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近日，國內(nèi)又一批半導體項目迎來新進展，涉及IGBT、碳化硅、氮化鎵、MLCC、半導體設(shè)備等領(lǐng)域。
一、多個項目開工
1半導體封裝測試設(shè)備智能制造基地項目據(jù)蘇州高新區(qū)發(fā)布消息，1月11日，速騰電子研發(fā)生產(chǎn)總部暨半導體封裝測試設(shè)備智能制造基地項目開工，將成為集研發(fā)生產(chǎn)一體的總部和智能制造基地。
2006年，速騰電子正式落戶蘇州高新區(qū)，一直致力于光通信光模塊、半導體探針等零部件的研發(fā)生產(chǎn)，是一家高精度產(chǎn)品制造企業(yè)。
速騰電子研發(fā)生產(chǎn)總部暨半導體封裝測試設(shè)備智能制造基地項目建設(shè)總面積超4萬平方米，建成后將成為集研發(fā)生產(chǎn)一體的總部和智能制造基地，計劃量產(chǎn)半導體封裝測試設(shè)備、汽車模組、光模塊等項目。
2人民控股高端硅基芯片封裝項目據(jù)亭湖發(fā)布消息，1月10日，江蘇省鹽城市舉行高質(zhì)量發(fā)展產(chǎn)業(yè)項目推進活動，開工和簽約22個產(chǎn)業(yè)項目，其中，開工項目包括人民控股高端硅基芯片封裝項目。
人民控股高端硅基芯片封裝項目由人民控股集團投資建設(shè)，計劃總投資9億元，2023年計劃投資3億元。項目占地144畝，新建生產(chǎn)廠房及附屬設(shè)施約12.8萬平方米，購置生產(chǎn)設(shè)備2000臺套，建設(shè)高端硅基和碳化硅芯片封裝生產(chǎn)線。項目全部建成投產(chǎn)后，可年產(chǎn)6寸高端硅基晶圓120萬片、IC封測48億顆。
3“三星半導體存儲芯片”等項目據(jù)鳳凰網(wǎng)江蘇消息，1月3日，蘇州工業(yè)園區(qū)2023年一季度重大項目集中開工儀式舉行。
本次集中開工的49個產(chǎn)業(yè)項目包括SEW-電機智能制造項目、三星半導體存儲芯片項目、科陽半導體先進封裝項目、聯(lián)東U谷項目、光格總部大樓項目、天臣國際醫(yī)療總部基地項目、賽芯科技總部項目、源卓光電總部項目等。
據(jù)了解，今年一季度，蘇州工業(yè)園區(qū)開工項目89個，總投資557億元，年度計劃投資201億元，涵蓋新一代信息技術(shù)、高端裝備制造、生物醫(yī)藥、現(xiàn)代服務業(yè)等產(chǎn)業(yè)項目等。
4滬硅產(chǎn)業(yè)子公司Okmetic硅片擴產(chǎn)項目據(jù)外媒報道，滬硅產(chǎn)業(yè)子公司Okmetic在芬蘭萬塔（Vantaa）的硅片制造項目于近日已破土動工。
據(jù)此前報道，該項目總投資約4億歐元，將建設(shè)200mm特色硅片工廠，Okmetic現(xiàn)為世界第七大硅片制造商，專門生產(chǎn)用于制造MEMS、傳感器、RF濾波器和功率半導體的特色工藝硅晶圓。該公司于2016年被中資收購，并于去年5月宣布了擴產(chǎn)計劃。
目前，Okmetic擁有約600名員工，2021年的凈銷售額為1.28億歐元，新項目投資預算大約是其年銷售額的三倍。該公司計劃在未來幾年內(nèi)再雇用500名新員工，預計2025年新項目將開始生產(chǎn)，進一步鞏固其在先進傳感器、功率器件、射頻濾波器及集成無源器件等高端細分領(lǐng)域的市場地位。
5奕斯偉硅及碳化硅部件項目1月6日，重慶兩江新區(qū)2023年第一批重大產(chǎn)業(yè)項目開工活動正式舉辦。本次開工活動中，共有17個項目集體動工，總投資達369.7億元，項目涵蓋先進制造業(yè)、現(xiàn)代服務業(yè)、科技創(chuàng)新轉(zhuǎn)化等領(lǐng)域。
其中，奕斯偉硅及碳化硅部件項目由北京奕斯偉科技集團有限公司（以下簡稱“奕斯偉集團”）投資，將建設(shè)一座產(chǎn)能為每月3萬個硅及碳化硅部件的生產(chǎn)工廠。
奕斯偉集團是一家集成電路領(lǐng)域產(chǎn)品和服務提供商，核心業(yè)務涵蓋芯片與方案、硅材料、生態(tài)鏈投資孵化三大領(lǐng)域。
奕斯偉硅及碳化硅部件項目是奕斯偉集團與重慶市的首次合作。該項目生產(chǎn)的硅環(huán)和碳化硅環(huán)產(chǎn)品是晶圓制造過程中必需的耗材，特別是碳化硅環(huán)產(chǎn)品填補了國內(nèi)該領(lǐng)域空白，對新區(qū)打造西南地區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)高地具有重大意義。
二、五個項目簽約落地
120條光電半導體生產(chǎn)線據(jù)伊金霍洛發(fā)布消息，1月10日，伊金霍洛旗人民政府與北京裕泰方略科技有限公司簽約儀式舉行，雙方將在光電半導體項目方面開展合作。
該項目將在蒙蘇經(jīng)濟開發(fā)區(qū)落地建設(shè)，計劃引進國際先進的光電半導體生產(chǎn)線20條，預計項目總投資8億元，具備年生產(chǎn)10億顆各類光電半導體芯片的能力。
