 國(guó)民待遇。在集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)程中,需要高度重視科學(xué)家的力量,加快科技人員的 培養(yǎng),鼓勵(lì)企業(yè)建立科研院所,利用來(lái)自世界各地的人才,并吸引更多的優(yōu)質(zhì)人才?,F(xiàn)階 段,美國(guó)政府為了使本國(guó)所擁有的專(zhuān)利技術(shù)得到更多保護(hù),半導(dǎo)體公司在聘用中國(guó)人時(shí)已 經(jīng)逐漸放緩了步伐,這也為中國(guó)吸納優(yōu)秀人才回國(guó)創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。為此,可以引入對(duì)集成電 路產(chǎn)業(yè)高科技人才專(zhuān)項(xiàng)獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃,構(gòu)建出立體化的人才吸引機(jī)制。針對(duì)性設(shè)置相關(guān)人才項(xiàng)目科技項(xiàng)目,大力實(shí)施人才的“引留并舉”,革新人才應(yīng)用思維,建立健全芯片產(chǎn)業(yè)高層 次人才引進(jìn)機(jī)制,精準(zhǔn)施策,面向高層次人才要力爭(zhēng)做到“一人一策”。

3)考慮到半導(dǎo)體行業(yè)是高度的人才密集型行業(yè),建議可以考慮實(shí)施個(gè)人所得稅優(yōu)惠 與企業(yè)所得稅優(yōu)惠相互結(jié)合的稅收政策。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)過(guò)程本質(zhì)上是高科技人才參與 企業(yè)的創(chuàng)新制造,尤其當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的人才不僅需要國(guó)內(nèi)培養(yǎng),也需要對(duì)外引進(jìn)優(yōu) 秀人才。因此可以對(duì)參與高新技術(shù)的研發(fā)的科研人員進(jìn)行一定的個(gè)稅減免優(yōu)惠,有利于國(guó) 內(nèi)人才團(tuán)隊(duì)的壯大且激勵(lì)個(gè)人創(chuàng)造創(chuàng)新。此外,對(duì)企業(yè)的高管也可以進(jìn)行一定的稅收優(yōu)惠, 以此作為激勵(lì)的一種手段。企業(yè)高管在半導(dǎo)體的商品市場(chǎng)化中起到關(guān)鍵的領(lǐng)導(dǎo)作用,對(duì)其 進(jìn)行一定程度的稅收激勵(lì),有助于管理者更好服務(wù)于企業(yè)。具體操作來(lái)說(shuō),一方面通過(guò)個(gè) 人專(zhuān)利申報(bào)或重要的管理職能等等外部信息的公開(kāi)透明評(píng)選,篩選國(guó)家半導(dǎo)體行業(yè)重要人 才,通過(guò)建立人才庫(kù)實(shí)現(xiàn)針對(duì)高精尖人才的全部個(gè)稅減免。另一方面可以鼓勵(lì)各城市建立 省一級(jí)的對(duì)應(yīng)人才庫(kù),對(duì)于沒(méi)有入選國(guó)家高精尖人才庫(kù)的重要個(gè)人可評(píng)選省級(jí)人才庫(kù),入 庫(kù)之后實(shí)現(xiàn)個(gè)人所得稅中地稅部分的減免,兩者作為補(bǔ)充和結(jié)合。同時(shí),也可以進(jìn)一步細(xì) 化機(jī)制,例如如何建立評(píng)選制度,如何進(jìn)行人才庫(kù)的動(dòng)態(tài)更新,以實(shí)現(xiàn)對(duì)人才的有效激勵(lì)。

4、攻關(guān)機(jī)制:成立國(guó)家級(jí)科研機(jī)構(gòu),以企業(yè)為主體科研攻關(guān)

采用以企業(yè)為主體的攻關(guān)機(jī)制,完善“揭榜掛帥”等組織模式,可針對(duì)薄弱環(huán)節(jié)統(tǒng)一 制定攻關(guān)計(jì)劃,以企業(yè)為主體,有針對(duì)性支持,推動(dòng)企業(yè)高效地實(shí)現(xiàn)技術(shù)攻關(guān)。

