
近期半導體外圍利空不斷,最為重要的就是光刻機和華為供應商禁售的消息:
消息一:彭博社引述消息人士指,美國、荷蘭及日本官員27日在華盛頓結束會議,三方就限制先進半導體制造設備出口到中國達成協(xié)議。報道指,根據協(xié)議,荷蘭半導體設備制造商阿斯麥將不會出售制造芯片的光刻機給中國企業(yè)。日本也會限制尼康、東京電子等公司出口半導體制造設備到中國。美國白宮未有正面回應,只是表示會議討論了對三方都很重要的議題。而荷蘭外交部、日本經濟產業(yè)省以及尼康都拒絕作出評論,東京電子公司也未有回應。
消息二:1月31日消息,據路透社報道,隨著美國政府加大對中國科技行業(yè)的打擊力度,
拜登政府正在考慮切斷華為與其所有美國供應商的所有聯(lián)系,包括英特爾公司和高通公司。另據英國《金融時報》周一援引知情人士的話報道稱,美國政府已暫停對美國部分企業(yè)核發(fā)向華為供貨的許可證。目前美國商務部已通知部分企業(yè),商務部將不再核發(fā)許可證。若這項政策獲得通過,所有美國供應商向華為供貨的許可證申請,都將被拒絕。有知情人士表示,先前可能早獲批準的
4G芯片,現在也在限制之列。
這是讓華為連4G手機都造不出了!有知情人士表示,美國將禁止向華為提供
包括4G,WiFi 6和7,人工智能,以及高性能計算以及云計算等相關領域的產品。再往極端的一面看,全面禁止高通、Intel等與華為的合作,意味著華為手機業(yè)務、PC業(yè)務將會再次面臨嚴峻考驗。這已經不是單純有沒有5G的問題,可以說華為的手機、PC、平板電腦等大部分消費級主力產品,都將面臨無芯可用的危機。
光刻膠的機會
前幾日,美、日、荷達成協(xié)議,組建“芯片制裁聯(lián)盟”,其中包含了ASML公司和日本尼康等,對中國芯片行業(yè)進一步進行封鎖,之前的重點是光刻機以及臺積電代工的封鎖,現在拉攏日韓,開始從材料端進行打壓,而在芯片制造環(huán)節(jié),我認為材料遠重要于設備。在我國未被封鎖之前,其實已經購入大量的半導體設備,即使現在無法繼續(xù)購買,再使用五年十年是不成問題的,未來可能國產設備已經能趕上了,而我國半導體材料國產化率極低,主要依靠進口,不同于設備而言可以使用多年,材料用完了就徹底無法制造了,而我國半導體材料主要進口大國就是日韓,所以這次美國新的制裁聯(lián)盟,將直接影響我國芯片行業(yè)的發(fā)展,影響遠大于設備制裁。今天主要聊一下光刻膠。
一、基本知識光刻膠是半導體制造光刻工藝的關鍵材料。光刻膠為利用光化學反應進行微細加工圖形轉移的媒體,由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等主要成分組成的對光敏感的感光材料,被廣泛應用于光電信息產業(yè)的微細圖形線路的加工制作,是微細加工技術的關鍵性材料。光刻膠按照用途主要分為半導體用光刻膠、平板顯示用光刻膠和PCB 光刻膠三類。不同品類半導體用光刻膠應用于不同制程節(jié)點。光刻膠根據對應波長,主要品類分為紫外光譜(300-450nm)、g-line(436nm)、i-line(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)和 EUV(13.5nm)。目前 g-line、i-line 廣泛應用于0.5um以上和0.5-0.35um 制程,KrF 多應用于 0.25-0.13um,ArF 應用于130-7nm,EUV應用于7nm 及以下。
二、市場前景全球光刻膠市場與國內光刻膠市場穩(wěn)定擴增。根據reportl
inker 數據,2021 年市場規(guī)模約92 億美元,預計2026年將達到 123 億美元,2019-2026 年 CAGR 值為 5.9%。根據中商情報網數據,2017年中國光刻膠市場規(guī)模為 58.7 億元,2021 年中國光刻膠市場規(guī)模為93.3億元,預計 2022 年達到 98.7 億元,2017-2022CAGR 值為10.9%,保持穩(wěn)定增長,而從數據上看我國光刻膠市場增速遠高于全球增速,在我國屬于高景氣疊加國產替代雙邏輯。從細分上看,出貨量 EUV 光刻膠 CAGR 增速最快,KrF、ArFi 保持高增速。根據TECHCET數據,2020-2025 年CAGR 中,EUV光刻膠增速最高為 51.8%,KrF、ArFi 分別為 8.5%和 6.5%,g&i line、ArF 增速為2%、1.8%。