2北京航空航天大學合肥創(chuàng)新研究院項目據(jù)合肥市人民政府發(fā)布消息，1月4日，北京航空航天大學合肥創(chuàng)新研究院項目正式簽約合肥。
該項目以北航創(chuàng)新院建設(shè)為基礎(chǔ)，圍繞無人駕駛、電磁兼容、集成電路，重點建設(shè)助推地方產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的中試基地、北航科研成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化的示范基地、地方產(chǎn)業(yè)急需應用人才的培訓基地，打造高端人才引育平臺、高能級共享應用平臺。
3泰晶微半導體項目簽約落戶江蘇據(jù)常熟國家高新區(qū)消息，1月6日，泰晶微半導體項目簽約落戶常熟高新區(qū)。
泰晶微半導體項目一期投資總額5億元，年產(chǎn)150萬套功率半導體模塊，達產(chǎn)后年產(chǎn)值超10億元，公司整合海外技術(shù)和資產(chǎn)，聯(lián)合蘇州泰晶微半導體擬在常熟高新區(qū)投資設(shè)立公司總部、同時建設(shè)功率半導體模塊生產(chǎn)基地，主要產(chǎn)品包括新能源和工業(yè)領(lǐng)域所用的高可靠性Sic MOS、IGBT模塊、驅(qū)動電路模塊、保護電路模塊等。
據(jù)官網(wǎng)介紹，蘇州泰晶微半導體是一家聚焦于碳化硅（SiC）、IGBT半導體的高科技公司， 2020年成立于蘇州 ，主要產(chǎn)品包括新能源和工業(yè)用的高可靠性SiC、IGBT模塊和Mosfet器件，產(chǎn)品應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動、醫(yī)療器械、電源等場景和領(lǐng)域。
4格晶半導體第三代半導體項目落地1月5日，江西上饒市萬年縣人民政府與上海格晶半導體有限公司（以下簡稱“格晶半導體”）舉行合作簽約儀式。
本次簽約的第三代半導體產(chǎn)業(yè)化項目總投資達25億元，產(chǎn)品主要客戶有華為海思、小米、VIVO、OPPO等手機廠商，和中興通訊基站、CETC軍用雷達、吉利汽車快充等。
該項目投產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)5萬片8寸GAN功率器件，成為江西省第一家中國第二家量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。項目預計2026年IPO。
5年產(chǎn)10萬噸高純硅基材料和年產(chǎn)2萬噸半導體硅基材料項目簽約1月1日，九原區(qū)人民政府與新疆大全新能源股份有限公司舉行年產(chǎn)10萬噸高純硅基材料和年產(chǎn)2萬噸半導體硅基材料項目投資協(xié)議簽約儀式。
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，新疆大全新能源股份有限公司將在一期項目“年產(chǎn)10萬噸高純多晶硅+年產(chǎn)1000噸半導體多晶硅項目”的基礎(chǔ)上，在九原區(qū)繼續(xù)投資建設(shè)“年產(chǎn)10萬噸高純硅基材料項目+年產(chǎn)2萬噸半導體硅基材料項目”，共同打造全球最具競爭力的高純晶硅生產(chǎn)企業(yè)和新能源基地。
該項目占地總面積1500畝，總投資173億元，預計2023年一季度開工建設(shè)，2023年年底建成投產(chǎn)。項目達產(chǎn)后，預計年產(chǎn)值151億元，利潤80億元，上繳稅費25億元。
三、多個項目投產(chǎn)、竣工等
安徽藍訊通信項目投產(chǎn)據(jù)廬江政府網(wǎng)消息，1月9日，安徽藍訊通信項目投產(chǎn)儀式在廬江高新區(qū)舉行。
安徽藍訊通信項目于2022年1月18日簽約落戶廬江高新區(qū)，7月7日開工建設(shè)，8月19日主體結(jié)構(gòu)封頂，10月設(shè)備進場。
安徽藍訊廬江項目總投資20.08億元，項目分二期建設(shè)，新上射頻功能器件、基板，射頻系統(tǒng)模塊及陶瓷功能材料生產(chǎn)線，整個項目建成達產(chǎn)后，預計實現(xiàn)年產(chǎn)值50億元。
祥和MLCC項目一期月產(chǎn)能50億只已達產(chǎn)1月8日，風華高科在投資者互動平臺表示，公司定增募投項目為“祥和工業(yè)園高端電容基地建設(shè)項目”和“新增月產(chǎn)280億只片式電阻器技改擴產(chǎn)項目”。
其中，祥和項目規(guī)劃新增MLCC月產(chǎn)能450億只，目前一期月產(chǎn)能50億只已達產(chǎn)，公司將緊密結(jié)合行業(yè)發(fā)展趨勢和市場情況推進項目產(chǎn)能建設(shè)；電阻項目規(guī)劃新增片式電阻器月產(chǎn)能280億只，目前項目建設(shè)已滿足設(shè)計產(chǎn)能規(guī)劃要求。