1)建立關(guān)鍵技術(shù)項(xiàng)目攻關(guān)機(jī)制,聯(lián)合開(kāi)展核心技術(shù)攻關(guān),拓展系統(tǒng)化應(yīng)用。半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)鏈長(zhǎng)且廣,上游包括 EDA 軟件/IP 模塊、半導(dǎo)體設(shè)備和材料,中游是芯片設(shè)計(jì)、制造、 封裝和測(cè)試,下游是各類(lèi)電子產(chǎn)品,涉及大量材料、設(shè)備和配件、軟件和 IP 模塊。王陽(yáng)元 院士指出,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的任何一種材料、一種設(shè)備甚至一個(gè)配件都可能成為制約競(jìng) 爭(zhēng)者的手段。建議梳理產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵技術(shù)、“卡脖子”技術(shù),企業(yè)牽頭,委托高校院所或 企業(yè)高校聯(lián)合體,探索采取“揭榜掛帥”、“定向研發(fā)合作制”等方式,針對(duì)“卡脖子”環(huán) 節(jié)進(jìn)行專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體技術(shù)的進(jìn)步。貫通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上下游,同時(shí)完 善創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化收益分配機(jī)制,建立以成果轉(zhuǎn)化為導(dǎo)向的科技創(chuàng)新評(píng)價(jià)體系,突破制約半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸問(wèn)題。

2)充分發(fā)揮半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)家級(jí)科研機(jī)構(gòu)、具有學(xué)科優(yōu)勢(shì)的高校以及科技創(chuàng)新型企 業(yè)的作用。進(jìn)一步加強(qiáng)高校集成電路和軟件專(zhuān)業(yè)建設(shè),加快推進(jìn)集成電路一級(jí)學(xué)科設(shè)置工 作;鼓勵(lì)有條件的高校采取與集成電路企業(yè)合作的方式,加快推進(jìn)示范性微電子學(xué)院建設(shè); 鼓勵(lì)地方按照國(guó)家有關(guān)規(guī)定表彰和獎(jiǎng)勵(lì)在集成電路和軟件領(lǐng)域做出杰出貢獻(xiàn)的高端人才 以及高水平工程師和研發(fā)設(shè)計(jì)人員,完善股權(quán)激勵(lì)機(jī)制;加強(qiáng)行業(yè)自律,引導(dǎo)集成電路和 軟件人才合理有序流動(dòng),避免惡性競(jìng)爭(zhēng)。集中優(yōu)勢(shì)力量加快研發(fā)和創(chuàng)新速度,實(shí)現(xiàn)我國(guó)在 半導(dǎo)體領(lǐng)域的科技自立自強(qiáng)。

5、財(cái)稅政策:加大優(yōu)惠力度,結(jié)合多種稅收優(yōu)惠實(shí)現(xiàn)補(bǔ)貼

目前針對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)已有“兩免三減半”、“五免五減半”、“十年免稅”、“設(shè)計(jì)公司 減按 10%征收”等所得稅優(yōu)惠政策,未來(lái)可以針對(duì)上游環(huán)節(jié)(如設(shè)備、材料、零部件等) 和卡脖子核心環(huán)節(jié)加大優(yōu)惠力度,結(jié)合多種稅收(例如增值稅等)優(yōu)惠方式鼓勵(lì)行業(yè)發(fā)展。

1)當(dāng)前的稅收優(yōu)惠政策主要集中在企業(yè)所得稅方面,后續(xù)還可以結(jié)合多種稅收優(yōu)惠 方式鼓勵(lì)行業(yè)發(fā)展。當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)惠稅收政策主要集中在企業(yè)所得稅的減免,如 2020 年 7 月,國(guó)務(wù)院頒布了《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政 策》中提到對(duì)“國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路設(shè)計(jì)、裝備、材料、封裝、測(cè)試企業(yè)和軟件企業(yè),自 獲利年度起,第一年至第二年免征企業(yè)所得稅,第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半 征收企業(yè)所得稅。”此后財(cái)政部等四部委在 2020 年、2021 年、2022 年發(fā)布了相應(yīng)的稅收 支持政策,明確根據(jù)國(guó)家鼓勵(lì)的不同類(lèi)型的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目制定相應(yīng)的稅收優(yōu)惠 政策。部分電子行業(yè)公司企業(yè)所得稅減稅對(duì) 2021 年的凈利潤(rùn)影響彈性測(cè)算(詳見(jiàn)附錄表 16),可以看出降低一定的所得稅率(例如 3%),企業(yè)的凈利潤(rùn)將增長(zhǎng)相近比例(3%左右), 長(zhǎng)期來(lái)看對(duì)公司凈利潤(rùn)帶來(lái)較大提升力度。