三、國產替代現狀國內光刻膠生產集中于 PCB 光刻膠,半導體光刻膠和平板顯示光刻膠具有廣闊的國產替代空間。根據 Research in China 數據,全球光刻膠市場三大組成部分是半導體光刻膠、平板顯示光刻膠和 PCB 光刻膠,市場份額分別為23.3%、25.9%和23.6%。半導體光刻膠在三者中是技術難度相對高、成長性好的細分市場。目前我國半導體光刻膠和平板顯示光刻膠制造能力仍較弱,只占整體生產結構的2%和3%,主要生產技術水平較低的 PCB 用光刻膠,占整體生產結構中的94%,半導體光刻膠及面板光刻膠國產替代空間廣闊。

2022-2025 年是國內晶圓廠產線投產期,外部壓力增大,國產光刻膠進入認證窗口。受益于5G 通訊、新能源汽車等行業(yè)快速發(fā)展,半導體行業(yè)進入迅速擴張期。據SEMI 統(tǒng)計,預計至2024年底,中國國內將建立 31 座大型晶圓廠,主要集中于成熟制程,隨著晶圓廠產線投產,光刻膠驗證進入導入期。同時,光刻膠配套材料市場規(guī)模不斷提升。在光刻膠使用過程中,光刻膠配套材料是光刻膠使用過程中不可或缺的一部分。包括稀釋劑、顯影液、漂洗液、蝕刻液、去膠液等,主要采用基礎化工原料,包括氫氟酸、異丙醇、硝酸、氫氧化鉀、四甲基氫氧化銨、無水乙醇、雙氧水、硫酸、氫氧化鈉等制造。根據SEMI 數據,全球半導體光刻膠配套材料市場規(guī)模穩(wěn)步增長,2016 年為19.1 億美元,2021年達到了 32.3 億美元,CAGR 為 11.1%。
四、投資方向國內知名光刻膠企業(yè)包括南大光電、晶瑞電材、彤程新材、上海新陽等,但實力都是比較一般,目前沒有很出色的企業(yè),所以如果想進行投資,最好尋找其他業(yè)務比較強勢而且業(yè)務涉及光刻膠的企業(yè)進行投資。由于我國光刻膠產業(yè)起步較晚,目前市場份額占比較低,未來仍有很大的空間,但這個空間能夠提升多少,還得看各大企業(yè)的努力了,投資的是中國芯片強國夢想,但不得不承認我們的起點太低,進步太慢,將概念轉化為現實的時間無法確定,可能是明天,也可能是十年后,所以不確定性較高,但因為光刻膠國產替代迫在眉睫,未來是否有特別強力的政策支持,可以拭目以待,賽道是好賽道,未來有未來,就看怎么實現了
半導體材料端機會:靶材
一、基本知識靶材是 PVD 的核心材料。物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition)技術是制備電子薄膜材料的主要技術之一,是利用物理方法在基板表面沉積薄膜的方式,根據沉積方式的不同,PVD 分為濺射法和蒸鍍法,被沉積的材料稱為靶材。靶材產業(yè)鏈可以分為金屬提純、靶材制造、鍍膜和終端應用四個環(huán)節(jié)。首先是金屬提純,原材料鋁、銅、鉭、鈦等金屬以金屬提純方式形成高純金屬,作為靶材制造的原材料;第二環(huán)節(jié)是靶材制造,將高純金屬通過加工形成濺射靶材,制造好的靶材包括靶坯和背板兩部分,靶坯是濺射靶材的主體,背板起固定靶坯的作用。第三個環(huán)節(jié)是鍍膜,以濺射鍍膜為例,以高速離子束流轟擊靶坯,濺射出靶坯表面原子,沉積于基板從而制成電子薄膜,電子薄膜按照應用不同有不同分類;最后將薄膜材料應用于半導體芯片、平板顯示器、信息存儲、光學元器件、薄膜太陽能等不同領域。二、市場前景靶材市場主要分布于平板顯示、記錄媒體、太陽能電池和半導體四大領域,其中半導體占比約 10%。根據數據顯示,截至2021 年,四大領域靶材市場占比約 94%,其中平板顯示、記錄媒體和太陽能電池占比較高,分別為34%、29%和 21%,半導體占比約 10%。根據 SEMI 數據,全球半導體靶材市場規(guī)模整體保持增長態(tài)勢。2021 年為16.95億美元,同比增長超過 20%,其中晶圓制造用靶材 10.5 億美元,封裝用靶材6.45億美元。根據智研咨詢數據,2021 年中國半導體靶材市場約63.1億元,預計2022年中國半導體靶材的市場規(guī)模將達到 75.1 億元,同比增長19%,2018-2022 年,中國半導體靶材市場規(guī)模一直保持較快增速,CAGR 值為 22.1%。一方面系消費電子、5G、新能源等半導體下游應用快速發(fā)展,另一方面由于國內政策推動了半導體產業(yè)進一步向國內轉移。