據(jù)了解，風華高科MLCC高端產(chǎn)品主要包括高容、高壓、安規(guī)、高可靠、車規(guī)產(chǎn)品，片式電阻器高端產(chǎn)品主要包括車規(guī)電阻、薄膜電阻、抗硫化電阻、合金電阻等。
“某部2022年電子元器件研制”項目啟動1月8日，大立科技發(fā)布公告稱，近日，公司收到中央財政下達的“某部2022年電子元器件研制”項目啟動資金，金額為320.00萬元，標志著公司已正式中標本項目并已進入啟動實施階段。截至目前，公司已累計收到該項目資金320.00萬元。
根據(jù)公告，本項目研制內(nèi)容為非制冷紅外焦平面探測器領(lǐng)域氧化釩技術(shù)路線相關(guān)產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，前期經(jīng)某部組織專家評審及公示，公司以評審總分第一中標項目承擔任務。本項目是公司繼連續(xù)多年承擔非晶硅技術(shù)路線重大專項后，首次承擔氧化釩技術(shù)路線相關(guān)研制任務，標志著公司在氧化釩技術(shù)路線相關(guān)研究成果得到國家認可。
大立科技已于2021年實現(xiàn)了國內(nèi)唯一雙技術(shù)路線（非晶硅與氧化釩）非制冷紅外焦平面探測器的量產(chǎn)，并行發(fā)展非晶硅和氧化釩技術(shù)路線有利于鞏固公司在紅外熱成像核心芯片——非制冷紅外焦平面器件的研制和產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
大立科技稱，本項目成功實施后，將有助于提升我國在紅外熱成像核心芯片及裝備領(lǐng)域的競爭力，也有利于公司紅外整機及光電系統(tǒng)業(yè)務發(fā)展，對公司發(fā)展具有長期戰(zhàn)略意義。后續(xù)公司將嚴格遵照項目管理方的相關(guān)規(guī)定和要求開展工作。
平煤神馬碳化硅半導體芯片材料成功下線據(jù)河南日報報道，1月4日，中國平煤神馬集團生產(chǎn)的碳化硅半導體芯片材料——碳化硅高純粉體和碳化硅晶錠成功下線，產(chǎn)品質(zhì)量達國內(nèi)一流水平。
2022年，中國平煤神馬集團投資7000萬元，啟動碳化硅基半導體材料示范線開發(fā)項目，主要研發(fā)生產(chǎn)第三代半導體碳化硅粉體和碳化硅襯底材料，打造千億級芯片材料產(chǎn)業(yè)“試驗田”。
報道稱，該項目集聚中國平煤神馬集團產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，上游利用煤、焦爐煤氣制備高純氫、針狀焦、電子硅、區(qū)熔硅等原料優(yōu)勢，下游對接儲能鋰電和光伏等產(chǎn)業(yè)，能快速形成全國乃至世界領(lǐng)先的“煤—氫氣—針狀焦—高純硅烷—碳化硅—碳化硅半導體—儲能鋰電和光伏”高品質(zhì)產(chǎn)業(yè)鏈。
百思特達氮化鎵半導體芯片項目竣工據(jù)盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)1月4日消息，目前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）的氮化鎵半導體芯片項目已經(jīng)進入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段。
百思特達是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售、服務于一體的綜合性高科技企業(yè)，始終致力于開創(chuàng)中國半導體氮化鎵芯片領(lǐng)域的科技新格局。
百思特達投資3億元建設(shè)的氮化鎵半導體芯片項目，占地面積125畝，總建筑面積51302.28平方米，其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車間、1棟芯片封裝及應用產(chǎn)品生產(chǎn)制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發(fā)中心及綜合管理用房等建設(shè)內(nèi)容。
2022年12月中旬，氮化鎵半導體芯片項目全面竣工投產(chǎn)，在完成廠務動力設(shè)備包含電力設(shè)備系統(tǒng)、水設(shè)備系統(tǒng)、氣化設(shè)備系統(tǒng)、FFU系統(tǒng)等調(diào)試工作后，并同步對MOCVD、烤盤爐等一系列生產(chǎn)設(shè)備的一、二、三階調(diào)試完成后，開始進行產(chǎn)品試生產(chǎn)。
據(jù)悉，氮化鎵半導體芯片項目的建成達產(chǎn)，可為百思特達增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。
科睿特半導體項目投產(chǎn)據(jù)睿芯半導體消息，1月9日，科睿特半導體科技智能終端產(chǎn)品及模組項目投產(chǎn)。
科睿特半導體項目總投資5億美元，集智能終端產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計、制造、封裝測試為一體，產(chǎn)品廣泛服務于汽車電子、工業(yè)控制、電源管理、智能終端，以及軌道交通、智能電網(wǎng)等高端應用市場。