2)可以考慮通過(guò)增值稅的稅收優(yōu)惠帶動(dòng)國(guó)內(nèi)全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。增值稅是我國(guó)第一大稅 種,尤其產(chǎn)品在不同環(huán)節(jié)流通的過(guò)程中都不可避免的伴隨著增值稅的繳納。為了鼓勵(lì)整體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展,上下游的合作聯(lián)動(dòng),建議考慮對(duì)上下游相關(guān)行業(yè)或者符合條件的上 下游公司進(jìn)行所得稅的稅收進(jìn)一步減免,以調(diào)動(dòng)上下游積極性,鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)鏈合作,共同發(fā) 展。因此,作為關(guān)鍵優(yōu)惠政策,我們認(rèn)為后續(xù)國(guó)內(nèi)可能會(huì)針對(duì)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品采取增值稅 “退稅”,扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

6、國(guó)際合作:發(fā)揮龐大市場(chǎng)需求優(yōu)勢(shì)和成本優(yōu)勢(shì),加強(qiáng)外部合作

加強(qiáng)國(guó)際關(guān)系協(xié)調(diào),可積極引進(jìn)國(guó)際領(lǐng)先芯片制造企業(yè)來(lái)中國(guó)投資建廠,從規(guī)劃、土 地、金融、服務(wù)、補(bǔ)貼、稅收等環(huán)節(jié)推進(jìn)招商引資。團(tuán)結(jié)國(guó)內(nèi)外可團(tuán)結(jié)、符合正常商業(yè)邏 輯的力量。

1)發(fā)揮龐大的市場(chǎng)需求優(yōu)勢(shì),加強(qiáng)外部合作。吸引其他國(guó)家和地區(qū)共建區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈, 支持國(guó)外企業(yè)來(lái)華生產(chǎn)。加強(qiáng)國(guó)際關(guān)系組織協(xié)調(diào),積極引進(jìn)國(guó)際領(lǐng)先芯片制造企業(yè)來(lái)中國(guó) 投資建廠,從規(guī)劃、土地、金融、服務(wù)、補(bǔ)貼、稅收等環(huán)節(jié)全面創(chuàng)新招商引資政策,推動(dòng) 外資芯片產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目快速落地和建設(shè),通過(guò)與先進(jìn)生產(chǎn)力合作推動(dòng)國(guó)內(nèi)行業(yè)發(fā)展進(jìn)步。

2)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈復(fù)雜而難以切斷,應(yīng)繼續(xù)擴(kuò)大開(kāi)放,擴(kuò)大商業(yè)合作。我們認(rèn)為 未來(lái)中美將在核心科技領(lǐng)域各自發(fā)展一套供應(yīng)鏈體系的背景之下,日、韓、歐等地的供應(yīng) 鏈企業(yè)或?qū)⒃趦商左w系內(nèi)各自做出選擇,甚至全部參與。例如日本村田是國(guó)際一線電子元 器件大廠中,首個(gè)公開(kāi)推行“雙供應(yīng)鏈”策略的廠商,其總裁在接受日經(jīng)新聞采訪時(shí)表示 “我們將繼續(xù)打造兩套重復(fù)的供應(yīng)鏈體系,一個(gè)針對(duì)美國(guó)主導(dǎo)的經(jīng)濟(jì)集團(tuán),一個(gè)針對(duì)中國(guó) 主導(dǎo)的集團(tuán)”。

7、專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼:針對(duì)卡脖子環(huán)節(jié)進(jìn)行專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼,加速推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步