靶材在晶圓制造與芯片封裝中均有應用。先進制程的發(fā)展將刺激銅靶、鉭靶的需求量增加,而汽車電子所需的功率芯片通常 110nm 以上制程即可滿足,鋁靶、鈦靶將受益于汽車電子發(fā)展。三、國產替代現狀靶材市場主要被世界巨頭壟斷,國產公司成長迅速。由于濺射鍍膜工藝起源于國外,國外靶材公司相較于國內擁有更長時間的成長歷史和技術積淀,在靶材市場處于主導地位,根據華經產業(yè)研究院數據,截至 2021 年,美日頭部靶材企業(yè)占據了全球市場的 80%,其中 日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯分別占比30%、20%、20%和 10%。國內企業(yè)雖然處于國產替代初期,但頭部廠商成長迅速,目前江豐電子、有研新材、阿石創(chuàng)、隆華科技等在下游各領域頭部企業(yè)均打開了一定市場,市場份額在1%-3%左右,但是中國大部分靶材行業(yè)企業(yè)主要生產的是低附加值的中低檔產品,產品呈現多品種、小批量、生產周期長的特點,未來還有很大的空間。國家政策推進靶材發(fā)展,推動靶材國產化。近年來,國家不斷出臺新的政策法規(guī),來推動靶材行業(yè)國產化的發(fā)展,特別是集成電路產業(yè)的靶材國產化。2021年頒布的《“十四五”規(guī)劃和 2035 年遠景目標綱要》中,重點提到了集成電路攻關方面,高純靶材為重點攻關方向之一,國家政策的大力扶持進一步助力靶材產業(yè)的國產替代發(fā)展。四、投資方向個人認為,在品種方面,3nm制程量產,晶圓制造朝著更小的制程方向發(fā)展,銅和鉭靶材的需求有望提高。下圖是主流靶材公司的匯總。

短期的投資更多是靠技術面和資金面,但如果看向未來長期投資,靶材無疑也是比較優(yōu)質的賽道,和光刻膠一樣,也是受美、日所制約,國產替代的緊迫性會更加強烈
半導體材料機會:硅片
一、基本知識硅片是半導體器件的主要載體,在半導體材料占比最高。硅基半導體材料是目前產量最大、應用最廣的半導體材料。硅片位于半導體制造產業(yè)鏈上游。在半導體制造產業(yè)鏈中,硅片是基礎材料,位于制造產業(yè)鏈的上游,集成電路結構是以硅片為基礎搭建而成的,硅片是芯片制造的核心原材料。應用最廣的三類硅片是拋光片、外延片與以 SOI 硅片。拋光片直接用于制作半導體器件,廣泛應用于存儲芯片與功率器件等,也可作為外延片、SOI 硅片的襯底材料;外延片是由拋光片經過外延生長而形成,常在CMOS 電路中使用,如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等,也應用于應用于二極管、IGBT 等功率器件的制造;SOI 硅片是由拋光片經過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成,具備耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高等特點,主要應用于智能手機、WiFi 等無線通信設備的射頻前端芯片,也應用于功率器件、傳感器、硅光子器件等芯片產品,價格是一般硅片的 4-5 倍。下圖是不同尺寸硅片的應用領域。

二、市場前景2015年至2020年,我國半導體市場規(guī)模從824億美元增長至 1638 億美元,年均復合增長率約為 14.74%。2021 年,我國半導體市場銷售額達到 1925億美元。歷史上半導體行業(yè)的年均增速高于電子系統(tǒng)整體市場,主要驅動力是電子系統(tǒng)中使用的半導體的含量不斷增加。比如隨著全球手機、汽車和個人電腦出貨量增長趨于成熟和放緩,電子系統(tǒng)市場 2011-2021 年的年均復合增長率為3.5%,而半導體行業(yè) 2011-2021 年的年均復合增長率為 6.5%。根據IC Insights 的數據,2021年電子系統(tǒng)中的半導體含量提高到了 33.2%,創(chuàng)歷史新高,同時預期終值將超過40%。在半導體含量推動作用下,硅片出貨面積呈上升趨勢,根據SEMI 的數據,2021 年全球硅片出貨面積 141.65 億平方英寸,創(chuàng)歷史新高。下圖是各尺寸半導體需求量圖,可以看出大尺寸硅片逐漸成為市場主流。