該項目嚴格按照車規(guī)級芯片要求規(guī)劃設(shè)計，目前已到位各類生產(chǎn)設(shè)備1300余臺，全部建成后計劃投入各類設(shè)備3000余臺。項目的順利投產(chǎn)，將會帶動更多的IC設(shè)計、流片、封裝等上下游企業(yè)集聚落戶，將打造一條全新的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。
官網(wǎng)顯示，2021年4月，山東睿芯半導體科技有限公司由科睿特控股（山東）有限責任公司投資成立，是一家集成電路制造和技術(shù)服務提供商，提供全方位的晶圓芯片成品制造一站式服務，包括集成電路的系統(tǒng)集成、研發(fā)設(shè)計、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統(tǒng)級封裝測試、芯片成品測試并可向世界各地的半導體客戶提供直運服務。
芯源微臨港項目主體結(jié)構(gòu)封頂2023年1月11日，芯源微臨港研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目主體結(jié)構(gòu)封頂，項目于2022年8月正式動工，比預定計劃提前完成主體結(jié)構(gòu)封頂。
2021年，沈陽芯源微全資子公司上海芯源微注冊成立，“芯源微臨港研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目正式立項。該項目落地臨港新片區(qū)重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)，占地45畝，規(guī)劃總建筑面積約5.4萬平方米。
據(jù)介紹，該項目定位高端工藝技術(shù)節(jié)點的集成電路光刻工藝涂膠顯影設(shè)備及化學清洗設(shè)備的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項目建成后將具備較強的國際先進水平半導體設(shè)備研發(fā)能力，加速高端半導體設(shè)備國產(chǎn)替代進程。
沈陽芯源微副總裁/上海芯源微常務副總經(jīng)理崔曉微表示，芯源微臨港廠區(qū)建設(shè)取得了良好開端，作為芯源微從沈陽根據(jù)地向全球產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域延伸的第一站，這里將成為芯源微創(chuàng)新發(fā)展的研發(fā)高地。廠區(qū)建成后，這里將凝聚芯源微最高技術(shù)水平的人才資源，研發(fā)團隊將在此打造世界一流水平的半導體高端裝備。
盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心封頂據(jù)上海經(jīng)信委消息，1月6日，盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心封頂儀式在上海臨港新片區(qū)舉行，項目建筑面積13.8萬平方米，規(guī)劃產(chǎn)能超過年產(chǎn)600臺，預計達產(chǎn)后產(chǎn)值超100億元。
盛美半導體上海臨港研發(fā)及生產(chǎn)中心項目于2019年12月30日啟動，并于2020年7月7日舉行開工儀式。
另據(jù)銀環(huán)新材料消息，盛美半導體設(shè)備研發(fā)及制造中心項目位于上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)項目，是臨港新片區(qū)揭牌后首批落地的項目之一，將建設(shè)成為盛美半導體新的研發(fā)及生產(chǎn)基地。
高端封裝基板及高端HDI項目下月封頂1月4日，安捷利美維電子（廈門）有限責任公司（以下簡稱“安捷利美維”）官微發(fā)文表示，目前，安捷利美維高端封裝基板及高端HDI生產(chǎn)能力建設(shè)項目已完成一期樁基施工，開始進行主體施工，計劃于2023年2月底封頂，2024年試產(chǎn)。
該項目于2022年9月6日開工建設(shè)，項目位于福建廈門海滄區(qū)集成電路制造產(chǎn)業(yè)園，總投資73.8億元，將建成集研發(fā)、制造、銷售、服務于一體的集成電路封裝基板制造基地，產(chǎn)品應用于5G通訊、智能移動終端、汽車、物聯(lián)網(wǎng)和醫(yī)療電子等領(lǐng)域。
該項目是福建省重點項目，占地291畝、規(guī)劃總建筑面積約41萬㎡，分二期建設(shè)，一期工程主要建設(shè)3棟廠房、1棟研發(fā)樓、1棟宿舍樓、1棟生活綜合樓及其他配套生產(chǎn)設(shè)施。
項目一期規(guī)劃建設(shè)高端封裝基板產(chǎn)品線，投資30.5億元，主要生產(chǎn)FC BGA封裝基板、載板產(chǎn)品；項目二期建設(shè)高端HDI與模組產(chǎn)品線，投資43.3億元，主要生產(chǎn)類載板、載板、高密度互連板、封裝模組產(chǎn)品，計劃2027年建成。