1)集成電路產(chǎn)業(yè)要堅(jiān)持長(zhǎng)期主義,下行周期堅(jiān)持逆周期擴(kuò)產(chǎn)。根據(jù)芯謀研究預(yù)測(cè), 到 2030 年中國(guó)半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)樂(lè)觀的情況下(國(guó)產(chǎn)設(shè)備取得重大突破),與實(shí)際需求相差 170 萬(wàn)片/月,悲觀的情況下缺口達(dá)到 230 萬(wàn)片/月,因此中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)能缺口將持續(xù)增加。中 國(guó)制造是全球制造的重要力量,在智能化和芯片化的趨勢(shì)下,芯片的用量將大幅增加,但 是國(guó)產(chǎn)芯片的供給卻落后于中國(guó)本土企業(yè)的需求。日本和韓國(guó)均在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下行周期時(shí) 逆周期擴(kuò)產(chǎn),從而實(shí)現(xiàn)順周期時(shí)反超;此外在目前的美國(guó)對(duì)華限制的背景下,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被美打壓或?qū)⒊掷m(xù),甚至不排除擴(kuò)大化。在形勢(shì)特殊的當(dāng)下,中國(guó)芯片的產(chǎn)能建設(shè)和 技術(shù)進(jìn)步要考慮底線思維,因此可以通過(guò)專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼的形式在國(guó)內(nèi)積極擴(kuò)產(chǎn)以應(yīng)對(duì)未來(lái)需求, 同時(shí)可以針對(duì)“卡脖子”環(huán)節(jié)進(jìn)行專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體技術(shù)的進(jìn)步。

2)避免短視,重視技術(shù)節(jié)點(diǎn)商業(yè)化考量。參考新能源車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線,政策大力推 動(dòng)新能源汽車(chē)發(fā)展,無(wú)論是在提升產(chǎn)銷(xiāo)量方面還是在提升企業(yè)研發(fā)能力和競(jìng)爭(zhēng)力方面,均 起到了顯著的積極作用。但也要清楚地看到,政策對(duì)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展并非完全是正 向的,這期間會(huì)因財(cái)政補(bǔ)貼額較大而引發(fā)一些違法違規(guī)的行為,如“騙補(bǔ)”行為。因此未 來(lái)在完善半導(dǎo)體行業(yè)的政策時(shí),除了要進(jìn)行精準(zhǔn)實(shí)施補(bǔ)貼,將補(bǔ)貼流向必要的環(huán)節(jié),也需 要考慮實(shí)施補(bǔ)貼退坡機(jī)制,一方面是預(yù)防一系列違規(guī)行為,另一方面則是倒逼產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)企 業(yè)不斷提升自身的創(chuàng)新研發(fā)能力。

8、鼓勵(lì)國(guó)產(chǎn):通過(guò)補(bǔ)貼政策,鼓勵(lì)采購(gòu)國(guó)產(chǎn)設(shè)備/材料/EDA 等,積極打造 全國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)鏈

1)我國(guó)的戰(zhàn)略性優(yōu)勢(shì)是擁有龐大的芯片消費(fèi)市場(chǎng)和豐富的應(yīng)用場(chǎng)景。針對(duì)技術(shù)先進(jìn)、 受制裁影響面臨實(shí)際困難的晶圓廠,可考慮給予專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼鼓勵(lì)替代性設(shè)備材料的采購(gòu)和技 術(shù)驗(yàn)證。后續(xù)可鼓勵(lì)終端企業(yè)采用國(guó)產(chǎn)芯片,鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)公司在國(guó)內(nèi)晶圓廠流片。 上下游產(chǎn)業(yè)鏈共同配合研發(fā)改進(jìn),推動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)成熟。同時(shí)尊重商業(yè)競(jìng)爭(zhēng),避免過(guò)度扶持。

2)建議通過(guò)政府采購(gòu)或者專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼采購(gòu)等方式助力高技術(shù)企業(yè)的產(chǎn)品打造應(yīng)用場(chǎng)景, 從而進(jìn)一步促進(jìn)技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品革新。部分高技術(shù)企業(yè)在發(fā)展初期面臨主要的問(wèn)題是產(chǎn)品 不被市場(chǎng)認(rèn)可的情況下難有應(yīng)用場(chǎng)景,因此也缺少市場(chǎng)反饋從而改進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品。同時(shí), 在難見(jiàn)產(chǎn)品落地的情況下,也比較不容易在資本市場(chǎng)取得資金認(rèn)可,出現(xiàn)募資困難。因此 建議通過(guò)鼓勵(lì)政府采購(gòu)或提供專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼等方式鼓勵(lì)市場(chǎng)化機(jī)構(gòu)進(jìn)行采購(gòu),為高技術(shù)企業(yè)產(chǎn) 品打造應(yīng)用產(chǎn)經(jīng),從而進(jìn)一步促進(jìn)技術(shù)更新和產(chǎn)品的改進(jìn)。同時(shí)可以參考新能源汽車(chē)行業(yè) 對(duì)于終端消費(fèi)者進(jìn)行補(bǔ)貼,更好地進(jìn)行資源配置。

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