根據摩爾定律,集成電路上的晶體管每隔 18 個月要翻一倍,相對應的成本就下降一半,而大尺寸硅片能夠提高單個硅片上集成的芯片數量,芯片尺寸越小,硅片尺寸越大,單個芯片的制造成本越低,可以顯著降低邊際成本。因此,制程的不斷縮小推動硅片向大尺寸發(fā)展。根據IC insight 預測,2021-2024年,全球芯片制造產能中 10nm 以下制程占比迅速上升。2021 年,10nm 以下制程占比為 16%,2024 年將上升至 29%,而先進制程基本是以12 英寸硅片為主,先進制程的發(fā)展將刺激 12 英寸硅片需求。三、國產替代現狀2018年我國半導體硅片市場 規(guī)模為172.1億元人民幣,2021年達到250.5億。根據測算,2021年國內市場仍有130億元人民幣依賴進口,國產替代空間巨大。未來隨著國內半導體產業(yè)的發(fā)展和產業(yè)生態(tài)的持續(xù)完善,市場規(guī)模將進一步擴大,預計到2025年我國半導體硅片市場規(guī)模將超過400億元人民幣。目前國內 8 in 硅片技術已可以滿足國內需求,正處于產能釋放階段,國產化率不斷提高;12 in硅片已批量進入市場,技術水平逐步提高,產業(yè)配套能力顯著增強。而目前我國功率芯片用重摻 8 in 硅片、12 in 硅片技術水平與國際水平相當,邏輯芯片、存儲芯片等各類半導體需求的硅片技術水平達到28 nm半導體制程要求,實現批量供貨,先進制程用硅片得到驗證和應用。從芯片法案中看,在硅片制造方面,供應我國半導體硅片產業(yè)所需關鍵檢測設備、關鍵零部件、關鍵原輔材料供應可能受影響,關鍵人才引進難度更大,同時產品進入美國等供應體系預計將受到較大限制,國內硅片企業(yè)在國際上的競爭力受到影響。國內企業(yè)的產業(yè)規(guī)模、技術水平、盈利能力等方面與國際領先企業(yè)仍存在很大差距。從產業(yè)規(guī)??矗瑖鈳准掖髲S的12 in硅片產能在100萬片/ 月以上,而且連續(xù)多年穩(wěn)定出貨,技術水 平可以覆蓋全部下游技術節(jié)點,產品種類包括拋 光片、外延片、退火片等,可以滿足所有半導體產品需要,綜合毛利率長期保持在40%以上,具有穩(wěn)定良好的盈利能力。截止2022年年底,國內企業(yè)目前單一產出不超過30萬片/月,先進制程產品仍以研發(fā)為主,技術水平與國外領先水平尚有較大差距,產品品種少,質量穩(wěn)定性仍需提高,中國企業(yè) 的12 in硅片尚未進入三星等全球前10的半導體芯片制造公司。目前12 in 硅片制造所需關鍵顆粒測試設備、最終拋光液、包裝片盒等關鍵設備和原輔材料依然依賴進口,國內企業(yè)差距大,存在被“卡脖子”風險,產業(yè)鏈安全存在一定風險,這些因素也導致 12 in 硅片產業(yè)關鍵環(huán)節(jié)投資大、運行成本高。已國產化設備、原輔材料的質量性能仍有差距,在12 in硅片產線的推廣使用少,制約國內12 in硅片產業(yè)的競爭力。四、投資方向目前,上海硅產業(yè)集團股份有限公司 12 in 硅片已實現批量供貨,規(guī)劃在現有每月30萬片產能基礎上再增30萬片產能,同時每年新增312萬片8 in半導體拋光片產能。TCL中環(huán)新能源科技股份有限公司在12 in硅片17萬片/月、8 in硅片75萬片/ 月產能基礎上,規(guī)劃到2023年年底建成12 in硅片60萬片/月、8 in硅片100萬片/月的產能。浙江立昂微電子股份有限公司已建成 8 in 拋光片27萬片/月,12 in硅片15萬片/月的產能,在建年產 180萬片12 寸硅片、年產 12萬片8 in 硅片項目。杭州中欣晶圓半導體股份有限公司已建成 400萬片/月8 in硅片產能,在建年產120萬片8 in、年產24萬片12 in外延片項目。有研半導體硅材料股份公司完成了集成電路大硅片產業(yè)基地建設,8 in硅片批量供貨,其30萬片/月12 in硅片規(guī)?;a線正在建設。在大硅片上,我國各大產商都在快速布局,雖然種類較少,穩(wěn)定性較差,但相對于其他分支而言發(fā)展較快,目前主要受制于制造硅片的設備和材料存在被禁止出口的風險,而硅片作為半導體的基石,如果缺少硅片,相當于整個產業(yè)鏈癱瘓,其重要性不言而喻,目前主要相關公司估值和價格都不是很高,可能是個不錯的布局機會我會在
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