一、多個項目開工
1半導體封裝測試設(shè)備智能制造基地項目據(jù)蘇州高新區(qū)發(fā)布消息，1月11日，速騰電子研發(fā)生產(chǎn)總部暨半導體封裝測試設(shè)備智能制造基地項目開工，將成為集研發(fā)生產(chǎn)一體的總部和智能制造基地。
2006年，速騰電子正式落戶蘇州高新區(qū)，一直致力于光通信光模塊、半導體探針等零部件的研發(fā)生產(chǎn)，是一家高精度產(chǎn)品制造企業(yè)。
速騰電子研發(fā)生產(chǎn)總部暨半導體封裝測試設(shè)備智能制造基地項目建設(shè)總面積超4萬平方米，建成后將成為集研發(fā)生產(chǎn)一體的總部和智能制造基地，計劃量產(chǎn)半導體封裝測試設(shè)備、汽車模組、光模塊等項目。
2人民控股高端硅基芯片封裝項目據(jù)亭湖發(fā)布消息，1月10日，江蘇省鹽城市舉行高質(zhì)量發(fā)展產(chǎn)業(yè)項目推進活動，開工和簽約22個產(chǎn)業(yè)項目，其中，開工項目包括人民控股高端硅基芯片封裝項目。
人民控股高端硅基芯片封裝項目由人民控股集團投資建設(shè)，計劃總投資9億元，2023年計劃投資3億元。項目占地144畝，新建生產(chǎn)廠房及附屬設(shè)施約12.8萬平方米，購置生產(chǎn)設(shè)備2000臺套，建設(shè)高端硅基和碳化硅芯片封裝生產(chǎn)線。項目全部建成投產(chǎn)后，可年產(chǎn)6寸高端硅基晶圓120萬片、IC封測48億顆。
3“三星半導體存儲芯片”等項目據(jù)鳳凰網(wǎng)江蘇消息，1月3日，蘇州工業(yè)園區(qū)2023年一季度重大項目集中開工儀式舉行。
本次集中開工的49個產(chǎn)業(yè)項目包括SEW-電機智能制造項目、三星半導體存儲芯片項目、科陽半導體先進封裝項目、聯(lián)東U谷項目、光格總部大樓項目、天臣國際醫(yī)療總部基地項目、賽芯科技總部項目、源卓光電總部項目等。
據(jù)了解，今年一季度，蘇州工業(yè)園區(qū)開工項目89個，總投資557億元，年度計劃投資201億元，涵蓋新一代信息技術(shù)、高端裝備制造、生物醫(yī)藥、現(xiàn)代服務業(yè)等產(chǎn)業(yè)項目等。
4滬硅產(chǎn)業(yè)子公司Okmetic硅片擴產(chǎn)項目據(jù)外媒報道，滬硅產(chǎn)業(yè)子公司Okmetic在芬蘭萬塔（Vantaa）的硅片制造項目于近日已破土動工。
據(jù)此前報道，該項目總投資約4億歐元，將建設(shè)200mm特色硅片工廠，Okmetic現(xiàn)為世界第七大硅片制造商，專門生產(chǎn)用于制造MEMS、傳感器、RF濾波器和功率半導體的特色工藝硅晶圓。該公司于2016年被中資收購，并于去年5月宣布了擴產(chǎn)計劃。
目前，Okmetic擁有約600名員工，2021年的凈銷售額為1.28億歐元，新項目投資預算大約是其年銷售額的三倍。該公司計劃在未來幾年內(nèi)再雇用500名新員工，預計2025年新項目將開始生產(chǎn)，進一步鞏固其在先進傳感器、功率器件、射頻濾波器及集成無源器件等高端細分領(lǐng)域的市場地位。
5奕斯偉硅及碳化硅部件項目1月6日，重慶兩江新區(qū)2023年第一批重大產(chǎn)業(yè)項目開工活動正式舉辦。本次開工活動中，共有17個項目集體動工，總投資達369.7億元，項目涵蓋先進制造業(yè)、現(xiàn)代服務業(yè)、科技創(chuàng)新轉(zhuǎn)化等領(lǐng)域。
其中，奕斯偉硅及碳化硅部件項目由北京奕斯偉科技集團有限公司（以下簡稱“奕斯偉集團”）投資，將建設(shè)一座產(chǎn)能為每月3萬個硅及碳化硅部件的生產(chǎn)工廠。
奕斯偉集團是一家集成電路領(lǐng)域產(chǎn)品和服務提供商，核心業(yè)務涵蓋芯片與方案、硅材料、生態(tài)鏈投資孵化三大領(lǐng)域。
奕斯偉硅及碳化硅部件項目是奕斯偉集團與重慶市的首次合作。該項目生產(chǎn)的硅環(huán)和碳化硅環(huán)產(chǎn)品是晶圓制造過程中必需的耗材，特別是碳化硅環(huán)產(chǎn)品填補了國內(nèi)該領(lǐng)域空白，對新區(qū)打造西南地區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)高地具有重大意義。
二、五個項目簽約落地
120條光電半導體生產(chǎn)線據(jù)伊金霍洛發(fā)布消息，1月10日，伊金霍洛旗人民政府與北京裕泰方略科技有限公司簽約儀式舉行，雙方將在光電半導體項目方面開展合作。
該項目將在蒙蘇經(jīng)濟開發(fā)區(qū)落地建設(shè)，計劃引進國際先進的光電半導體生產(chǎn)線20條，預計項目總投資8億元，具備年生產(chǎn)10億顆各類光電半導體芯片的能力。
2北京航空航天大學合肥創(chuàng)新研究院項目據(jù)合肥市人民政府發(fā)布消息，1月4日，北京航空航天大學合肥創(chuàng)新研究院項目正式簽約合肥。
該項目以北航創(chuàng)新院建設(shè)為基礎(chǔ)，圍繞無人駕駛、電磁兼容、集成電路，重點建設(shè)助推地方產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的中試基地、北航科研成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化的示范基地、地方產(chǎn)業(yè)急需應用人才的培訓基地，打造高端人才引育平臺、高能級共享應用平臺。
3泰晶微半導體項目簽約落戶江蘇據(jù)常熟國家高新區(qū)消息，1月6日，泰晶微半導體項目簽約落戶常熟高新區(qū)。
泰晶微半導體項目一期投資總額5億元，年產(chǎn)150萬套功率半導體模塊，達產(chǎn)后年產(chǎn)值超10億元，公司整合海外技術(shù)和資產(chǎn)，聯(lián)合蘇州泰晶微半導體擬在常熟高新區(qū)投資設(shè)立公司總部、同時建設(shè)功率半導體模塊生產(chǎn)基地，主要產(chǎn)品包括新能源和工業(yè)領(lǐng)域所用的高可靠性Sic MOS、IGBT模塊、驅(qū)動電路模塊、保護電路模塊等。
據(jù)官網(wǎng)介紹，蘇州泰晶微半導體是一家聚焦于碳化硅（SiC）、IGBT半導體的高科技公司， 2020年成立于蘇州 ，主要產(chǎn)品包括新能源和工業(yè)用的高可靠性SiC、IGBT模塊和Mosfet器件，產(chǎn)品應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動、醫(yī)療器械、電源等場景和領(lǐng)域。
4格晶半導體第三代半導體項目落地1月5日，江西上饒市萬年縣人民政府與上海格晶半導體有限公司（以下簡稱“格晶半導體”）舉行合作簽約儀式。
本次簽約的第三代半導體產(chǎn)業(yè)化項目總投資達25億元，產(chǎn)品主要客戶有華為海思、小米、VIVO、OPPO等手機廠商，和中興通訊基站、CETC軍用雷達、吉利汽車快充等。
該項目投產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)5萬片8寸GAN功率器件，成為江西省第一家中國第二家量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。項目預計2026年IPO。
5年產(chǎn)10萬噸高純硅基材料和年產(chǎn)2萬噸半導體硅基材料項目簽約1月1日，九原區(qū)人民政府與新疆大全新能源股份有限公司舉行年產(chǎn)10萬噸高純硅基材料和年產(chǎn)2萬噸半導體硅基材料項目投資協(xié)議簽約儀式。
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，新疆大全新能源股份有限公司將在一期項目“年產(chǎn)10萬噸高純多晶硅+年產(chǎn)1000噸半導體多晶硅項目”的基礎(chǔ)上，在九原區(qū)繼續(xù)投資建設(shè)“年產(chǎn)10萬噸高純硅基材料項目+年產(chǎn)2萬噸半導體硅基材料項目”，共同打造全球最具競爭力的高純晶硅生產(chǎn)企業(yè)和新能源基地。
該項目占地總面積1500畝，總投資173億元，預計2023年一季度開工建設(shè)，2023年年底建成投產(chǎn)。項目達產(chǎn)后，預計年產(chǎn)值151億元，利潤80億元，上繳稅費25億元。
三、多個項目投產(chǎn)、竣工等
安徽藍訊通信項目投產(chǎn)據(jù)廬江政府網(wǎng)消息，1月9日，安徽藍訊通信項目投產(chǎn)儀式在廬江高新區(qū)舉行。
安徽藍訊通信項目于2022年1月18日簽約落戶廬江高新區(qū)，7月7日開工建設(shè)，8月19日主體結(jié)構(gòu)封頂，10月設(shè)備進場。
安徽藍訊廬江項目總投資20.08億元，項目分二期建設(shè)，新上射頻功能器件、基板，射頻系統(tǒng)模塊及陶瓷功能材料生產(chǎn)線，整個項目建成達產(chǎn)后，預計實現(xiàn)年產(chǎn)值50億元。
祥和MLCC項目一期月產(chǎn)能50億只已達產(chǎn)1月8日，風華高科在投資者互動平臺表示，公司定增募投項目為“祥和工業(yè)園高端電容基地建設(shè)項目”和“新增月產(chǎn)280億只片式電阻器技改擴產(chǎn)項目”。
其中，祥和項目規(guī)劃新增MLCC月產(chǎn)能450億只，目前一期月產(chǎn)能50億只已達產(chǎn)，公司將緊密結(jié)合行業(yè)發(fā)展趨勢和市場情況推進項目產(chǎn)能建設(shè)；電阻項目規(guī)劃新增片式電阻器月產(chǎn)能280億只，目前項目建設(shè)已滿足設(shè)計產(chǎn)能規(guī)劃要求。
據(jù)了解，風華高科MLCC高端產(chǎn)品主要包括高容、高壓、安規(guī)、高可靠、車規(guī)產(chǎn)品，片式電阻器高端產(chǎn)品主要包括車規(guī)電阻、薄膜電阻、抗硫化電阻、合金電阻等。
“某部2022年電子元器件研制”項目啟動1月8日，大立科技發(fā)布公告稱，近日，公司收到中央財政下達的“某部2022年電子元器件研制”項目啟動資金，金額為320.00萬元，標志著公司已正式中標本項目并已進入啟動實施階段。截至目前，公司已累計收到該項目資金320.00萬元。
根據(jù)公告，本項目研制內(nèi)容為非制冷紅外焦平面探測器領(lǐng)域氧化釩技術(shù)路線相關(guān)產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，前期經(jīng)某部組織專家評審及公示，公司以評審總分第一中標項目承擔任務。本項目是公司繼連續(xù)多年承擔非晶硅技術(shù)路線重大專項后，首次承擔氧化釩技術(shù)路線相關(guān)研制任務，標志著公司在氧化釩技術(shù)路線相關(guān)研究成果得到國家認可。
大立科技已于2021年實現(xiàn)了國內(nèi)唯一雙技術(shù)路線（非晶硅與氧化釩）非制冷紅外焦平面探測器的量產(chǎn)，并行發(fā)展非晶硅和氧化釩技術(shù)路線有利于鞏固公司在紅外熱成像核心芯片——非制冷紅外焦平面器件的研制和產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
大立科技稱，本項目成功實施后，將有助于提升我國在紅外熱成像核心芯片及裝備領(lǐng)域的競爭力，也有利于公司紅外整機及光電系統(tǒng)業(yè)務發(fā)展，對公司發(fā)展具有長期戰(zhàn)略意義。后續(xù)公司將嚴格遵照項目管理方的相關(guān)規(guī)定和要求開展工作。
平煤神馬碳化硅半導體芯片材料成功下線據(jù)河南日報報道，1月4日，中國平煤神馬集團生產(chǎn)的碳化硅半導體芯片材料——碳化硅高純粉體和碳化硅晶錠成功下線，產(chǎn)品質(zhì)量達國內(nèi)一流水平。
2022年，中國平煤神馬集團投資7000萬元，啟動碳化硅基半導體材料示范線開發(fā)項目，主要研發(fā)生產(chǎn)第三代半導體碳化硅粉體和碳化硅襯底材料，打造千億級芯片材料產(chǎn)業(yè)“試驗田”。
報道稱，該項目集聚中國平煤神馬集團產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，上游利用煤、焦爐煤氣制備高純氫、針狀焦、電子硅、區(qū)熔硅等原料優(yōu)勢，下游對接儲能鋰電和光伏等產(chǎn)業(yè)，能快速形成全國乃至世界領(lǐng)先的“煤—氫氣—針狀焦—高純硅烷—碳化硅—碳化硅半導體—儲能鋰電和光伏”高品質(zhì)產(chǎn)業(yè)鏈。
百思特達氮化鎵半導體芯片項目竣工據(jù)盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)1月4日消息，目前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）的氮化鎵半導體芯片項目已經(jīng)進入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段。
百思特達是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售、服務于一體的綜合性高科技企業(yè)，始終致力于開創(chuàng)中國半導體氮化鎵芯片領(lǐng)域的科技新格局。
百思特達投資3億元建設(shè)的氮化鎵半導體芯片項目，占地面積125畝，總建筑面積51302.28平方米，其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車間、1棟芯片封裝及應用產(chǎn)品生產(chǎn)制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發(fā)中心及綜合管理用房等建設(shè)內(nèi)容。
2022年12月中旬，氮化鎵半導體芯片項目全面竣工投產(chǎn)，在完成廠務動力設(shè)備包含電力設(shè)備系統(tǒng)、水設(shè)備系統(tǒng)、氣化設(shè)備系統(tǒng)、FFU系統(tǒng)等調(diào)試工作后，并同步對MOCVD、烤盤爐等一系列生產(chǎn)設(shè)備的一、二、三階調(diào)試完成后，開始進行產(chǎn)品試生產(chǎn)。
據(jù)悉，氮化鎵半導體芯片項目的建成達產(chǎn)，可為百思特達增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。
科睿特半導體項目投產(chǎn)據(jù)睿芯半導體消息，1月9日，科睿特半導體科技智能終端產(chǎn)品及模組項目投產(chǎn)。
科睿特半導體項目總投資5億美元，集智能終端產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計、制造、封裝測試為一體，產(chǎn)品廣泛服務于汽車電子、工業(yè)控制、電源管理、智能終端，以及軌道交通、智能電網(wǎng)等高端應用市場。
該項目嚴格按照車規(guī)級芯片要求規(guī)劃設(shè)計，目前已到位各類生產(chǎn)設(shè)備1300余臺，全部建成后計劃投入各類設(shè)備3000余臺。項目的順利投產(chǎn)，將會帶動更多的IC設(shè)計、流片、封裝等上下游企業(yè)集聚落戶，將打造一條全新的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。
官網(wǎng)顯示，2021年4月，山東睿芯半導體科技有限公司由科睿特控股（山東）有限責任公司投資成立，是一家集成電路制造和技術(shù)服務提供商，提供全方位的晶圓芯片成品制造一站式服務，包括集成電路的系統(tǒng)集成、研發(fā)設(shè)計、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統(tǒng)級封裝測試、芯片成品測試并可向世界各地的半導體客戶提供直運服務。
芯源微臨港項目主體結(jié)構(gòu)封頂2023年1月11日，芯源微臨港研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目主體結(jié)構(gòu)封頂，項目于2022年8月正式動工，比預定計劃提前完成主體結(jié)構(gòu)封頂。
2021年，沈陽芯源微全資子公司上海芯源微注冊成立，“芯源微臨港研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目正式立項。該項目落地臨港新片區(qū)重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)，占地45畝，規(guī)劃總建筑面積約5.4萬平方米。
據(jù)介紹，該項目定位高端工藝技術(shù)節(jié)點的集成電路光刻工藝涂膠顯影設(shè)備及化學清洗設(shè)備的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項目建成后將具備較強的國際先進水平半導體設(shè)備研發(fā)能力，加速高端半導體設(shè)備國產(chǎn)替代進程。
沈陽芯源微副總裁/上海芯源微常務副總經(jīng)理崔曉微表示，芯源微臨港廠區(qū)建設(shè)取得了良好開端，作為芯源微從沈陽根據(jù)地向全球產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域延伸的第一站，這里將成為芯源微創(chuàng)新發(fā)展的研發(fā)高地。廠區(qū)建成后，這里將凝聚芯源微最高技術(shù)水平的人才資源，研發(fā)團隊將在此打造世界一流水平的半導體高端裝備。
盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心封頂據(jù)上海經(jīng)信委消息，1月6日，盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心封頂儀式在上海臨港新片區(qū)舉行，項目建筑面積13.8萬平方米，規(guī)劃產(chǎn)能超過年產(chǎn)600臺，預計達產(chǎn)后產(chǎn)值超100億元。
盛美半導體上海臨港研發(fā)及生產(chǎn)中心項目于2019年12月30日啟動，并于2020年7月7日舉行開工儀式。
另據(jù)銀環(huán)新材料消息，盛美半導體設(shè)備研發(fā)及制造中心項目位于上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)項目，是臨港新片區(qū)揭牌后首批落地的項目之一，將建設(shè)成為盛美半導體新的研發(fā)及生產(chǎn)基地。
高端封裝基板及高端HDI項目下月封頂1月4日，安捷利美維電子（廈門）有限責任公司（以下簡稱“安捷利美維”）官微發(fā)文表示，目前，安捷利美維高端封裝基板及高端HDI生產(chǎn)能力建設(shè)項目已完成一期樁基施工，開始進行主體施工，計劃于2023年2月底封頂，2024年試產(chǎn)。
該項目于2022年9月6日開工建設(shè)，項目位于福建廈門海滄區(qū)集成電路制造產(chǎn)業(yè)園，總投資73.8億元，將建成集研發(fā)、制造、銷售、服務于一體的集成電路封裝基板制造基地，產(chǎn)品應用于5G通訊、智能移動終端、汽車、物聯(lián)網(wǎng)和醫(yī)療電子等領(lǐng)域。
該項目是福建省重點項目，占地291畝、規(guī)劃總建筑面積約41萬㎡，分二期建設(shè)，一期工程主要建設(shè)3棟廠房、1棟研發(fā)樓、1棟宿舍樓、1棟生活綜合樓及其他配套生產(chǎn)設(shè)施。
項目一期規(guī)劃建設(shè)高端封裝基板產(chǎn)品線，投資30.5億元，主要生產(chǎn)FC BGA封裝基板、載板產(chǎn)品；項目二期建設(shè)高端HDI與模組產(chǎn)品線，投資43.3億元，主要生產(chǎn)類載板、載板、高密度互連板、封裝模組產(chǎn)品，計劃2027年建成。
